一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112898028A(43)申请公布日2021.06.04(21)申请号202110194661.2B28B11/06(2006.01)(22)申请日2021.02.21B28B17/00(2006.01)(71)申请人福建华清电子材料科技有限公司地址362200福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号(72)发明人杨大胜施纯锡冯家伟(74)专利代理机构泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙)35209代理人赖开慧(51)Int.Cl.C04B35/581(2006.01)C04B35/622(2006.01)C04B35/64(2006.01)B28B1/29(2006.01)B28B3/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图5页(54)发明名称一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法(57)摘要本发明涉及陶瓷基板的制备领域，提供一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法，解决现有技术的氮化铝基板热导率低、表面不平整及生产效率不高的缺陷，包括以下制备步骤：1)准备原材料：以氮化铝粉体为主原料，以Y2O3、CaF2为烧结助剂；2)球磨；3)脱泡；4)流延；5)冲片：送入冲片机进行冲片分切；6)等静压：将分切后的坯体送入等静压机进行等静压处理，所述等静压的压力为10－14MPa，温度为80－90℃；7)电动敷粉；8)调解挡板位置；9)排胶；10)石墨炉烧结；11)研磨、激光、清洗处理。CN112898028ACN112898028A权利要求书1/2页1.一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：1)准备原材料：以氮化铝粉体为主原料，以Y2O3、CaF2为烧结助剂；2)球磨：将氮化铝粉体与烧结助剂混合，加入溶剂及分散剂后球磨23－24h，再加入粘结剂及塑化剂后再次球磨分散处理20－24h；3)脱泡：送入脱泡罐进行脱泡处理3－4h，得到浆料；4)流延：将浆料送入流延机进行流延成型，得到流延生坯；5)冲片：送入冲片机进行冲片分切；6)等静压：将分切后的坯体送入等静压机进行等静压处理，所述等静压的压力为10－14MPa，温度为80－90℃；7)电动敷粉：将片状坯体转移到一体排料机上进行电动敷粉，所述一体排料机包括框体(1)，复数个并排设置的连杆(5)、振动电机(6)，所述框体(1)的上方设有主进料管(3)，所述框体(1)的侧边设有分进料管(4)，所述框体1的侧面设有复数个进料口(7)，所述框体内沿纵向间隔设置有复数个上料承载体(2)，所述上料承载体(2)包括承载板(21)，所述承载板(21)上设有铺粉板(22)，所述承载板(21)与铺粉板(22)之间设有可带动铺粉板沿水平方向开合的挡板(23)，所述分进料管(4)的一端与主进料管(3)连接，另一端通过进料口(7)延伸至框体(1)内的各个上料承载体(2)上方，所述连杆(5)的一端与承载板(21)固定连接，另一端与振动电机(6)连接；敷粉的具体步骤为：将片状坯体转移到各个承载板(21)上，粉料通过主进料管(3)输送至各个分进料管(4)，再通过各个分进料管(4)撒播到各个铺粉板(22)上，通过打开挡板(23)使粉料从铺粉板掉落在坯体上，通过外接电源启动振动电机(6)运转，带动连杆(5)工作，使承载板(21)实现振动从而使粉料均匀分布在坯体表面；8)调解挡板位置：通过外接驱动装置使挡板下移至承载板(21)上，用于压合承载板(21)上的粉料；9)排胶：在600－620℃的温度下排胶1.8－2h；10)石墨炉烧结：将框体(1)及设置在框体(1)内的承载体(2)一体转移到石墨炉内，对坯体进行烧结；11)研磨、激光、清洗处理：将经过烧结后的氮化铝基板进行研磨、激光及清洗处理。2.根据权利要求1所述的一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述主进料管(3)设有两根，分别设置在框体(1)左右两侧的上方，所述框体(1)的左右两侧边均设有分进料管(4)。3.根据权利要求1或2所述的一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述烧结助剂的用量为氮化铝粉体重的3－5％。4.根据权利要求3所述的一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述Y2O3与CaF2的重量比为1：0.1－0.3。5.根据权利要求1所述的一种采用石墨炉烧结的氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述铺粉板(22)由可开合连接的左铺粉板(22a)和右铺粉板(22b)组成，所述挡板由可开合连接的左挡板(23a)和右挡板(23b)组成，所述左铺粉板(22a)和左挡板(23a)之间设有左连接杆，所述右铺粉板(22b))和右挡板(23b)之间设有右连接杆，所述框体(1