晶体硅SE太阳电池片的制备方法以及晶体硅SE太阳电池片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103681942103681942A(43)申请公布日2014.03.26(21)申请号201210317479.2(22)申请日2012.08.31(71)申请人上海比亚迪有限公司地址201611上海市松江区车墩镇香泾路999号(72)发明人谭伟华(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0224(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图1页附图1页(54)发明名称晶体硅SE太阳电池片的制备方法以及晶体硅SE太阳电池片(57)摘要本发明提供了一种晶体硅SE太阳电池片的制备方法，包括以下步骤：S1、对硅片表面进行制绒、扩散、去磷硅玻璃处理，然后在硅片正面镀氮化硅减反射膜；S2、在减反射膜表面覆盖一层金属掩膜，然后采用磁控溅射法在减反射膜上沉积氧化铋；S3、在硅片背面印刷背面银导电浆料和背场铝浆料，整体入隧道炉烧结，烧结完成后退火；S4、在硅片正面进行光诱导电镀，得到所述晶体硅SE太阳电池片。本发明还提供了采用该制备方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。本发明提供的制备方法工艺简单、成本低廉、可实现大规模生产，制备得到的晶体硅SE太阳电池片，其表面电极栅线细密，遮盖面积小，电池的串联电阻小，填充因子增大，光电转化效率高，成本低廉。CN103681942ACN10368942ACN103681942A权利要求书1/1页1.一种晶体硅SE太阳电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对硅片表面进行制绒、扩散、去磷硅玻璃处理，然后在硅片正面镀氮化硅减反射膜；S2、在减反射膜表面覆盖一层金属掩膜，所述金属掩膜的镂空处形状与向光面电极栅线的形状相同；然后采用磁控溅射法在减反射膜上沉积氧化铋，溅射完成后去除金属掩膜，得到氧化铋栅线层；S3、在硅片背面印刷背面银导电浆料，烘干后印刷背场铝浆料，烘干后将硅片整体入隧道炉烧结，烧结完成后进行退火处理，得到背面形成有背面银电极和铝背场、正面形成有种子层栅线的硅片；S4、在硅片正面的种子层栅线表面进行光诱导电镀，形成向光面电极栅线，得到所述晶体硅SE太阳电池片。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述金属掩膜所采用的金属为钼。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，磁控溅射的条件包括：溅射靶为氧化铋靶，溅射压强为0.5~0.9Pa，溅射在氩气氛围中进行，且氩气流量为10~30sccm，溅射时硅片温度为200~300℃。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，氧化铋栅线层的栅线线宽为2-15μm，氧化铋栅线层的厚度为1-5μm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，烧结条件包括：过隧道炉的总时间为2-3min，烧结的峰值温度为910±10℃，峰值温度下的烧结时间为1~2s。6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，退火温度为500-560℃，退火处理时间为2-10min。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述光诱导电镀包括先在种子层栅线表面电镀防腐金属层，然后在防腐金属层表面继续电镀金属银层。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述防腐金属层所采用的金属选自镍、钯、金、铂中的任意一种；防腐金属层的厚度为1-5μm；金属银层的厚度为5-15μm。9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，光诱导电镀时采用的电解液温度为35-40℃，电镀时间为5-20min。10.一种晶体硅SE太阳电池片，其特征在于，所述晶体硅SE太阳电池片由权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到。2CN103681942A说明书1/6页晶体硅SE太阳电池片的制备方法以及晶体硅SE太阳电池片技术领域[0001]本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶体硅SE太阳电池片的制备方法以及由该制备方法制备得到的晶体硅SE太阳电池片。背景技术[0002]太阳能作为一种绿色能源，以其取之不竭、无污染、不受地域资源限制等优点越来越受到人们的重视。现有晶体硅太阳能电池一般是采用丝网印刷导电浆料在硅基材上，进行干燥和烧制制备电极和背场。晶体硅太阳电池的向光面在镀减反射膜后采用丝网印刷正面银浆，然后过隧道炉烧结后直接得到正面银电极，正面电极的制作能显著影响光的接受率，从而影响电池的短路电流及光电转换效率；电极的结构与性能研究是当前晶体硅电池研究的重点和热点。[0003]目前高效太阳电池比较普遍采用的一个工艺是选择性发射极（简称SE）电池结构，该方法指在向光面金属电极下形成重扩散，而在其他区域形成浅扩散，这样局部的重扩散则可使电极与