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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102212872A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102212872A(43)申请公布日2011.10.12(21)申请号201110134291.X(22)申请日2011.05.20(71)申请人浙江星宇能源科技有限公司地址324300浙江省开化县工业园区茶场片区茶四路2号(星宇)(72)发明人江土军(74)专利代理机构杭州天正专利事务所有限公司33201代理人舒良(51)Int.Cl.C30B15/00(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书1页(54)发明名称一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法(57)摘要本发明涉及一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法,该方法在单晶拉制过程中吊取了一或二个肩后,保持单晶炉的功率值在放肩功率,把已经脱棱的肩放大,且自动等径4~9厘米;然后退出自动等径状态,改为手动状态,将功率值升高至60~90千瓦,晶转放在1~3转/分,埚转在1~3转/分,将等径的4~9厘米长的多晶进行回熔,待熔去50~70%的晶体后,把功率值降至40~60千瓦,使晶体缓慢的熔成“桃形”即可。采用本发明,晶体会从表面及下部开始熔化,慢慢地熔化成“桃形”状,容易吸附大量杂质,起到了净化硅熔体的作用,且可减少吊肩次数,达到既能提高单晶成品率,又能提高生产效率的目的。CN10287ACCNN110221287202212879A权利要求书1/1页1.一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法,其特征在于在单晶拉制过程中吊取了一或二个肩后,保持单晶炉的功率值在放肩功率,把已经脱棱的肩放大,且自动等径4~9厘米;然后退出自动等径状态,改为手动状态,将功率值升高至60~90千瓦,晶转放在1~3转/分,埚转在1~3转/分,将等径的4~9厘米长的多晶进行回熔,待熔去50~70%的晶体后,把功率值降至40~60千瓦,使晶体缓慢的熔成“桃形”即可。2CCNN110221287202212879A说明书1/1页一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法技术领域[0001]本发明涉及一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法。背景技术[0002]在单晶生产过程中,原料的纯净度会导致在单晶拉制的过程中需要频繁取肩。传统的工艺是放肩脱棱后,把肩放大后直接吊取,往往是需要吊取4~5个肩,甚至更多才能将熔体中的杂质除去,这样,不仅生产效率低,而且会影响单晶成品率。发明内容[0003]本发明的目的是提供既能提高单晶成品率,又能提高生产效率的一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法。[0004]本发明采取的技术方案是:一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法,其特征在于在单晶拉制过程中吊取了一或二个肩后,保持单晶炉的功率值在放肩功率,把已经脱棱的肩放大,且自动等径4~9厘米;然后退出自动等径状态,改为手动状态,将功率值升高至60~90千瓦,晶转放在1~3转/分,埚转在1~3转/分,将等径的4~9厘米长的多晶进行回熔,待熔去50~70%的晶体后,把功率值降至40~60千瓦,使晶体缓慢的熔成“桃形”即可。[0005]采用本发明,由于在高温状态下,熔体中温度分布是径向外围高,中间低,纵向上部低,中部高,晶体会从表面及下部开始熔化,慢慢地熔化成“桃形”状,再者晶体是固体,相对于熔体来说温度较低,杂质会向晶体方向移动,并粘附在晶体上,而且“桃形肩”的表面积大,容易吸附大量杂质,在此原理作用下,熔体中的杂质会尽可能地粘在“桃形”肩上,顺势吊起“桃形”肩,起到了净化硅熔体的作用,且可减少吊肩次数,达到既能提高单晶成品率,又能提高生产效率的目的。具体实施方式[0006]下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。[0007]在单晶直拉过程中吊取了一或二个肩后,保持单晶炉的功率值在放肩功率,接着把已脱棱的肩放大,且自动等径4~9厘米;然后退出自动等径状态,改手动状态,将功率值升高至60~90千瓦,晶转放在1~3转/分,埚转在1~3转/分,将等径的4~9厘米长的多晶进行回熔,待熔去50~70%的晶体后,把功率值降至40~60千瓦,使晶体缓慢的熔成“桃形”并吊取即可。3