三氯氢硅合成炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106006647A(43)申请公布日2016.10.12(21)申请号201610326284.2(22)申请日2016.05.17(71)申请人山东瑞川硅业有限公司地址256600山东省滨州市沾化县经济开发区恒业五路166号(72)发明人鲍明锐蔡俊雄郭庆元刘毅王兰华(74)专利代理机构常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231代理人陈书华(51)Int.Cl.C01B33/107(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图6页(54)发明名称三氯氢硅合成炉(57)摘要本发明属于硅化工领域，涉及一种三氯氢硅合成炉，包括下壳体和梯形壳体，在下壳体与梯形壳体的连接处设置了气体分布板，其气体分布板上均匀设置了旋转喷管和圆柱喷管，旋转喷管与圆柱喷管交叉设置，本发明在气体气体分布板上设置有了两种不同的喷管，该两种喷管为旋转喷管和圆柱喷管，其旋转喷管和圆柱喷管在气体分布板上交叉设置，当氯化氢气体通过旋转喷管和圆柱喷管进入到中间壳体内与硅粉反应时，其旋转喷管和圆柱喷管喷出的氯化氢气体相互作用，使硅粉和氯化氢气体充分反应，又由于旋转喷管上喷孔以及圆柱喷管上斜喷孔的设置，可以有效的避免硅粉落在气体分布板上。CN106006647ACN106006647A权利要求书1/1页1.一种三氯氢硅合成炉，包括中间壳体，所述中间壳体的内部设置有换热管，所述中间壳体的上部设置有上壳体，下部设置有梯形壳体，所述梯形壳体的下部设置有下壳体，其特征在于，所述下壳体与梯形壳体的连接处设置有气体分布板，所述气体分布板上均匀设置有旋转喷管和圆柱喷管，所述旋转喷管与圆柱喷管交叉设置，所述气体分布板上设置有用于容纳旋转喷管和圆柱喷管的容纳孔。2.根据权利要求1所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，所述旋转喷管的外侧面上设置有喷孔。3.根据权利要求2所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，所述圆柱喷管侧壁上设置有斜喷孔，所述斜喷孔与水平面的夹角为α。4.根据权利要求3所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，所述α为45°～60°。5.根据权利要求4所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，所述下壳体的侧壁上设置有进气管。6.根据权利要求5所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，所述中间壳体的侧壁上设置有硅粉进管，所述硅粉进管上设置有硅粉喷射器。7.根据权利要求6所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，所述梯形壳体与下壳体之间通过螺栓固定连接。8.根据权利要求7所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，所述中间壳体与上壳体之间通过螺栓固定连接。9.根据权利要求8所述的三氯氢硅合成炉，其特征在于，所述中间壳体与梯形壳体之间通过螺栓固定连接。2CN106006647A说明书1/3页三氯氢硅合成炉技术领域[0001]本发明属于硅化工领域，涉及一种三氯氢硅合成炉。背景技术[0002]三氯氢硅是生产多晶硅的重要原料，随着多晶硅在现代科技、国防、工业等领域的广泛应用，三氯氢硅的生产也得到了快速发展，提高产品质量、降低生产成本、保证安全生产成为各个生产厂家竞相追逐的目标。利用硅粉和氯化氢合成三氯氢硅的过程是：硅粉从合成炉顶部加料口进入炉体、氯化氢自合成炉下封头进入炉体，二者在炉内适宜温度下进行反应，生成三氯氢硅和副产品四氯化硅。现有的三氯氢硅合成炉一般采用单侧加料方式，即氯化氢和硅粉都是从合成炉的一侧进入炉体，这种加料方法容易造成氯化氢气体及硅粉在合成炉中分布不均，形成偏流，进而导致合成炉内不同区域之间出现较大温差，局部温度过高时，生成的副产品四氯化硅较多，而且还有可能损坏炉壁；而温度过低时，易生成副产品二氯二氢硅，且反应不充分，未反应的氯化氢气体会进入后续工段，影响产能利用率。因此，为确保三氯氢硅的合成反应稳定进行，有必要对三氯氢硅合成炉进行改进。发明内容[0003]本发明针对上述的问题，设计了一种三氯氢硅合成炉。[0004]为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为，[0005]本发明设计了一种三氯氢硅合成炉，包括中间壳体，所述中间壳体的内部设置有换热管，所述中间壳体的上部设置有上壳体，下部设置有梯形壳体，所述梯形壳体的下部设置有下壳体，所述下壳体与梯形壳体的连接处设置有气体分布板，所述气体分布板上均匀设置有旋转喷管和圆柱喷管，所述旋转喷管与圆柱喷管交叉设置，所述气体分布板上设置有用于容纳旋转喷管和圆柱喷管的容纳孔。[0006]作为优选，所述旋转喷管的外侧面上设置有喷孔。[0007]作为优选，所述圆柱喷管侧壁上设置有斜喷孔，所述斜喷孔与水平面的夹角为α。[0008]作为优选，所述α为45°～60°。[0009]作为优选，所述下壳体的侧壁上设置有进气管。[0010]作为优选，所述中间壳体的侧壁上设置有硅粉进管，所述硅粉进管上设置有硅粉喷射器。[00