反型外延片制备方法.pdf

本发明涉及一种外延片制备方法，尤其涉及一种在P型衬底上制备N型外延层的反型外延片的制备方法。该方法打破传统工艺中制备外延片时温度和氢气流量保持不变的制备方法，在制备本征阻挡层时提高了单片炉炉内的温度和通入氢气的流量，使大量的系统杂质被带出反应室，增加系统洁净度，保证了本征阻挡层高的电阻率，即使生长的本征阻挡层纯度更高，阻挡衬底杂质外扩的能力更强。

2023-06-20

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外延片制备方法.pdf

本发明提供一种外延片制备方法，包括步骤：S1：提供衬底，对衬底进行双面抛光后再清洗；S2：对衬底进行边缘抛光后再清洗；S3：对衬底进行最终抛光后再清洗；S4：于最终抛光清洗后得到的衬底表面进行外延生长；S5：对外延生长后的衬底依次进行抛光和清洗。本发明对现有的外延片制备流程重新进行了优化设计，不仅在外延生长前进行多次抛光以确保外延生长具有良好的生长条件，且在外延生长后再次进行抛光清洗，以确保生长出的外延层具有平坦表面，可以有效改善外延层表面SFQR较差的问题，有利于提高后续的器件生产良率。采用本发明，不必

2023-06-15

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双层外延片的制备方法、设备及双层外延片.pdf

本发明公开了一种双层外延片的制备方法及双层外延片，制备方法：在衬底上生长缓冲层，然后在缓冲层上生长耐压层，在生长缓冲层和生长耐压层的两个过程中分别使用独立的管路提供掺杂气源。本发明研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其原因是缓冲层生长完成后，外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体，如磷烷、硼烷等，从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽，本发明在缓冲层生长时和耐压层生长时分别使用独立的掺杂气源输送管道，可以解决这个问题。

2023-11-16

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GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备.pdf

本发明提出了一种GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备，提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。

2023-11-20

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衬底、外延片及衬底的制备方法.pdf

本公开提供了一种衬底、外延片及衬底的制备方法，属于光电子制造技术领域。该衬底包括：衬底本体和导热件，衬底本体的一面具有多个盲孔，导热件与盲孔一一对应，且导热件至少部分位于对应的盲孔内。本公开能够改善衬底的散热性能。

2023-06-27

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