一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102167626A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102167626A(43)申请公布日2011.08.31(21)申请号201010613358.3(22)申请日2010.12.30(71)申请人光为绿色新能源有限公司地址074000河北省高碑店市新工业区光为绿色新能源有限公司(72)发明人刘晓兵李刚(51)Int.Cl.C04B41/87(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法(57)摘要本发明公开了一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，首先将26％-49％的去离子水置于搅拌器内，加热到80-90℃后，将50％-70％的氮化硅倒入搅拌器内搅拌均匀；再将0.5-4％的聚乙烯醇PVA缓缓倒入搅拌器内，边搅拌边超声震荡不少于30分钟，充分搅拌，配置成悬浊液；将搅拌好的悬浊液刷涂到陶瓷坩埚的内壁上，涂层的厚度控制在200-400μm；再将刷涂好的陶瓷坩埚放入烘箱中进行烧结，8-10小时升温到1050-1100℃，保温2-4小时，随后随炉冷却至室温即可。本发明涂层和坩埚表面吸附力强，涂层不易起泡、脱落和剥落，减少了硅锭粘锅及裂锭现象，有效降低了坩埚中杂质对硅锭的污染，提高了硅锭的脱模效果。CN10267ACCNN110216762602167631A权利要求书1/1页1.一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：(1)悬浊液的配置：A、以下原料按重量百分比计算，氮化硅50％-70％，去离子水26％-49％，聚乙烯醇PVA0.5-4％；B、将所述量的去离子水置于搅拌器内，加热到80-90℃后，将所述量的聚乙烯醇PVA倒入搅拌器内，搅拌均匀；C、将搅拌器置于超声波仪内，将所述量的氮化硅缓缓倒入搅拌器内，边搅拌边超声震荡不少于30分钟，充分搅拌，配置成悬浊液；(2)将搅拌好的悬浊液刷涂到陶瓷坩埚的内壁上，涂层的厚度控制在200-400μm；(3)将刷涂好的陶瓷坩埚放入烘箱中进行烧结，8-10小时升温到1050-1100℃，保温2-4小时，随后随炉冷却至室温。2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅50％，去离子水49％，聚乙烯醇PVA1％。3.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅70％，去离子水26％，PVA4％。4.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅60％，去离子水39.5％，PVA0.5％。5.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅55％，去离子水42％，PVA3％。6.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅65％，去离子水33％，PVA2％。7.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)A中氮化硅53％，去离子水44.5％，PVA2.5％。2CCNN110216762602167631A说明书1/3页一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法。背景技术[0002]当前，太阳能多晶硅铸锭用坩埚涂层一般采用喷涂方式制备，即氮化硅与水按照一定的比例配置成悬浮液，用喷枪将悬浮液喷涂到方形陶瓷坩埚内壁上。然后将喷涂好的坩埚放入烘箱中进行烧结。这种方法制备简单，成本低。因此，被广泛采用。但这种涂层不牢固，在使用期间、使用之前甚至喷涂过程中容易起泡、脱落和剥落。脱落或剥落的位置容易引起硅与二氧化硅发生反应，容易造成粘锅、裂锭现象，也不能有效阻隔坩埚中杂质对硅锭的污染。脱模效果不理想，使铸锭的边皮料和底料回收利用处理起来十分困难。发明内容[0003]本发明就是解决现有技术中存在的上述问题，提供一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，采用该方法制备的涂层和坩埚表面吸附力强，涂层不易起泡、脱落和剥落，减少了硅锭粘锅、裂锭现象，有效降低了坩埚中杂质对硅锭的污染，提高了硅锭的脱模效果。[0004]为解决上述问题，本发明的技术解决方案是：一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚涂层的制备方法，其包括以下步骤：[0005](1)悬浊液的配置：[0006]A、以下原料按重量百分比计算，氮化硅50％-70％，去离子水26％-49％，聚乙烯醇PVA0.5-4％；[0007]B、将所述量的去离子水置于搅拌器内，加热到80-90℃后，将所述量的聚乙烯醇PVA倒入搅拌器内，搅拌均匀；[0008]C、将搅拌器置于超声波仪内，将所述量的氮化硅缓缓倒入搅拌器内，边搅拌边超声震荡不少