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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101967058A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101967058A(43)申请公布日2011.02.09(21)申请号201010237748.5(22)申请日2010.07.23(71)申请人黑龙江科技学院地址150027黑龙江省哈尔滨市松北区糖厂街1号申请人北京科技大学(72)发明人张迎春付宝建杨秀敏(74)专利代理机构北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙)11296代理人刘淑芬(51)Int.Cl.C04B35/495(2006.01)C04B35/622(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种高Q值微波介质陶瓷及其制备方法(57)摘要一种高Q值微波介质陶瓷及其制备方法,属于微波介质陶瓷材料及其制造技术领域。陶瓷由MgNb2O6和ZnTa2O6复合而成。以MgO和Nb2O5为原料合成MgNb2O6,以ZnO和Ta2O5为原料合成ZnTa2O6,之后MgNb2O6与ZnTa2O6经过混合,加入PVA压制成型,在高温炉中烧结2~4小时制成微波介质陶瓷。本发明的微波介质陶瓷相对介电常数在29.7~31.4之间,Qf值在66280~67370之间,谐振频率温度系数可调;可广泛应用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造,满足移动通信、卫星通信等系统的技术需求。CN1096758ACN101967058A权利要求书1/1页1.一种高Q值微波介质陶瓷,其特征在于:由铌酸镁(MgNb2O6)和钽酸锌(ZnTa2O6)组成,按重量百分比:铌酸镁2.5%~12.5%;钽酸锌87.5%~97.5%。2.根据权利要求1所述的一种高Q值微波介质陶瓷,其特征在于,按重量百分比:铌酸镁10.0%;钽酸锌90.0%。3.根据权利要求1所述的一种高Q值微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)以纯度为98.5%的MgO和99.99%的Nb2O5为起始原料,将原料湿磨混合、烘干、过筛后在1000℃煅烧合成MgNb2O6陶瓷粉体;(2)以纯度为99.0%的ZnO和99.99%的Ta2O5为起始原料,将原料湿磨混合、烘干、过筛后在1100℃煅烧合成ZnTa2O6陶瓷粉体;(3)将步骤(1)和步骤(2)所合成的铌酸镁和钽酸锌按重量比:铌酸镁2.5%~12.5%钽酸锌87.5%~97.5%组成配料,所配粉料湿磨4h烘干后加入粘结剂并造粒,再压制成型,然后在高温炉中升温至500℃保温1h进行排胶,继续升温至烧成温度保温2~4h后随炉冷却。4.根据权利要求3所述的一种高Q值微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,所述加入的粘结剂为浓度为5%、重量百分比含量为3~10%的PVA水溶液。5.根据权利要求3所述的一种高Q值微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的烧成温度为1300~1450℃。6.根据权利要求3所述的一种高Q值微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的烧成时间为2~4小时。2CN101967058A说明书1/3页一种高Q值微波介质陶瓷及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种以氧化物为基础的以成分为特征的陶瓷化合物,更确切的说,是关于一种以铌酸镁(MgNb2O6)和钽酸锌(ZnTa2O6)复合的陶瓷化合物及其制备方法,属于材料科学技术领域。背景技术[0002]微波介质陶瓷是指应用于微波频段(300MHz~3000GHz)电路中作为介质材料完成一种或多种功能的陶瓷,是微波器件的核心材料。近二十年来,由于微波技术设备向小型化、集成化与高频化,尤其是向民用产品的大产量、低价格方向的迅速发展,目前已开发出了一大批适用于微波频段的微波介质陶瓷材料。应用于微波电路的介质陶瓷,应满足如下介电特征的要求:(1)高的相对介电常数εr以减小器件的尺寸,一般要求εr≥20;(2)高的品质因数Q以降低噪音,一般要求Q×f≥3000;(3)接近零的频率温度系数τf以保证器件的温度稳定性。根据微波材料的性能,微波介质陶瓷可分为三类:(1)高介电常数低Q值的微波介质陶瓷,主要应用于对微型化要求较高的手持移动通讯设备;(2)高Q值低介电常数微波介质陶瓷,主要应用于毫米波通讯以及微波电路基板。(3)高Q值近零谐振频率温度系数的微波介质陶瓷,用于对信息的传输量和精度要求较高的卫星以及地面通讯的基站。MgNb2O6和ZnTa2O6都具有优异的微波介电性能。如《日本应用物理》杂志(Japanesejournalofappliedphysics)在1997年发表了一篇题为《微波频率下AB2O6化合物的介电性能(A=Ca,Mg,Mn,Co,Ni,Zn,以及B=Nb,Ta)》(DielectricPropertiesofAB2O6CompoundsatMic