三氯氢硅合成装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102009980A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102009980A(43)申请公布日2011.04.13(21)申请号201010602981.9(22)申请日2010.12.23(71)申请人江西嘉柏新材料有限公司地址333311江西省景德镇市江西省景德镇市乐平市塔山工业园(72)发明人郎丰平邱顺恩黄少辉黄小明李明生(74)专利代理机构北京元中知识产权代理有限责任公司11223代理人王明霞(51)Int.Cl.C01B33/107(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称三氯氢硅合成装置(57)摘要本发明公开了一种三氯氢硅合成装置，包括合成炉筒体(3)，合成炉筒体(3)外部有加热部件，其特征是：加热部件包括加热花板(8)和电阻丝(7)，加热花板(8)为圆环片状，加热花板(8)设置在合成炉筒体(3)的外表面，加热花板(8)的环形表面上轴向密布有通孔(15)，通孔(15)形成与加热花板内圆周同心的三圈同心圆通孔带，通孔(15)上固定有中空绝缘磁筒(9)，电阻丝(7)在每个绝缘瓷筒(9)中心穿过。该合成装置升温迅速、控温准确、节约能源、便于操作，能显著提高三氯氢硅生产效率。CN10298ACCNN102009980102009982AA权利要求书1/1页1.一种三氯氢硅合成装置，包括合成炉筒体(3)，合成炉筒体(3)外部有加热部件，其特征是：加热部件包括加热花板(8)和电阻丝(7)，加热花板(8)为圆环片状，加热花板(8)设置在合成炉筒体(3)的外表面，加热花板(8)的环形表面上轴向密布有通孔(15)，通孔(15)形成与加热花板内圆周同心的三圈同心圆通孔带，通孔(15)上固定有中空绝缘磁筒(9)，电阻丝(7)在每个绝缘瓷筒(9)中心穿过。2.根据权利要求1所述的装置，其特征是：加热花板(8)为厚度6mm～10mm的钢板，加热花板(8)的内圆周与外圆周为同心圆。3.根据权利要求1所述的装置，其特征是：合成炉筒体(3)的外表面套有1～5层相互平行且大小相同的加热花板(8)，加热花板(8)的内圆轴线与合成炉筒体(3)的轴线重合。4.根据权利要求1所述的装置，其特征是：加热花板(8)上有连接花板内外同心圆周的贯穿花板上下表面的梯形开口(13)。5.根据权利要求1所述的装置，其特征是：加热花板(8)上相邻的同心圆通孔带上的对应通孔(15)之间有贯穿花板的条形缺口(14)，最外层同心圆通孔带上的通孔(15)与加热花板(8)的外圆周之间也有贯穿花板的条形缺口(14)，条形缺口(14)径向与加热花板(8)半径的夹角为θ，θ为0°θ＜90°，优选夹角θ为加热花板的开口(13)向开口(13)轴对称点沿着花板两侧半圆周方向逐渐减小，更优选每两个沿着加热花板(8)圆周方向相邻的夹角θ的差值相同，进一步优选差值大于0°而且小于10°。6.根据权利要求1所述的装置，其特征是：电阻丝(7)在加热花板(8)的每条同心圆通孔带上串联。7.根据权利要求1～6中任何一项所述的装置，其特征是：该装置还连接有接线箱(1)，接线箱内有熔断器(2)，熔断器内熔断体为RTO系列低压有填料封闭管式熔断体。8.根据权利要求1～6中任何一项所述的装置，其特征是：加热部件的外部沿合成炉筒体(3)圆周方向有保温层(6)。9.根据权利要求1～6中任何一项所述的装置，其特征是：加热部件的最外部还含有防护罩(5)，防护罩为两瓣结构用铰链链接成的一个圆筒，防护罩的钢板厚度为4mm～8mm。10.根据权利要求1～6中任何一项所述的装置，其特征是：加热部件的上部和下部还含有两块圆环形支撑板(10)，支撑板为厚度8mm～12mm的钢板。2CCNN102009980102009982AA说明书1/3页三氯氢硅合成装置技术领域[0001]本发明涉及一种化工产品的合成装置，特别是一种三氯氢硅合成装置的加热部件。背景技术[0002]三氯氢硅又名三氯硅烷、硅仿，比重1.315，分子量135.45，常温下为无色透明易挥发液体，遇水分解；溶于二硫化碳、氯仿、苯等；易燃，有臭味。主要用于制造单晶硅、硅酮化合物、半导体用硅的中间体，三氯氢硅还是生产有机硅烷偶联剂的重要原料，将三氯氢硅与氯乙烯或氯丙烯进行合成反应，再经精馏提纯，得到乙烯基或丙烯基系列硅烷偶联剂产品。[0003]三氯氢硅的生产方法为将硅粉间断加入三氯氢硅合成装置，氯化氢通过计量后进入三氯氢硅合成炉，硅粉、氯化氢在炉内高温环境下反应，产生三氯氢硅和四氯化硅，以及少量的二氯二氢硅。产生的氯硅烷经过气固分离，然后进入氯硅烷冷却、冷凝系统。现有技术中三氯氢硅合成炉的加热方法主要有：1、导热油加热，热的导热油来源于导热油加热装置，如中国专利公开号CN101486466A公开日2009