烧成用承烧器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102384654102384654B(45)授权公告日2014.08.27(21)申请号201110229913.7CN101713616A,2010.05.26,说明书第0007-0013段.(22)申请日2011.08.09CN1796336A,2006.07.05,全文.(30)优先权数据CN86100202A,1986.08.27,全文.2010-1800132010.08.11JPJP2758313B2,1998.05.28,全文.(73)专利权人日本碍子株式会社JP2002316877A,2002.10.31,全文.地址日本爱知县审查员姚海涛专利权人NGK阿德列克株式会社(72)发明人古宫山常夫堀田启之渡边圣一(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人金鲜英刘强(51)Int.Cl.F27D5/00(2006.01)C04B35/565(2006.01)C04B35/185(2006.01)C04B35/48(2006.01)(56)对比文件CN101644540A,2010.02.10,说明书第0024-0077段以及附图1.CN1081760A,1994.02.09,说明书倒数第2-8行.权权利要求书1页利要求书1页说明书7页说明书7页附图1页附图1页(54)发明名称烧成用承烧器(57)摘要本发明提供一种除了具有耐热性、机械强度以外，还具有不与进行烧成的陶瓷电子部件反应的特性，并且进而能量效率、炉效率优异的承烧器。该承烧器具有基材和位于其上层的表面涂布层，该基材含有70～99质量％的SiC、1～30质量％的Si。CN102384654BCN10238465BCN102384654B权利要求书1/1页1.一种小型电子部件烧成用承烧器，其特征在于，具有基材和位于其上层的表面涂布层，该基材含有70～99质量％的SiC、1～30质量％的Si，该基材的基于算术平均的表面粗糙度为Ra＝0.1～30μm，弹性模量为200～400GPa，4点弯曲强度为100～400MPa，室温下的热导率为150～240W/m·k，气孔率为1％以下。2.根据权利要求1所述的小型电子部件烧成用承烧器，其特征在于，以SiC和Si的合计含量为100质量％，该基材进一步含有Al、Fe和Ca作为微量成分，该Al的含量为0.01～0.2质量％，Fe的含量为0.01～0.2质量％，Ca的含量为0.01～0.2质量％。3.根据权利要求1或2所述的小型电子部件烧成用承烧器，其特征在于，具有粘接该表面涂布层和基材的中间结合层，该中间结合层为通过喷涂法层叠在基材的表面的喷射涂布层，该中间结合层含有以莫来石为主成分的骨材颗粒，作为化学组成，含有70～85质量％的Al2O3、15～30质量％的SiO2，以该Al2O3和SiO2的合计含量为100质量％，进一步含有MgO、Fe2O3、Na2O、B2O3作为微量成分，MgO的含量为0.5～3质量％，Fe2O3的含量为0.01～0.1质量％，Na2O的含量为0.05～0.5质量％，B2O3的含量为0.001～0.01质量％。4.根据权利要求3所述的小型电子部件烧成用承烧器，其特征在于，该骨材颗粒的平均粒径为5～50μm。5.根据权利要求4所述的小型电子部件烧成用承烧器，其特征在于，该中间结合层的气孔率为20～60％。6.根据权利要求1或2所述的小型电子部件烧成用承烧器，其特征在于，该表面涂布层是由层叠选自经氧化钙即CaO或三氧化二钇即Y2O3稳定化的稳定化氧化锆、BaZrO3和CaZrO3中的至少一种构成的氧化锆化合物而形成的，具有50～500μm的膜厚。7.一种小型电子部件烧成用承烧器的制造方法，其特征在于，其为权利要求3所述的小型电子部件烧成用承烧器的制造方法，使用在中间结合层的骨材原料中添加二氧化硅原料而成的混合原料的浆料，通过喷涂法在基材的表面层叠中间结合层后，在该二氧化硅原料通过加热而变成玻璃质的温度下进行烧接，将中间结合层和基材粘接，进而，通过喷镀或喷涂法在该中间结合层的表面层叠表面涂布层。2CN102384654B说明书1/7页烧成用承烧器技术领域[0001]本发明涉及特别适合于陶瓷电容器等小型电子部件的烧成的烧成用承烧器(セツタ一)。背景技术[0002]对于在陶瓷电容器等小型电子部件的热处理中使用的承烧器而言，除了要求具有耐热性、机械强度以外，还要求具有不与进行烧成的陶瓷电子部件反应的特性。一直以来，作为具有这样特性的承烧器，公开了在氧化铝·二氧化硅系基材的表面形成由氧化铝构成的中间层、进而在其表面被覆氧化锆作为涂布层的技术(专利文献1)。[0003]近年来，随着陶瓷电容器等电子部件的进