采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101891202A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CNCN101891202101891202A(43)申请公布日2010.11.24(21)申请号201010242065.9(22)申请日2010.07.29(71)申请人大连理工大学地址116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号(72)发明人谭毅姜大川邹瑞洵董伟(74)专利代理机构大连理工大学专利中心21200代理人关慧贞(51)Int.Cl.C01B33/037(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法(57)摘要本发明采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束进行电子注入，从而去除多晶硅中杂质硼的方法。该方法首先利用高温加热炉加热硅粉，然后将其置于电子束熔炼炉中，低束流电子束轰击硅粉，最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本发明的显著效果是采用了电子束释放电子显负电的电效应，结合硅材料本身的特点，增强了硅料自身的微电场，在温度的驱动下使硼扩散到界面进而进入到二氧化硅层中，最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜，从而达到去除杂质硼的目的，以满足太阳能级硅的使用要求，其提纯效果好，稳定性好，能耗小，成本低，工艺简单，周期短，生产效率较高。CN10892ACN101891202ACCNN110189120201891203A权利要求书1/1页1.一种采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征在于，首先利用高温加热炉加热硅粉，然后将其置于电子束熔炼炉中，低束流电子束轰击硅粉，最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉，具体步骤如下：首先取一定量高硼硅粉用HF酸溶液清洗1-5小时，去除表面氧化膜，得到无膜硅粉；用去离子水清洗6-7次，直到溶液呈中性，放入烘干箱中50℃温度下烘干；利用高温加热炉加热硅粉，加热温度为1050℃，加热时间为8-12小时，使其表面氧化形成SiO2氧化膜；然后进行电子束电子注入，将含氧化膜的硅粉置于电子束熔炼炉中，以30mA的束流轰击含氧化膜的硅粉1-5小时；电子注入后，用浓度为30％-50％的HF酸溶液清洗2-5小时，以去除硅粉表面的氧化膜；最后用去离子水清洗6-7次，直到溶液呈中性，得到硼的含量小于0.0001％的低硼硅粉。2CCNN110189120201891203A说明书1/3页采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法技术领域[0001]本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束进行电子注入，从而去除多晶硅中杂质硼的方法。背景技术[0002]太阳能级多晶硅材料是制造太阳能电池最重要的基础原材料，随着全球低碳经济的崛起，太阳能光伏产业迎来了巨大的发展空间。目前，世界范围内制备太阳能电池用多晶硅材料已形成规模化生产，常见的制备技术包括：[0003](1)改良西门子法：西门子法是以盐酸(或氢气、氯气)和冶金级工业硅为原料，由三氯氢硅，进行氢还原的工艺。现在国外较成熟的技术是西门子法，并且已经形成产业。该法已发展至第三代，现在正在向第四代改进。第一代西门子法为非闭合式，即反应的副产物氢气和三氯氢硅，造成了很大的资源浪费。现在广泛应用的第三代改良西门子工艺实现了完全闭环生产，氢气、三氯氢硅硅烷和盐酸均被循环利用，规模也在1000吨每年以上。但其综合电耗高达170kw·h/kg，并且生产呈间断性，无法在Si的生产上形成连续作业。[0004](2)冶金法：以定向凝固等工艺手段，去除金属杂质；采用等离子束熔炼方式去除硼；采用电子束熔炼方式去除磷、碳，从而得到生产成本低廉的太阳能级多晶硅。这种方法能耗小，单位产量的能耗不到西门子法的一半，现在日本、美国、挪威等多个国家从事冶金法的研发，其中以日本JFE的工艺最为成熟，已经投入了产业化生产。[0005](3)硅烷法：是以氟硅酸(H2SiF6)、钠、铝、氢气为主要原材料制取硅烷(SiH4)，然后通过热分解生产多晶硅的工艺。该法基于化学工艺，能耗较大，与西门子方法相比无明显优势。[0006](4)流态化床法：是以SiCl4(或SiF4)和冶金级硅为原料，生产多晶硅的工艺。粒状多晶硅工艺法是流态化床工艺路线中典型的一种。但是该工艺的技术路线正在调试阶段。[0007]在众多制备硅材料的方法中，已经可以投入产业化生产的只有改良西门子法、硅烷法、冶金法。但改良西门子法和硅烷法的设备投资大、成本高、污染严重、工艺复杂，不利于太阳能电池的普及性应用，相比而言冶金法具有生产周期短、污染小、成本低的特点，是各国竞相研发的重点。本专利涉及方法隶属于冶金法，主要使用电子束电子注入的手段去除硅中的杂质硼。电子束应用于冶金熔炼中，用于熔化材料