单壁碳纳米管的制备方法.pdf
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单壁碳纳米管的制备方法.pdf
本发明提供一种单壁碳纳米管的制备方法,该方法包括:获取钴-铜二元催化体系,将钴-铜二元催化体系置于真空管式炉中,通入碳源气体,在一定反应温度和反应时间条件下生长出单壁碳纳米管。通过本方法可以合成出不同直径分布的单壁碳纳米管体系,从而满足不同领域的需要。另外,本方法中不仅所使用的其他各种原料在工业原材料销售市场中极易获得,而且整个工艺过程简便快速、稳定可靠、重复性好,因此这种方法适合于大规模批量化生产,合成出高纯度、不同直径的单壁碳纳米管。
一种单壁碳纳米管的制备方法.pdf
本发明属于碳纳米管技术领域,具体涉及一种单壁碳纳米管的制备方法,其包括将纳米镁铝水滑石、活性金属盐、助剂金属盐、有机物和溶剂混合均匀后,采用溶剂热反应法制备含金属的层状载体化合物;将含金属的层状载体化合物经分离、洗涤、干燥后,在惰性气体中碳化获得催化剂;加热反应炉至850‑950℃,引入所述催化剂,通入含有碳源的反应气和还原气体的混合气,充分反应后,停止反应并继续在保护气氛下冷却,得到单壁碳纳米管。本发明的制备方法可减少活性金属颗粒发生聚并的情况,实现高倍率单壁碳纳米管的制备。
单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法.pdf
本发明公开一种单壁碳纳米管水平阵列的制备方法,包括:S1,在单晶基底上加载催化剂前驱体,预氧化处理后得到适合生长碳纳米管的单晶基底,并放置于气相沉积设备中;S2,向所述化学气相沉积设备中通入惰性气体及氢气形成保护氛围;及S3,将反应物料通过喷淋方式均匀地喷出,其中喷淋方向垂直于所述单晶基底的生长表面。本发明的制备方法通过喷淋方式垂直喷射将反应物料引入气相沉积设备,从而形成相对均一稳定的气流并均匀作用到反应基底表面,有助于提高碳纳米管阵列的均匀性,因而制备的单壁碳纳米管水平阵列结晶性优异,水平阵列面积可达3
单壁碳纳米管的制备与纯化.pptx
汇报人:/目录0102碳纳米管概述单壁碳纳米管的特点制备与纯化的重要性03电弧放电法原理:利用激光能量使材料蒸发,产生碳纳米管设备:激光器、蒸发室、冷却系统等步骤:将材料放入蒸发室,用激光照射,蒸发后收集碳纳米管优点:操作简单、纯度高、产量大激光蒸发法激光蒸发法原理:利用激光能量使材料蒸发,产生碳纳米管设备:激光器、蒸发室、冷却系统等步骤:将材料放入蒸发室,用激光照射,蒸发后收集碳纳米管优点:操作简单、纯度高、产量大激光蒸发法激光蒸发法原理:利用激光能量使材料蒸发,产生碳纳米管设备:激光器、蒸发室、冷却系
一种单壁碳纳米管及其制备方法.pdf
本发明属于碳纳米管材料技术领域,具体涉及一种单壁碳纳米管及其方法。该方法将石蜡与催化剂、助催化剂充分混合,压制为反应原料,再开启等离子电弧,将电弧炉的反应腔室预热至一定温度,然后将储料罐中的反应原料输送至电弧炉内的石墨坩埚中,在电弧的作用下,催化剂和碳源同时蒸发相互作用生成单壁碳纳米管。同时向等离子电弧系统内通入载气,利用气流将反应产物带出。本发明的有益效果是:该方法选择易蒸发的石蜡作为碳源,与催化剂充分混合,从而使碳源和催化剂的蒸发更均匀、接触更充分,有利于合成高品质的单壁碳纳米管,单壁碳纳米管的I