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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102320608A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102320608A(43)申请公布日2012.01.18(21)申请号201110197481.6(22)申请日2011.07.14(71)申请人西安华晶电子技术股份有限公司地址710077陕西省西安市高新区锦业二路91号(72)发明人周建华(74)专利代理机构西安创知专利事务所61213代理人谭文琰(51)Int.Cl.C01B33/037(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称一种硅料提纯生产用晶体破碎装置及其破碎方法(57)摘要本发明公开了一种硅料提纯生产用晶体破碎装置及其破碎方法,其破碎装置包括水爆池、将处于高温状态的硅棒移至水爆池周侧并倒进水爆池内的水爆车和接至水爆池内的冲洗管道,水爆池由不锈钢材料制成且其底部设置有漏水口;硅棒为采用单晶炉拉制的圆柱形硅棒;水爆车包括接晶体筒、行走机构和提拉机构,接晶体筒为上部开口且由不锈钢材料制成的圆柱筒;其破碎方法包括步骤:一、移车至取晶位置;二、移晶至副炉室;三、持续充氩气直至副室门被内部气压冲开;四、取晶;五、移车至水爆池周侧及倒硅棒至水爆池内;六、水爆破碎。本发明设计合理、使用操作简便、投入成本低且使用效果好,具有节能环保、提高硅材料提纯生产效率、降低生产成本等特点。CN102368ACCNN110232060802320612A权利要求书1/2页1.一种硅料提纯生产用晶体破碎装置,其特征在于:包括水爆池(1)、将处于高温状态的硅棒(2)移至水爆池(1)周侧并倒进水爆池(1)内的水爆车(3)和接至水爆池(1)内的冲洗管道(4),所述冲洗管道(4)与供水装置相接且其上安装有冲洗控制阀(5);所述水爆池(1)为由不锈钢材料制成且上部开口的水池,且所述水池底部设置有漏水口(5),所述漏水口(5)与位于所述水池下方的排水管道(7)相接,所述排水管道(7)上安装有排水阀门(6);所述硅棒(2)为采用单晶炉且按常规直拉法拉制成型的圆柱形硅棒;所述水爆车(3)包括用于盛装硅棒(2)的接晶体筒(3-1)、水平安装在接晶体筒(3-1)底部的行走机构和对晶体筒(3-1)进行提拉的提拉机构,所述接晶体筒(3-1)为上部开口且内部仅能容纳一根硅棒(2)的圆柱筒,所述圆柱筒由不锈钢材料加工而成且其内径不小于所盛装硅棒(2)的外径,所述圆柱筒呈竖直向布设且其内腔高度不低于硅棒(2)的长度。2.按照权利要求1所述的一种硅料提纯生产用晶体破碎装置,其特征在于:所述水爆池(1)与对硅棒(2)进行拉制成型的所述单晶炉之间设置有供水爆车(3)来回移动的移动通道,且水爆池(1)与所述单晶炉之间的距离不大于50m。3.按照权利要求1或2所述的一种硅料提纯生产用晶体破碎装置,其特征在于:所述接晶体筒(3-1)的中心轴线与其内部所盛装硅棒(2)的中心轴线呈平行布设;且所述圆柱筒的内径不大于2D,其中D为硅棒(2)的直径。4.按照权利要求1或2所述的一种硅料提纯生产用晶体破碎装置,其特征在于:还包括固定在接晶体筒(3-1)外侧壁上且供人手推动的推动扶手(3-7)。5.一种利用如权利要求1所述晶体破碎装置对硅棒进行破碎的硅料提纯生产用晶体破碎方法,其特征在于该方法包括以下步骤:步骤一、移车至取晶位置:采用单晶炉并按常规直拉法完成硅棒(2)的拉制过程,且停炉30min±5min后,将水爆车(3)移至取晶位置;所述取晶位置为将所述单晶炉的副炉室旋转至能取出硅棒(2)时,硅棒(2)正下方的位置;步骤二、移晶至副炉室:通过所述单晶炉的籽晶旋转提拉机构,将硅棒(2)提升至所述单晶炉的副炉室内;此时,所述硅棒(2)悬吊在籽晶夹头的正下方,所述籽晶夹头固定在重锤下方且所述重锤通过拉绳与所述籽晶旋转提拉机构相接;步骤三、持续充氩气直至副室门被内部气压冲开:关闭所述单晶炉的主炉室与所述副炉室之间的翻板阀,使得所述主炉室与所述副炉室相隔离;同时,通过所述单晶炉的氩气供给装置持续向所述副炉室内充氩气,直至所述副炉室内部气压将所述副炉室的副室门冲开;步骤四、取晶:按照单晶炉的常规取晶方法,先将所述副炉室旋转至能取出硅棒(2)为止,此时硅棒(2)与处于取晶位置的水爆车(3)的接晶体筒(3-1)正对;之后,通过控制所述籽晶旋转提拉机构将硅棒(2)逐渐下放至接晶体筒(3-1)内,且当硅棒(2)下放入接晶体筒(3-1)内后,将硅棒(2)与所述籽晶夹头之间的连接部分剪断;步骤五、移车至水爆池周侧及倒硅棒至水爆池内:人工推动水爆车(3)并将其移至水爆池(1)周侧后,通过所述提拉机构将晶体筒(3-1)连同硅棒(2)与所述行走机构一起提起,并将硅棒(2)倾倒进水爆池(1)内;步骤六、水爆破碎:开启所述排水阀门(6)和冲洗控制阀(5