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直拉硅单晶热场.pdf
2023-06-20
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哲妍****彩妍
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直拉硅单晶热场.pdf
本发明公开了一种直拉硅单晶热场，其包括炉体、炉体内设置的石英坩埚和加热器；炉体侧壁下部设置有通孔，炉体的顶部开有氩气进口；炉体的底部设置有炉底盘，炉底盘的上面安装有保温桶，所述的保温桶外侧包裹有保温材料；在保温桶的顶部设有环形的大盖，在大盖的内环上固设有位于石英坩埚上部的导流筒，所述保温桶的上部设有向内的变径。本热场有效降低了热系统的能量损耗、降低加热器的发热功率，从而达到节能的效果。本热场一定程度上增加了氩气的流速，使晶体散发的热量及时的被带走，增加了单晶的冷却速度，有效的提高了单晶生长拉速。本热场有效
2023-06-20
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2023-05-31
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直拉硅单晶典型生长过程的热场数值模拟研究的开题报告.docx
直拉硅单晶典型生长过程的热场数值模拟研究的开题报告开题报告题目：直拉硅单晶典型生长过程的热场数值模拟研究一、选题背景硅单晶是微电子工业的重要基础材料，其生长过程受到了广泛关注。直拉法是硅单晶生长中常用的方法，在直拉生长过程中，热场是一个非常重要的因素，对硅单晶的质量和性能有着重要影响。因此，通过数值模拟研究直拉硅单晶的热场分布，对于优化硅单晶生长过程具有重要的理论和实践意义。二、研究对象与目的研究对象：直拉硅单晶研究目的：1.通过数值模拟研究直拉硅单晶的典型生长过程中的热场分布情况。2.探究热场对硅单晶生
2024-09-15
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用于直拉硅单晶炉的热屏装置.pdf
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2023-06-20
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本发明公开了一种直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法，所述护盘压片设于下护盘压片之上，下护盘压片和护盘压片之间填充有石墨毡；主保温筒的底部与下保温筒卡接，下保温筒底部与下护盘压片卡接，下护盘压片底部与炉底支撑环卡接；所述外导流筒置于导流筒支撑环上，内导流筒卡在外导流筒上，且内导流筒和外导流筒之间的间隙填充有石墨毡；本热场结构紧凑、保温性能更好、等径平均拉速提高，降低了等径功耗，节约了生产成本，提高生产效率；本发明所述八英寸硅单晶的生产工艺方法包括单晶炉清炉、装炉、抽真空，熔化料，熔接，自动引晶
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