一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法.pdf
俊英****22
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一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法.pdf
本发明涉及一种单晶生产过程中的吊肩除杂方法,该方法在单晶拉制过程中吊取了一或二个肩后,保持单晶炉的功率值在放肩功率,把已经脱棱的肩放大,且自动等径4~9厘米;然后退出自动等径状态,改为手动状态,将功率值升高至60~90千瓦,晶转放在1~3转/分,埚转在1~3转/分,将等径的4~9厘米长的多晶进行回熔,待熔去50~70%的晶体后,把功率值降至40~60千瓦,使晶体缓慢的熔成“桃形”即可。采用本发明,晶体会从表面及下部开始熔化,慢慢地熔化成“桃形”状,容易吸附大量杂质,起到了净化硅熔体的作用,且可减少吊肩次数
一种直拉单晶生产过程中的除杂方法.pdf
本发明涉及一种直拉单晶生产过程中的除杂方法,该方法主要是在单晶炉内快速吊起硅晶体,使硅晶体下端离开液面并在硅晶体的底部形成内凹面;然后将硅晶体具有内凹面的一面略微插入液面,使硅熔液液面的不可熔杂质逐渐吸附在硅晶体上。采用本发明,因为硅晶体的内凹面会带着一部分惰性气体进入硅熔液,气体鼓向硅晶体的四周并冒泡,带走硅晶体底部及周围的热量,形成更低的局部温度,不可熔杂质便会逐渐吸附在硅晶体上,这样,能最大限度地将不可熔杂质通过吸附后除去,大大提高了硅的纯度,促进了硅单晶生长,提高了硅单晶的产品质量。
一种制备碲锌镉晶体过程中的除杂方法及除杂装置.pdf
本发明公开了一种制备碲锌镉晶体过程中的除杂方法及除杂装置,除杂方法包括下述步骤:碲料除杂:将用于制备碲锌镉晶体的碲料经碱洗、水洗、酸洗和水洗过滤得到水洗碲粉,最后将水洗的碲粉置于真空烘箱中烘干,得到除杂后的碲料;锌料除杂:将锌料放入熔炼炉中使其熔化,锌液进入精馏塔内进行精馏,随后将锌蒸气引入冷凝器中急剧冷凝成锌粉,得到除杂后的锌料;镉料除杂。本发明涉及碲锌镉晶体制备技术领域,该除杂方法能够酸洗和碱洗得到纯净的碲料,通过精馏的方式得到纯净的锌料和镉料,保证了原料的纯度,除杂方法易于操作;另外通过除杂装置能够
一种InSb单晶生长前杂质预处理用单晶炉及除杂方法.pdf
本发明专利公开了一种InSb单晶生长前杂质预处理用单晶炉及除杂方法,在InSb单晶生长之前,单晶炉的提拉杆先装上一套原料除杂装置,待原料熔化后将InSb熔体表面的浮渣留存在除杂装置内,关闭挡板阀,开启上炉体将除杂装置卸下并更换上籽晶杆,关闭上炉体并重新打开挡板阀准备InSb单晶生长。本发明技术效果是不仅可以对InSb原料进行杂质的预处理,还可以保证引晶放肩操作过程中视野的清晰度。
一种钨冶炼过程中钨、钼分离除杂的方法.pdf
本发明涉及一种钨冶炼过程中钨、钼分离除杂的方法,包括以下步骤:(1)调节含钼钨酸盐溶液的pH值至5~10,得到溶液A;(2)向溶液A中加入硫酸盐还原菌菌种及碳源,进行硫化反应,得到溶液B;(3)调节溶液B至酸性,保温反应生成沉淀,滤除沉淀,完成钨、钼分离除杂。本发明利用生物转化技术与化学沉淀相结合,先利用硫酸盐还原菌将硫酸根离子还原成硫离子,硫离子再与钨酸盐溶液中的钼酸根离子硫代化反应,形成硫代钼酸盐,硫化过程完全后,调节pH,使MoS<base:Sub>4</base:Sub><base:Sup>2?<