一种钴铱水合氧化物，钴铱水合氧化物薄膜，以及薄膜制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102522139102522139B(45)授权公告日2014.12.10(21)申请号201110336910.3BehaviorofIrO2-BasedElectrode.《JournalofTheElectrochemicalSociety》.2001,第148(22)申请日2011.10.28卷(第9期),A1015-A1022.(73)专利权人泉州师范学院审查员刘天飞地址362000福建省泉州市丰泽区东海滨城(72)发明人吴允苗(74)专利代理机构泉州市文华专利代理有限公司35205代理人戴中生(51)Int.Cl.H01B1/08(2006.01)H01B13/00(2006.01)H01G11/46(2013.01)(56)对比文件A.A.F.Grupioni等.EffectoftheCo3O4IntroductioninthePseudocapacitive权利要求书1页权利要求书1页说明书5页说明书5页(54)发明名称一种钴铱水合氧化物，钴铱水合氧化物薄膜，以及薄膜制备方法(57)摘要本发明公开了一种钴铱水合氧化物，由水合氧化铱和水合氧化钴组成，表示为：(Co3O4+IrO2)·xH2O，其中x为0.3～2；所述钴铱水合氧化物中Co∶Ir摩尔比为20～80∶80～20，其制备步骤如下：1)将结晶氯化钴、氯铱酸溶解到体积比为2∶1的乙醇-异丙醇混合溶剂中，制得钴铱氯化物前躯体溶液；2)将钴铱氯化物前躯体溶液盛放至搪瓷坩埚内，另外用搪瓷坩埚盛放一杯清水，将两坩埚置于箱式炉中，关闭炉门后保温1至2小时，温度设定在300～400℃，然后随炉冷却，得到钴铱水合氧化物材料。采用水合结构钴铱氧化物制备的薄膜材料是制备超级电容器的理想材料，其制备方法简单，可作为工业化生产技术使用。CN102522139BCN102539BCN102522139B权利要求书1/1页1.一种制备钴铱水合氧化物薄膜的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：1)将结晶氯化钴、氯铱酸溶解到体积比为2:1的乙醇-异丙醇混合溶剂中，制得钴铱氯化物前躯体溶液；2)将钴铱氯化物前躯体溶液盛放至搪瓷坩埚内，另外用搪瓷坩埚盛放一杯清水，将两坩埚一并置于箱式炉中，关闭炉门后保温1至2小时，保温温度设定在300～400℃，然后随炉冷却，即得到钴铱水合氧化物材料；所述钴铱水合氧化物由水合氧化铱和水合氧化钴组成，表示为：(Co3O4+IrO2)·xH2O，其中x为0.3～2；所述钴铱水合氧化物中Co∶Ir摩尔比为20～80∶80～20；3)将步骤2)制得的钴铱水合氧化物材料与导电剂、胶黏剂按重量比例为95～90∶5～10∶5～15进行混合均匀，调制成糊状物；4)将糊状物均匀地涂在导电基体表面，然后用粉末压片机压制成极片后在200～280℃温度下热处理30-60分钟，目的是使得胶黏剂被氧化分解，从而制得钴铱水合氧化物与导电剂构成的钴铱水合氧化物薄膜材料；所述钴铱水合氧化物薄膜由钴铱水合氧化物和导电剂构成，其中导电剂占钴铱水合氧化物薄膜总质量的5～10％；所述步骤3)中导电剂为炭黑、碳纤维、碳微球中的至少一种；所述步骤3)中胶黏剂采用聚四氟乙烯乳液；所述步骤4)中的导电基体为钛、钽、镍、铝中的任意一种。2CN102522139B说明书1/5页一种钴铱水合氧化物，钴铱水合氧化物薄膜，以及薄膜制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种钴铱水合氧化物，钴铱水合氧化物薄膜，以及薄膜制备方法。背景技术[0002]1957年Beeker发现采用高比表面的碳材料可制备出一种具有高的比电容、比功率和大电流充放电性能的新型电容器。这种电容器的储能机理为在电极和电解液界面存储电荷，形成双电层电量存储，被人们称之为“双电层电容器”或“超级电容器”。随后，B.E.Conway发现部分过渡金属氧化物具有类似电容的充放电特征，人们开始对金属氧化物材料给予高度的重视，逐渐提出了各可用于制备超级电容器电极材料的候选氧化物材料，其中以水合结构的氧化钌和氧化铱以及它们的复合材料表现最为突出。目前，制备水合氧化物的方法包括：电化学沉积法、溶胶凝胶法、化学沉淀法和水热法。电化学沉积法是通过电镀的方式在基体表面制备具有水合结构的氧化物薄膜材料，这种方法具有操作简单的优点，但电沉积过程要求大量的电解液，且电解液中的金属离子不能充分利用，存在原材料浪费严重的缺点；溶胶凝胶法、化学沉淀法、水热法等能制备水合结构的氧化物粉体材料，但这些制备方法对工艺条件要求较为苛刻，轻微的条件变化可能导致产物的结构发生很大的变化，及重复性差。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种钴铱水合氧化物，钴铱水合氧化物薄膜材料，以及薄膜材料制备方法