用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置.pdf
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用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置.pdf
本发明公开了一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。通过使用挡料球作为多晶硅的隔离装置,使用导料管作为注入多晶硅的通过闸板阀或翻板阀的导料装置,使用闸板阀或翻板阀作为隔离直拉硅单晶炉真空的装置,这些装置的尺度远大于块状多晶硅的粒度,使本发明的一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置能够向直拉硅单晶炉内加注粒度小于50mm的块状多晶硅和粒度小于5mm的颗粒多晶硅,解决了现有的多晶硅加料仓只能向直拉硅单晶炉内加注粒度小于5mm的颗粒多晶硅,不能加注块状多晶硅的难题。
用于直拉硅单晶炉的热屏装置.pdf
本发明涉及一种用于直拉硅单晶炉的热屏装置,包括外筒、隔热层和内筒,还包括热反射层、隔热垫I、隔热垫II,热反射层置于外筒与隔热层之间;隔热层置于热反射层与内筒之间;隔热垫I设置在热屏装置上端的外筒和内筒之间,隔热垫I的一端与隔热层相接紧配合,隔热垫II设置在热屏装置底端的外筒和内筒之间,隔热垫II的一端与隔热层相接紧配合。本发明的特点是:有效防止钼片热反射层反射的热辐射对晶体的作用,更大程度加大了晶体的散热,提高了晶体生长速度。实现了对熔硅更强的保温,进一步降低了开炉功耗,节省了生产成本。成本低廉、容易实
直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法.pdf
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直拉硅单晶炉.pdf
本发明涉及单晶硅生产技术领域,提供直拉硅单晶炉,包括:炉体;坩埚,位于所述炉体内部;籽晶杆,位于炉体内部,籽晶杆沿着自身轴向相对坩埚可升降,且在转动状态籽晶杆以设定转速差相对坩埚沿着同一方向转动。本发明的拉硅单晶炉,由于坩埚与籽晶杆朝着同一方向转动,进而可以在坩埚和籽晶杆均具有高转速的情况下,将坩埚与籽晶杆的转速差控制在合理的范围内,保证拉晶更高效和更高质量的完成。其中,转速差可以视具体情况而定,一般转速差过大或者过小都不利于拉晶的质量和效率。其中,坩埚具有高转速的情况下,熔融硅内部可以产生较大的离心力,
一种直拉单晶炉加料装置.pdf
本发明公开一种直拉单晶炉加料装置,包括加料筒,所述加料筒上设有加料口、出料口,所述加料筒内设有控制杆,所述控制杆顶端设有手柄,控制杆上设有调节阀,控制杆底部设有锥形阀。优选的,所述出料口与锥形阀的尺寸相吻合。优选的,所述调节阀设有调节螺栓。优选的,所述调节螺栓个数为4。