三氯硅烷制造装置及三氯硅烷的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103496704103496704A(43)申请公布日2014.01.08(21)申请号201310302831.X(22)申请日2009.08.03(30)优先权数据2008-2018632008.08.05JP(62)分案原申请数据200910163836.22009.08.03(71)申请人三菱麻铁里亚尔株式会社地址日本东京都(72)发明人石井敏由记驹井荣治佐藤春美(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人杨楷(51)Int.Cl.C01B33/107(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书9页说明书9页附图7页附图7页(54)发明名称三氯硅烷制造装置及三氯硅烷的制造方法(57)摘要本发明涉及三氯硅烷制造装置及其制造方法。具体而言，本发明的三氯硅烷制造装置在分解炉(2)内设有加热分解炉(2)的内部的加热装置(8)、沿分解炉(2)的上下方向将聚合物和氯化氢引导至内底部并从下端开口部(3a)供给至分解炉(2)内的原料供给管(3)、从形成于原料供给管(3)的外周面和分解炉(2)的内周面之间的反应室(13)的上部导出反应气体的气体导出管(4)，在原料供给管(3)的外周面或分解炉(2)的内周面的至少一者上一体地形成有翅片(14)，该翅片在反应室(13)内一边搅拌从原料供给管(3)的下端开口部(3a)供给的聚合物和氯化氢的混合流体一边引导其上升。CN103496704ACN1034967ACN103496704A权利要求书1/1页1.一种三氯硅烷制造装置，其将含有高沸点氯硅烷类的聚合物分解并制造三氯硅烷，其中，所述高沸点氯硅烷类在多晶硅制造工艺、三氯硅烷制造工艺或转换工艺中产生，所述三氯硅烷制造装置设有使所述聚合物和氯化氢在高温下反应并生成三氯硅烷的分解炉、加热所述分解炉的内部的加热装置、沿所述分解炉的上下方向将所述聚合物和所述氯化氢引导至内底部并使其从下端开口部供给至分解炉内的原料供给管、在所述原料供给管的外周面和所述分解炉的内周面之间形成的反应室、以及从所述反应室的上部导出反应气体的气体导出管，在所述原料供给管的外周面或所述分解炉的内周面的至少一者上一体地形成有翅片，所述翅片一边混合从所述原料供给管的下端开口部供给的所述聚合物和所述氯化氢一边引导所述聚合物和所述氯化氢上升。2.根据权利要求1所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，所述原料供给管沿所述分解炉的中心轴笔直地设置。3.根据权利要求1或2所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，在突出至所述分解炉的外侧的所述原料供给管的上部分别连接有聚合物供给系和氯化氢供给系，在原料供给管的内部，具有第2翅片的搅拌部件设置成插入状态。4.根据权利要求1～3中任一项所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，所述气体导出管设置成在所述分解炉的外侧包围所述原料供给管的周围的二重管状。5.根据权利要求1～4中任一项所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，在所述分解炉内，设有将加压气体注入所述分解炉内的加压气体注入管以及排出被所述加压气体逐出的炉内流体的炉内流体排出管。6.根据权利要求1～5中任一项所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，在所述分解炉的内底部设有多个球状的转动部件。7.一种三氯硅烷制造方法，其将含有高沸点氯硅烷类的聚合物和氯化氢导入分解炉内，通过在高温下使其反应，从而将所述聚合物分解并制造三氯硅烷，其中，所述高沸点氯硅烷类在多晶硅制造工艺、三氯硅烷制造工艺或转换工艺中产生，在所述三氯硅烷制造方法中，事先加热所述分解炉，从所述分解炉的上部供给所述聚合物和所述氯化氢，通过将所述聚合物和所述氯化氢预热，从而使所述聚合物和所述氯化氢气化并将其引导至所述分解炉的内底部，从所述内底部一边搅拌所述聚合物和所述氯化氢的混合流体一边使其在所述分解炉内上升并进行反应。2CN103496704A说明书1/9页三氯硅烷制造装置及三氯硅烷的制造方法技术领域[0001]本发明涉及分解在多晶硅制造工艺、三氯硅烷制造工艺或转换工艺中所产生的高沸点氯硅烷类含有物(以下，称为聚合物)并将其转换为三氯硅烷的制造装置。具体而言，本发明涉及分解从氯化工序分离的聚合物、或者从多晶硅的反应工序的排出气体中分离的聚合物、或者从由排出气体中的四氯化硅生成三氯硅烷的转换工序分离的聚合物并制造三氯硅烷的装置及三氯硅烷的制造方法。[0002]本申请针对在2008年8月5日申请的日本国专利申请第2008-201863号主张优先权，并在此文中引用其内容。背景技术[0003]用于半导体材料的高纯度多晶硅，例如以三氯硅烷(三氯化硅：SiHCl3：TCS)和氢为原料，主要由西门子法制造。西门子法是将三氯硅烷和氢的混合气体导入反应炉内并