一种用于太阳电池制造的吸杂工艺方法.pdf
书生****瑞梦
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一种用于太阳电池制造的吸杂工艺方法.pdf
本发明公开了一种用于太阳电池制造的吸杂工艺方法,包括以下步骤:(1)高浓度磷扩散:由N2携带高浓度的POCL3进入扩散炉管,在硅片正表面沉积一层浓磷扩散层;(2)去除浓磷扩散层:将沉积浓磷扩散层的硅片重新酸洗制绒,去除硅片正表面的浓磷扩散层;(3)制绒:重新制绒,形成新的绒面。(4)测试制绒后硅片的电阻率。本发明工艺采用浓磷扩散的方式,在POCL3气氛下热处理,在硅片内部形成高磷层,经过处理后的金属杂质会聚集在磷重扩的地方,通过酸洗工艺出除,从而达到吸杂的作用。
一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺.pdf
本发明公开了一种用于制造太阳电池的硅片磷扩散吸杂工艺,包括以下步骤:将磷源涂布在硅片表面或者由载气携带POCl3进入扩散炉管,在保护气氛围下,将硅片置于800~1050℃下保温10~60分钟,接着将硅片置于500~800℃下保温20~60分钟,冷却后除去磷硅玻璃层。本发明工艺采用变温吸杂的方式,结合高温易将杂质溶解释放、在较低温度易使其有效地被吸杂层捕获的优点,能有效地降低硅基体中金属杂质的含量,提高太阳电池的光转化效率。
一种铝吸杂方法和铝吸杂设备.pdf
本发明实施例中提供了一种铝吸杂方法和铝吸杂设备,所述方法包括利用丝网印刷在所述硅片的至少一个表面上形成铝浆;以及对形成有所述铝浆的所述硅片进行链式退火,其中所述链式退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段,其中所述升温阶段将所述硅片的温度升高至铝硅共晶温度以上,所述恒温阶段的温度高于所述铝硅共晶温度,并且所述降温阶段将所述硅片的温度降低到所述铝硅共晶温度以下。本发明的处理方案使用丝网印刷叠加链式退火炉技术进行铝吸杂。丝网印刷技术成熟稳定,可以使用成本低廉的铝浆,大幅降低了铝浆的生产成本。链式退火炉可以快速实现
透光太阳电池制造工艺.pdf
本发明公开了一种透光太阳电池制造工艺,包括以下步骤:功能层形成步骤,在玻璃基板上依次设置透明前接触导电膜及功能性膜层;透光区形成步骤,在功能性膜层上设置带有正向图案的金属镀膜层,刻蚀不被金属镀膜层覆盖的功能性膜层,可形成透光区域,达到透光的效果,且制作成本低,实现透光的同时保留Frontcontact:TCOs,FTO导电膜,保证了实现透光后子电池的相互连通,保持较高的导电性能。
一种硅太阳电池栅极制造方法.pdf
本发明提供一种硅太阳电池栅极制造方法。现有技术未去除电镀沟槽中的氧化层和残留的电镀掩膜层,易导致镀的籽晶金属层与硅的接触面积小而使电镀栅极易剥离且电阻较大;并在烧结形成籽晶硅合金层后直接电镀电极金属层导致籽晶与硅界面间留有应力而使电镀栅极易剥离。本发明的硅太阳电池栅极制造方法先提供正面沉积有电镀掩膜层的待镀硅太阳电池,接着形成穿透电镀掩膜层的电镀沟槽,然后刻蚀去除电镀沟槽中的氧化硅和残留的电镀掩膜层,之后在电镀沟槽中沉积籽晶金属层并烧结形成籽晶硅合金层,接着腐蚀或退镀去除籽晶金属层并电镀籽晶和电极金属层。