石墨烯基高灵敏氢气传感器及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113514507A(43)申请公布日2021.10.19(21)申请号202110801889.3(22)申请日2021.07.15(71)申请人郭嘉兴地址150006黑龙江省哈尔滨市南岗区邮政街398号201室(72)发明人郭嘉兴(74)专利代理机构北京君恒知识产权代理有限公司11466代理人王恒(51)Int.Cl.G01N27/16(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页(54)发明名称石墨烯基高灵敏氢气传感器及其制备方法(57)摘要本发明涉及传感器制备，更具体的说是石墨烯基高灵敏氢气传感器及其制备方法，石墨烯基高灵敏氢气传感器制备方法，该方法包括以下步骤：步骤一：石墨筒和其中第一个剥离机构接触，在剥离机构上形成石墨层；步骤二：多个剥离机构依次接触分离，传感器基体和最后一个剥离机构接触；步骤三：在传感器基体上形成石墨烯层；石墨烯基高灵敏氢气传感器，石墨烯基高灵敏氢气传感器包括传感器基体，传感器基体上设置有石墨烯层，石墨烯层上设置有上沉积一层热电材料，在热电材料表面的某一部分沉积一层催化金属，催化金属和石墨烯层引出电极，传感器基体为筒状蜂窝孔结构。CN113514507ACN113514507A权利要求书1/1页1.石墨烯基高灵敏氢气传感器制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤一：石墨筒(56)和其中第一个剥离机构(20)接触，在剥离机构(20)上形成石墨层；步骤二：多个剥离机构(20)依次接触分离，传感器基体(70)和最后一个剥离机构(20)接触；步骤三：在传感器基体(70)上形成石墨烯层。2.根据权利要求1所述的石墨烯基高灵敏氢气传感器制备方法，其特征在于：该方法还使用石墨烯基高灵敏氢气传感器制备装置，该装置包括横移机构(10)、剥离机构(20)、供料机构(50)和换料机构(60)，横移机构(10)上连接有多个剥离机构(20)。3.根据权利要求2所述的石墨烯基高灵敏氢气传感器制备方法，其特征在于：所述剥离机构(20)包括伸缩机构Ⅰ(21)，伸缩机构Ⅰ(21)的伸缩端固定连接有伸缩机构Ⅱ(22)，伸缩机构Ⅱ(22)的伸缩端上固定连接有剥离支架(23)，剥离支架(23)上转动连接有两个剥离轮(24)，两个剥离轮(24)的外侧穿过有胶带。4.根据权利要求3所述的石墨烯基高灵敏氢气传感器制备方法，其特征在于：所述剥离支架(23)上转动连接有收卷筒(25)和出料筒(26)，出料筒(26)上缠绕有胶带，出料筒(26)放出的胶带依次穿过两个剥离轮(24)的外侧缠绕在收卷筒(25)上。5.根据权利要求4所述的石墨烯基高灵敏氢气传感器制备方法，其特征在于：所述横移机构(10)包括横移支架(11)，横移支架(11)的左右两侧均转动连接有多个横移丝杆(12)，每个横移丝杆(12)上均通过螺纹连接有伸缩机构Ⅰ(21)。6.根据权利要求5所述的石墨烯基高灵敏氢气传感器制备方法，其特征在于：还包括横移电机(40)，横移电机(40)设置有四个，四个横移电机(40)均固定连接在横移支架(11)上，供料机构(50)和换料机构(60)均设置有两个，两个供料机构(50)和两个换料机构(60)分别通过螺纹连接在四个横移电机(40)的输出轴上。7.根据权利要求6所述的石墨烯基高灵敏氢气传感器制备方法，其特征在于：所述供料机构(50)上装夹有石墨筒(56)，换料机构(60)上装夹有传感器基体(70)，石墨筒(56)第一个剥离机构(20)接触，传感器基体(70)和最后一个剥离机构(20)接触。8.石墨烯基高灵敏氢气传感器，包括传感器基体(70)，其特征在于：所述传感器基体(70)上设置有石墨烯层，石墨烯层上设置有上沉积一层热电材料，在热电材料表面的某一部分沉积一层催化金属，催化金属和石墨烯层引出电极。9.根据权利要求9所述的石墨烯基高灵敏氢气传感器，其特征在于：所述传感器基体(70)为筒状蜂窝孔结构。2CN113514507A说明书1/5页石墨烯基高灵敏氢气传感器及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及传感器制备，更具体的说是石墨烯基高灵敏氢气传感器及其制备方法。背景技术[0002]现有技术中的一种基于量子输运的钯纳米结构氢气传感器的温度补偿系统及方法，以从物理硬件上根本解决温度变化带来的传感器测量误差问题。该方法采用两个具有同类电阻‑温度曲线的钯纳米结构氢气传感器芯片a和b，分别连接到差分器的输入端。这两个钯纳米结构氢气传感器芯片中，钯纳米结构氢气传感器芯片a暴露于氢气源，其电阻值的变化包含由于氢气气压或浓度变化所引起的及由于温度变化所引起的两部分；钯纳米结构氢气传感器芯片b被密封在一个壳体中，与外界气体隔离，其电阻值的变化仅由温度变化所引起，用于补偿温度引起的漂