一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103121848A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103121848103121848A(43)申请公布日2013.05.29(21)申请号201310059439.7(22)申请日2013.02.25(71)申请人潮州三环（集团）股份有限公司地址515646广东省潮州市凤塘三环工业城(72)发明人江楠(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫(51)Int.Cl.C04B35/64(2006.01)C04B35/581(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书4页说明书4页(54)发明名称一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺(57)摘要本发明提供一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺，所述工艺包括如下步骤：1）将氮化铝坯卷冲剪成一定尺寸的生坯；2）在氮化铝生坯表面敷上一层隔粘粉；3）将氮化铝生坯按次序正反面交错叠放在一起，优选5~25片叠放；4）在叠放好的氮化铝生坯上面放置重物，放入真空干燥箱内进行压平陈化处理，处理24~96小时；5）将压平陈化处理后的坯放在承烧板并放入间歇炉内进行排胶，排胶时间为80~200小时，最高排胶温度为450~700℃；6）将排胶后的产品放入烧结炉内烧结，烧结温度为1700~1900℃；7）用除尘设备除去烧结后的氮化铝基板表面的隔粘粉。本工艺能够实现氮化铝基板一次平整烧结，烧成后产品翘曲≤0.05mm/25.4mm，能够保证产品的平整度，从而节约成本和提高成品率。CN103121848ACN103284ACN103121848A权利要求书1/1页1.一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于，包括以下步骤：1）将氮化铝坯卷冲剪成一定尺寸的生坯；2）在氮化铝生坯表面敷上一层隔粘粉；3）将氮化铝生坯按次序正反面交错叠放在一起；4）在叠放好的氮化铝生坯上面放置重物，放入真空干燥箱内进行压平陈化处理；5）将压平陈化处理后的氮化铝生坯放在承烧板并放入间歇炉内进行排胶；6）将排胶后的产品放入烧结炉内烧结；7）用除尘设备除去烧结后的氮化铝基板表面的隔粘粉。2.如权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤3）中，所述的氮化铝生坯片数为5~25片。3.如权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤4）中，所述的压平陈化处理时间为24~96小时。4.如权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤5）中，所述的排胶时间为80~200小时，最高排胶温度为450℃~700℃。5.如权利要求4所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤（5）中，控制所述的排胶过后的坯体残炭量为3.5%~7%。6.如权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板烧结工艺，其特征在于：步骤6）中，所述的烧结温度为1700℃~1900℃。2CN103121848A说明书1/4页一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺技术领域[0001]本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺，尤其涉及一种大面积薄厚度的氮化铝陶瓷基板烧结工艺。背景技术[0002]氮化铝陶瓷基板，尤其是面积大而厚度薄的氮化铝基板烧结后易发生翘曲和边缘弯曲等现象，能导致金属化层或加热元件的层厚和/或形状不均匀等问题，影响了其直接使用。一般工艺需要通过修正或研磨来确保基板的平整度以满足使用要求。[0003]采用修正工艺来保证基板的平整度，也就是进行二次烧结，虽然第二次烧结温度较低，但二次烧结会致使氮化铝基板晶粒生长，导致晶粒长大，降低了产品的弯曲强度。其次，二次烧结会致使设备利用率下降，人力、能源成本上升，使本来成本就较高的氮化铝陶瓷基板成本变得更高，不利于产品的规模化生产和市场推广。[0004]现在大多数工厂采用研磨工艺来保证基板的平整度，这需要使烧结品预留出一定的研磨余量，因此增加了产品的生产和材料成本。而且目前的研磨技术并不完善，尤其是当氮化铝基板尺寸较大或基板厚度较薄时，很容易在研磨过程中产生开裂、暗裂和缺损等质量缺陷，这些缺陷的比例高达20～25%。发明内容[0005]针对上述工艺的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺，该工艺能够实现氮化铝陶瓷基板，尤其是具有大面积和薄厚度的氮化铝陶瓷基板的一次烧平，不需要进行研磨，也不需要进行二次烧结，从而降低生产成本。[0006]本发明一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺采用的技术方案，包括如下步骤：[0007]1）将氮化铝坯卷冲剪成一定尺寸的生坯；[0008]2）在氮化铝生坯表面敷上一层隔粘粉；[0009]3）将氮化铝生坯按次序正反面交错叠放在一起；[0010]4）在叠放好的氮化铝生坯上面放置重物，放入真空干燥箱内进行压平陈化处理；[0011]5）将压平陈化处理后的氮化铝生坯放在承烧板并放入间歇炉内进行排胶；[0012]6）将排胶后