一种铝吸杂方法和铝吸杂设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113206169A(43)申请公布日2021.08.03(21)申请号202110415403.2(22)申请日2021.04.18(71)申请人安徽华晟新能源科技有限公司地址242074安徽省宣城市宣城经济技术开发区青弋江大道宣城科技园B19-1幢(72)发明人王文静徐晓华龚道仁张良周肃(74)专利代理机构北京清大紫荆知识产权代理有限公司11718代理人彭一波张奕轩(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)B41M1/12(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称一种铝吸杂方法和铝吸杂设备(57)摘要本发明实施例中提供了一种铝吸杂方法和铝吸杂设备，所述方法包括利用丝网印刷在所述硅片的至少一个表面上形成铝浆；以及对形成有所述铝浆的所述硅片进行链式退火，其中所述链式退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段，其中所述升温阶段将所述硅片的温度升高至铝硅共晶温度以上，所述恒温阶段的温度高于所述铝硅共晶温度，并且所述降温阶段将所述硅片的温度降低到所述铝硅共晶温度以下。本发明的处理方案使用丝网印刷叠加链式退火炉技术进行铝吸杂。丝网印刷技术成熟稳定，可以使用成本低廉的铝浆，大幅降低了铝浆的生产成本。链式退火炉可以快速实现铝浆的烘干和掺杂，并能快速实现退火，工艺时间更加短，吸杂效果明显，便于进行规模化量产。CN113206169ACN113206169A权利要求书1/2页1.一种铝吸杂方法，所述铝吸杂方法应用于硅片的吸杂，其特征在于，所述方法包括：利用丝网印刷在所述硅片的至少一个表面上形成铝浆；以及，对形成有所述铝浆的所述硅片进行链式退火，其中所述链式退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段，其中所述升温阶段将所述硅片的温度升高至铝硅共晶温度以上，所述恒温阶段的温度高于所述铝硅共晶温度，并且所述降温阶段将所述硅片的温度降低到所述铝硅共晶温度以下。2.根据权利要求1所述的铝吸杂方法，其特征在于，所述升温阶段的峰值温度范围为600℃‑750℃，时间范围为2min‑6min；所述恒温阶段的温度范围为600℃‑750℃，时间范围为2min‑10min；所述降温阶段的时间范围为1min‑3min。3.根据权利要求1所述的铝吸杂方法，其特征在于，所述升温阶段包括第一升温阶段和第二升温阶段，所述第一升温阶段的峰值温度范围为280℃‑320℃，所述第二升温阶段将所述硅片的温度升高至所述铝硅共晶温度以上。4.根据权利要求3所述的铝吸杂方法，其特征在于，在所述降温阶段之后还包括补充降温阶段，所述补充降温阶段将所述硅片的温度降低至100℃以下，所述补充降温阶段的降温速率小于所述降温阶段的降温速率。5.根据权利要求4所述的铝吸杂方法，其特征在于，所述第一升温阶段的时间范围为1min‑3min，所述第二升温阶段的时间范围为1min‑3min，所述恒温阶段的时间范围为2min‑10min，所述降温阶段的时间范围为1min‑3min，并且所述补充降温阶段的时间范围为2min‑6min。6.根据权利要求5所述的铝吸杂方法，其特征在于，所述第一升温阶段的时间范围为1.86min‑2.14min，所述第二升温阶段的时间范围为1.86min‑2.14min，所述恒温阶段的时间范围为3.71min‑4.29min，所述降温阶段的时间范围为1.86min‑2.14min，并且所述补充降温阶段的时间范围为3.71min‑4.29min。7.根据权利要求1‑6任一项所述的铝吸杂方法，其特征在于，使用铝背场网版在所述硅片的至少一个表面上形成铝浆，并且所述铝浆的厚度范围为1μm‑10μm。8.根据权利要求1‑6任一项所述的铝吸杂方法，其特征在于，在利用丝网印刷在所述硅片的至少一个表面上形成铝浆的步骤之前，所述方法还包括：采用质量比为2％‑12％的KOH溶液，在将温度范围控制在70℃‑90℃的情况下，对所述硅片的单面进行腐蚀，腐蚀深度大于1.5μm；以及，采用质量比为2％‑10％的HF/HCl混合溶液进行中和金属离子络合。9.根据权利要求1‑6任一项所述的铝吸杂方法，其特征在于，在对形成有所述铝浆的所述硅片进行链式退火的步骤之后，所述方法还包括：采用质量比为2％‑10％的磷酸溶液，去除所述硅片表面的铝合金吸杂层；采用质量比为2％‑12％的溶液KOH溶液，温度范围控制在70℃‑90℃，对所述硅片的单面进行腐蚀，腐蚀厚度大于2μm；以及，采用质量比为2％‑10％的HF/HCl混合溶液，对所述硅片进行清洗。10.一种铝吸杂设备，所述铝吸杂设备应用于硅片的吸杂，其特征在于，所述设备包括：丝网印刷设备，所述丝网印刷设备利用丝网印刷在所述硅片的至少一个表面上形成铝2CN113206169A权利要