一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109920728A(43)申请公布日2019.06.21(21)申请号201910222978.5(22)申请日2019.03.22(71)申请人英利能源（中国）有限公司地址071051河北省保定市高新区朝阳北大街3399号(72)发明人马红娜李锋史金超张伟李桐张文辉李拯宇(74)专利代理机构石家庄国为知识产权事务所13120代理人秦敏华(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/223(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法(57)摘要本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。所述硼扩散方法包括以下步骤：将硼扩散前硅片预氧化处理，以在硅片表面形成氧化层保护层；将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内进行硼沉积。本发明提供的硼扩散方法，能有效去除硅片背表面的水印，提升电池的成品合格率和转换效率，转换率约提升0.1％，合格率约提升12％。CN109920728ACN109920728A权利要求书1/1页1.一种N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硼扩散前硅片预氧化处理，以在硅片表面形成氧化层保护层；(2)将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内进行硼沉积。2.如权利要求1所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于：所述预氧化处理采用硝酸或臭氧进行氧化。3.如权利要求2所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述预氧化处理的方法为：将硼扩散前硅片浸入到体积浓度为10％-50％的硝酸中，氧化处理20s-200s。4.如权利要求2所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述预氧化处理的方法为：将硼扩散前硅片放置在臭氧环境中，氧化处理5-20s，臭氧气体流量为10-50L/min。5.如权利要求1所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于：所述硼沉积的方法为：将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内，升温至预定沉积温度，先进行氧化处理，再通入含有硼源的反应气体进行沉积，沉积温度为900-980℃，沉积时间为5-35min。6.如权利要求5所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于：所述氧化处理为：通入氧气，流量为1slm-10slm，氧化1-3min，所述含有硼源的反应气体中，硼源为三溴化硼，其流量为200-1500sccm，载气为氧气，流量为100sccm-800sccm。7.如权利要求1所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，还包括步骤(3)：将硼沉积后的硅片在氮气中进行推进扩散，所述氮气的气体流量为5～10slm，扩散时间为10min-45min。8.如权利要求7所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，还包括步骤(4)：将步骤(3)处理后的硅片降温至待机温度，所述待机温度为750-850℃。9.一种N型晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：包括权利要求1至8中任一项所述的硼扩散方法。10.一种N型晶体硅太阳能电池，其特征在于，采用权利要求9所述的制作方法制作而成。2CN109920728A说明书1/4页一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。背景技术[0002]目前，太阳能行业对太阳能组件的要求越来越高。对于N型单晶双面电池来说，优势之一就是能够制作双面发电组件，其中，正面硼扩散是较为关键的一步。现有技术中，硼扩散主要采用的是背靠背的扩散方法，即背表面不进行硼掺杂。[0003]然而，在背靠背的扩散过程中，已经做完背场扩散的硅片在进行背靠背硼扩散时，因为硅片彼此之间有空隙，气体会从空隙进入到硅片背面边缘，从而导致背面边缘也有气体的沉积，造成背场的不均匀，会严重影响电池转换效率，体现到外观上，就是成品电池背面水印的产生。发明内容[0004]针对现有扩散方法容易造成背场不均匀，产生水印，影响电池转换效率等问题，本发明提供一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。[0005]为达到上述发明目的，本发明实施例采用了如下的技术方案：[0006]一种N型晶体硅片的硼扩散方法，包括以下步骤：[0007](1)将硼扩散前硅片预氧化处理，以在硅片表面形成氧化层保护层；[0008](2)将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内进行硼沉积。[0009]进一步地，所述预氧化处理采用硝酸或臭氧进行氧化，在硅片背表面形成一层保护膜，从而避免在后续的硼扩散过程中，使硼绕扩到硅片背表面，影响背表面的磷的分布及成品电池外观。[0010