一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101850420A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CNCN101850420101850420A(43)申请公布日2010.10.06(21)申请号201010209856.1(22)申请日2010.06.25(71)申请人西安理工大学地址710048陕西省西安市金花南路5号(72)发明人陈文革陶文俊李君强(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214代理人罗笛(51)Int.Cl.B22F1/02(2006.01)B22F9/22(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法(57)摘要本发明公开了一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法：先将质量为m1的CuO粉体与质量为m2的WO3粉体均匀混合，混合后的粉体置于炉中进行烧结，再将研磨后的CuWO4粉体中加入质量为m3的CuO粉体，混合后置于氢气还原炉中，向炉内通入氢气，通气速率为33L/min，再以每分钟5~10摄氏度的升温速度，升温至360℃保温10分钟，再以每分钟3~5摄氏度的速度升温至800℃，保温30min，停止通氢气，以20L/min的速率通入氦气随炉冷却，冷却至室温后停止通氦气，即得到钨包覆铜纳米复合粉体。本发明制备工艺可以在纳米数量级精确控制W包覆层的厚度，从而可以满足不同钨铜比例含量的应用要求。CN108542ACN101850420ACCNN110185042001850421A权利要求书1/1页1.一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法，其特征在于，需制备质量为M的钨包覆铜复合粉体，包覆层的厚度为H，其操作步骤如下：步骤1，根据以下公式计算出所需WO3的质量m1其中，M为所需制备钨包覆铜复合粉体的质量，x为钨在钨包覆铜复合粉体中所占的质量百分比，k1=1.2为修正系数；所述WO3的粒度为1.5um；步骤2，计算所需CuO的质量m2氧化铜的质量：m2＝0.345m1；步骤3，CuWO4的制备将质量为m2的CuO粉体与质量为m1的WO3粉体均匀混合，再将混合后的粉体置于炉中进行烧结，升温速度保持在5~15℃/min，当炉内温度达到900℃保温30分钟后就形成浅黄色的CuWO4粉体，然后随炉冷却至室温；步骤4，研磨对步骤3制备得到的CuWO4粉体进行研磨；步骤5，还原在研磨后的CuWO4粉体中加入质量为m3的CuO粉体，将两种粉体均匀混合后置于氢气还原炉中，向炉内通入氢气，通气速率为33L/min，再以每分钟5~10摄氏度的升温速度，升温至360℃保温10分钟，再以每分钟3~5摄氏度的速度升温至800℃，保温30min，停止通氢气，以20L/min的速率通入氦气随炉冷却，冷却至室温后停止通氦气，即得到钨包覆铜纳米复合粉体；其中，m3=M×（1.77y－0.5221）；M为所需制备钨包覆铜复合粉体的质量，y为铜在钨包覆铜复合粉体中所占的质量百分比；上述步骤3和步骤5中所使用CuO粉体的粒度是根据所需制备钨包覆铜复合粉体的包覆层厚度H来选择的：如果6nm≤H＜10nm，则选择3um的CuO粒度；如果10nm≤H＜15nm，则选择6um的CuO粒度；如果15nm≤H＜20nm，则选择9um的CuO粒度；如果20nm≤H＜28nm，则选择12um的CuO粒度；如果28nm≤H≤32nm，则选择15um的CuO粒度。2.根据权利要求1所述钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤3中将CuO粉体与WO3粉体通过行星球磨机进行均匀混合，球磨机转速400r∕min，球磨时间180min。3.根据权利要求1所述钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤4中在CuWO4粉体加入无水乙醇同方向研磨至无水乙醇完全挥发，再将CuWO4粉体在50℃的条件下，烘干45分钟。4.根据权利要求1所述钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤5中将CuWO4粉体和CuO粉体通过行星球磨机进行均匀混合，球磨机转速为400r/min，球磨时间60min。2CCNN110185042001850421A说明书1/7页一种包覆层厚度可控钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法技术领域[0001]本发明属于钨包覆铜复合粉体制备技术领域，具体涉及一种包覆层厚度可控的钨包覆铜纳米复合粉体的制备方法。背景技术[0002]包覆粉（coatedpowder）是由一层异种成分包覆在颗粒表面而形成的复合粉。近年来，粉体包覆技术的研究已取得了一定的进展，金属包覆粉体的制备和应用受到了关注。两种或两种以上的粉体颗粒经表面包覆或复合处理，可以得到一种高性能复合粉体材料。复合粉体不仅具有单一粉体的性能，还具有复合协同多功能、克服两种粉体各自缺点、改变单一粒子表面性质