

一种单晶炉及单晶炉的拉晶温度控制方法.pdf
Ch****91
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相关资料
一种单晶炉及单晶炉的拉晶温度控制方法.pdf
本发明实施例提供了一种单晶炉及单晶炉的拉晶温度控制方法,所述单晶炉包括炉体和传热组件,炉体用于单晶硅棒的生长;沿所述炉体的轴线方向,所述传热组件设置在所述炉体内,所述传热组件包括传热件;所述传热件用于与所述单晶硅棒接触,并传导所述单晶硅棒的热量。本实施例的单晶炉可快速降低单晶硅棒温度,使得拉晶速度可以进一步提高,并且单晶硅棒四周不会产生碰撞风险,因此,这种单晶炉能够兼具较高拉晶速度和较高拉晶质量。
单晶硅拉晶控制方法及装置、单晶硅拉晶炉.pdf
本发明提供了一种单晶硅拉晶控制方法及装置、单晶硅拉晶炉,属于半导体技术领域。单晶硅拉晶控制装置包括:电源模块,电源模块的一端与坩埚轴连接,另一端与籽晶提拉结构连接,用于提供电信号以在籽晶提拉结构固定的晶体与石英坩埚内的硅溶液接触时,在坩埚轴、石英坩埚、石墨坩埚、硅溶液、晶体和籽晶提拉结构之间形成电流回路;测量模块,用于实时测量电流回路中的实际电流值;控制模块,用于根据晶体尾部的目标直径确定目标电流值,将实际电流值与目标电流值比较,根据比较结果控制籽晶提拉结构的晶体提拉速度和/或加热器的功率。本发明能够对单
一种拉晶方法及单晶炉.pdf
本发明实施例提供了一种拉晶方法及单晶炉,涉及单晶炉拉晶技术领域,单晶硅棒包括籽晶和通过籽晶引出的等径部,等径部靠近籽晶的一端沿自身径向延伸形成凸出部,凸出部的直径大于等径部的直径,拉晶方法包括:控制第一限位件和第二限位件处于第一相对位置,其中,第一相对位置表示第一限位件和第二限位件之间的距离大于凸出部直径时所处的位置;获取单晶硅棒的状态参数;在状态参数满足预设条件时,控制第一限位件和第二限位件处于第二相对位置,其中,第二相对位置表示第一限位件和所述第二限位件之间的距离小于凸出部直径,且大于等径部直径时所处
一种单晶炉拉晶控制的方法及装置.pdf
本申请公开了一种单晶炉拉晶控制方法及装置,可以应用于晶体生长技术领域。该方法中,根据等径长度计算晶棒的预估长度;判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度;若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差大于保护长度,则,控制单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作;若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度,则,控制单晶炉执行收尾操作。如此,通过判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度,保证制备合理长度的晶棒,使得晶棒提升
一种单晶拉晶炉.pdf
本申请公开了一种单晶拉晶炉,所述拉晶炉的炉盖上开设至少两个用于容纳提升杆的通孔,所述提升杆的上部与提升驱动部件连接,下部与用于承载保温桶的提升装置连接,所述提升驱动部件用于驱动所述提升杆带动所述提升装置上移使所述保温桶离开炉体主室,以使所述炉体主室内的配件与炉壁进行直接的热交换。本申请提供的上述单晶拉晶炉,能够将保温桶与热场内部配件脱离,使内部配件与炉台内壁直接进行换热,从而大幅度提升冷却能力,缩短拉晶炉的冷却时间。