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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102162051A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102162051A(43)申请公布日2011.08.24(21)申请号201110087688.8(22)申请日2011.04.08(71)申请人中信戴卡轮毂制造股份有限公司地址066003河北省秦皇岛市海港区东港路355号(72)发明人吴群虎(51)Int.Cl.C22C21/02(2006.01)C22C1/02(2006.01)权利要求书1页说明书1页附图2页(54)发明名称一种铝硅合金制备工艺(57)摘要本发明公开了一种铝硅合金的制备方法,熔炉底部装有透气砖或炉下装电磁搅拌器,将需加硅的铝液温度控制在760~770℃,透气砖通入高纯氮气或氩气(或电磁搅拌)。将硅块溶解在铝液中,这样配制的铝液,硅相细小均匀,分布均匀,特别是透气砖除气搅拌作用,铝液更纯净。CN10265ACCNN110216205102162052A权利要求书1/1页1.一种铝硅合金的制备方法,其特征在于:熔炉底部装有透气砖或炉下装电磁搅拌器,将需加硅的铝液温度控制在760~770℃,透气砖通入高纯氮气或氩气,或电磁搅拌。2CCNN110216205102162052A说明书1/1页一种铝硅合金制备工艺技术领域[0001]本发明涉及金属冶炼工艺,具体地说设计一种铝硅合金的制备方法。背景技术[0002]传统的铝硅合金生产中,通常是将块状硅放于熔炉底部,上面再堆上铝锭,然后加热融化,搅拌让硅充分溶入铝液,达到所要求的成分。这样生产的铝液,铝液升温高,大于850℃,融化时间长,硅溶解到铝液后,极易长大,造成硅相粗大;由于搅拌不能充分均匀,溶解到铝液中的硅分布不匀,易造成局部硅偏析。发明内容[0003]本发明的目的是提供一种硅相细小,溶解分布均匀的铝硅合金。[0004]本发明的技术方案为:熔炉底部装有透气砖或炉下装电磁搅拌器,铝液温度控制在760~770℃,再将块状硅计算称重后加入铝液,透气砖通入高纯氮气或氩气(或电磁搅拌),将硅块溶解在铝液中。这样配制的铝液,硅相细小均匀,分布均匀,特别是透气砖除气搅拌作用,铝液更纯净。[0005]由附图可以看出,本发明对提高铝液金相有明显效果。附图说明[0006]图1为现有技术与本发明铝液金相图对比图(200倍放大)。[0007]图2为现有技术与本发明铝液金相图对比图(500倍放大)。[0008]图3为现有技术与本发明铝液金相图对比图(1000倍放大)。[0009]图4为现有技术与本发明铝液金相图对比图(2000倍放大)。[0010]图中:左侧为现有技术铝液金相,右侧为本发明铝液金相。具体实施方式[0011]熔炉底部装有透气砖或炉下装电磁搅拌器,将需加硅的铝液温度控制在760~770℃,再将块状硅计算称重后加入铝液,透气砖通入高纯氮气或氩气(或电磁搅拌),将硅块溶解在铝液中,这样配制的铝液,硅相细小均匀,分布均匀,特别是透气砖除气搅拌作用,铝液更纯净。3CCNN110216205102162052A说明书附图1/2页图1图24CCNN110216205102162052A说明书附图2/2页图3图45