一种硅砖及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102167606A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102167606A(43)申请公布日2011.08.31(21)申请号201110023758.3(22)申请日2011.01.21(71)申请人武汉科技大学地址430081湖北省武汉市青山区建设一路(72)发明人顾华志朱晶晶彭耐(74)专利代理机构武汉开元知识产权代理有限公司42104代理人樊戎(51)Int.Cl.C04B35/66(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种硅砖及其制备方法(57)摘要本发明具体涉及一种硅砖及其制备方法。其技术方案是：将55～75wt％的硅石骨料、17～32wt％的硅石细粉、2～8wt％的硅微粉和2～6wt％的矿化剂混合，外加上述混合料0.5～4wt％的亚硫酸纸浆废液，混练，压制成型；干燥后置入高温炉中，以25～35℃/h的升温速率升温至1000～1400℃，保温8～10h，制得硅砖。本发明制备工艺简单、生产成本低、烧成温度较低和环保节能，所制备的硅砖在烧成过程中能够生成大量的鳞石英，具有荷重软化点高，残余石英少，体积变化小，致密度高、强度高的特点。CN10267ACCNN110216760602167611A权利要求书1/1页1.一种硅砖的制备方法，其特征在于将55～75wt％的硅石骨料、17～32wt％的硅石细粉、2～8wt％的硅微粉和2～6wt％的矿化剂混合，外加上述混合料0.5～4wt％的亚硫酸纸浆废液，混练，压制成型；干燥后置入高温炉中，以25～35℃/h的升温速率升温至1000～1400℃，保温8～10h，制得硅砖。2.根据权利要求1所述的硅砖的制备方法，其特征在于所述的硅石骨料的SiO2含量≥98wt％；硅石骨料的颗粒级配是：3～1mm的颗粒为55～65wt％，1mm以下的颗粒为35～45wt％。3.根据权利要求1所述的硅砖的制备方法，其特征在于所述的硅石细粉的SiO2含量≥98wt％，硅石细粉的粒径≤0.088mm。4.根据权利要求1所述的硅砖的制备方法，其特征在于所述的硅微粉的SiO2含量为90～98wt％，硅微粉的粒径≤10μm。5.根据权利要求1所述的硅砖的制备方法，其特征在于所述的矿化剂为石灰乳与FeO的混合物，其中：FeO为20～40wt％，石灰乳为60～80wt％。6.根据权利要求1所述的硅砖的制备方法，其特征在于所述的压制成型的压力为100～120MPa。7.根据权利要求1～6项中任一项所述的硅砖的制备方法所制备的硅砖。2CCNN110216760602167611A说明书1/4页一种硅砖及其制备方法技术领域[0001]本发明属于耐火材料技术领域。具体涉及一种硅砖及其制备方法。背景技术[0002]硅砖是SiO2含量在93％以上的酸性耐火材料，具有荷重软化点高、高温下体积膨胀小，耐酸性渣侵蚀的特点，主要用在焦炉、玻璃熔窑和有色金属冶炼工业中。[0003]硅质耐火材料的主要缺点是，由于二氧化硅的多晶转变导致较大的体积变化，使其在600℃以下的抗热震性差，且成品率低；其次是耐火度不高，这限制了硅砖的广泛应用。[0004]各种晶型转变在硅砖烧成及冷却过程中进行，伴随着很大的体积效应，使砖内发生应力，导致破裂，加上砖坯在烧成温度下形成的熔液量较少，SiO2由石英向鳞石英的转变过程缓慢，因此硅砖的烧成比其它耐火材料困难得多。由于硅质耐火材料的最高烧成温度高达1380～1450℃，且烧成时间长，一般波动于20～48小时，需要消耗大量的资源。硅石原料中的SiO2在烧成过程中会挥发，对环境及大气造成严重污染。[0005]直到上世纪70年代末期，我国焦炉硅砖的研究与生产水平还较低，主要体现在：质量指标不稳定，真密度大，鳞石英含量低，杂质与残余石英的含量高等，从而影响了焦炉硅砖的使用性能。20世纪末期，在山西硅砖厂和河南洛阳耐火材料厂生产出鳞石英60～70％左右，残余石英＜1％的焦炉用硅砖，但是与国外水平相比鳞石英含量仍然较低。[0006]在制备高质量焦炉硅砖方面，近年也有一些发展，如文献“提高焦炉硅砖质量的途径”(张慧荣，耐火材料，1998，32(4)：222～224)、“高致密耐火材料的生产与性能研究”(王立平，耐火与石灰，2009，34(3)：15～18)和“纳米复合硅砖及其制备方法”(CN101265073)专利技术。虽然上述文献和专利均不同程度将硅砖中的磷石英含量提高至70～80％，改善了硅砖的性能，但烧成温度较高，烧成时间最高达到72h，耗费大量资源，制备工艺复杂，生产成本也较高，不适于工业生产。发明内容[0007]本发明的任务在于提供一种工艺简单，生产成本低、烧成温度较低和环保节能的硅砖制备方法，用该方法制备的硅砖荷重软化点高、致密度好和强度高