一种砷化镓多晶铸锭方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103184501A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103184501103184501A(43)申请公布日2013.07.03(21)申请号201110454217.6(22)申请日2011.12.30(71)申请人北京有色金属研究总院地址100088北京市东城区西直门外大街2号申请人有研光电新材料有限责任公司(72)发明人武壮文(74)专利代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司11100代理人郭佩兰(51)Int.Cl.C30B11/00(2006.01)C30B28/06(2006.01)C30B29/42(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称一种砷化镓多晶铸锭方法(57)摘要一种砷化镓多晶铸锭方法，它包括以下几个步骤：1)装料，2)升温，3)化料，4)走车，5)降温，6)出炉：待降温到100℃以下后将石英管从单晶炉中取出，在通风处打破石英管，取出多晶锭条；7)取样测试：多晶锭条取样测试，电学参数测试合格后即可投入单晶生长。该方法优点是可将合成尾料、单晶尾料以及单晶生长过程中，偶尔也有漏气或因停电引起的多晶料，重新溶化，重新凝固，获得砷化镓多晶铸锭，操作方便，降低成本。CN103184501ACN103845ACN103184501A权利要求书1/1页1.一种砷化镓多晶铸锭方法，其特征在于：它包括以下几个步骤：1)装料：砷化镓多晶料放入异形舟中，再将石英舟放入石英管中，放入按石英管剩余体积计算出的砷量，然后抽真空封管；2)升温：将上述封好的石英管装入12段水平单晶炉中，升温，高温6个区除高一区外直接升到1250℃，界面区和中温区按单晶生长温度，界面区下部温度比单晶生长低20℃，温度升到后开始化料；3)化料：在4-6小时内，通过观测窗口和炉体前后观看，确认铸锭料全部熔化后，开始降高温2-6区温度比单晶生长温度高出5℃，固液交界面区温度和中温温度同上。4)走车：温度稳定后，开始移动加热体，移动速度为20mm/h；5)降温：从窗口看到溶体已全部凝固后，断电降温；6)出炉：待降温到100℃以下后将石英管从单晶炉中取出，在通风处打破石英管，取出多晶锭条；7)取样测试：多晶锭条取样测试，电学参数测试合格后即可投入单晶生长。2.根据权利要求1所述的一种砷化镓多晶铸锭方法，其特征在于：经取样测试后，不合格产品用于回收镓。2CN103184501A说明书1/3页一种砷化镓多晶铸锭方法技术领域[0001]本发明涉及一种砷化镓多晶铸锭方法。背景技术[0002]在砷化镓单晶生长过程中，单晶尾部化学计量比会发生偏移，产生单晶尾料。在合成过程中也存在同样情况，有合成尾料。晶片加工过程中也有碎片和废料。在单晶生长过程中，偶尔也有漏气或因停电引起的多晶料，上述晶料不能直接投入单晶生长过程，需要将其重新溶化，重新凝固。电学参数(载流子浓度和迁移率)测试合格后即可投入单晶生长。以上这种将砷化镓多晶料和废料重新溶化和重新凝固的方法称之为砷化镓多晶铸锭。发明内容[0003]本发明的目的是提供一种砷化镓多晶铸锭方法，该方法可将合成尾料、单晶尾料以及单晶生长过程中，偶尔也有漏气或因停电引起的多晶料，重新溶化，重新凝固，获得砷化镓多晶铸锭，操作方便，降低成本。[0004]为达到上述发明目的，本发明采用以下技术方案：[0005]这种砷化镓多晶铸锭方法，它包括以下几个步骤：[0006]1)装料：砷化镓多晶料放入异形舟中，再将石英舟放入石英管中，放入按石英管剩余体积计算出的砷量，然后抽真空封管；[0007]2)升温：将上述封好的石英管装入12段水平单晶炉中，升温，高温6个区除高一区外直接升到1250℃，界面区和中温区按单晶生长温度，界面区下部温度比单晶生长低20℃。温度升到后开始化料。[0008]3)化料：在4-6小时内，通过观测窗口和炉体前后观看，确认铸锭料全部熔化后，开始降高温2-6区温度比单晶生长温度高出5℃。固液交界面区温度和中温温度同上。[0009]4)走车：温度稳定后，开始移动加热体(俗称走车)，移动速度为20mm/h。[0010]5)降温：从窗口看到溶体已全部凝固后，断电降温。[0011]6)出炉：待降温到100℃以下后将石英管从单晶炉中取出，在通风处打破石英管，取出多晶锭条。[0012]7)取样测试：多晶锭条取样测试，电学参数(载流子浓度和迁移率)测试合格后即可投入单晶生长。[0013]不合格产品可用于回收镓。附图说明[0014]图1：铸锭工艺流程框图[0015]图1中，输入：GaAs多晶料、石英，铸锭备料，装料-升温-化料-走车-断电降温-出炉-取样测试-按测试结果分别处置。3CN103184501A说明书2/3页具体