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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103668093103668093A(43)申请公布日2014.03.26(21)申请号201310613534.7(22)申请日2013.11.27(71)申请人昂纳信息技术(深圳)有限公司地址518118广东省深圳市坪山新区翠景路西侧35号(72)发明人宋光耀范文明檀晓兵(74)专利代理机构深圳市君盈知识产权事务所(普通合伙)44315代理人陈琳(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/24(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图5页附图5页(54)发明名称一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备及镀膜方法(57)摘要本发明涉及一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备,包括真空腔室、基片架系统和镀膜沉积系统,所述基片架系统位于所述真空腔室内部,所述基片架系统,包含多个可翻转的单根立柱;所述镀膜沉积系统,包含安装于真空腔室内壁上至少一对溅射阴极、离子源和位于基片架系统内侧的蒸发源。通过位于真空腔体的内壁上的溅射阴极对基片进行AR膜镀制,单根立柱将镀完增透膜的基片翻转到内侧通过蒸发源对基片进行AF膜的镀制,达到制作过程时间短,无需在AR制作完成后换一台镀膜机进行AF制作,提高了批量化制作时的良率以及产能的效果,且表面不易被污染。CN103668093ACN103689ACN103668093A权利要求书1/2页1.一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备,包括真空腔室、基片架系统和镀膜沉积系统,所述基片架系统位于所述真空腔室内部,其特征在于:所述基片架系统,包含多个可翻转的单根立柱;所述镀膜沉积系统,包含安装于真空腔室内壁上至少一对溅射阴极、离子源和位于基片架系统内侧的蒸发源。2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述单根立柱上设置有磁性限位块及磁性可动块。3.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述真空腔室顶部设置有带动所述单根立柱翻转的运动机构。4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于:所述运动机构包括可伸缩的翻转支柱,以及翻转块和保护头,所述翻转块和所述保护块是采用铰链单边链接。5.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述基片架系统整体呈圆桶状,所述多个单根立柱彼此平行排列构成圆桶状表面。6.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述基片架系统还包括基片架底圈及用于装卸和方便所述单根立柱转动的上下圆环。7.根据权利要求6所述的设备,其特征在于:所述设备还包括基片转动计数系统,该基片转动计数系统包括光纤探头和计数孔,所述计数孔开设于基片架底圈上。8.根据权利要求7所述的设备,其特征在于:所述光纤探头位于真空腔体底部并与基片架底圈上的计数孔相适应的位置。9.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述真空腔室还包括真空室门,该真空室门至少为两扇。10.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述离子源和所述溅射阴极均设有可移动的挡板系统,所述蒸发源设有固定机构。11.根据权利要求10所述的设备,其特征在于:所述挡板系统包括提供动力的电机、传递动力的轴、齿轮及挡板。12.根据权利要求11所述的设备,其特征在于:所述挡板上设置有挡板槽,该挡板槽与所述齿轮相啮合。13.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述设备还包括对基片及基片架进行加热的加热系统,所述加热系统位于真空腔体的内壁上。14.根据权利要求1所述的设备,其特征在于:所述基片架系统还包括一驱动其自身转动驱动装置。15.一种AR膜和AF膜的同炉镀膜方法,包括以下步骤:A、将待镀膜的基片装载到基片架上,放入上述镀膜设备;B、开启离子源,镀制AR膜;C、完成AR镀膜后,基片架上所有单个立柱进行翻转180°至基片架内侧开启蒸发源,在基片架内侧的基片上镀制AF膜。16.根据权利要求15所述的镀膜方法,其特征在于:所述基片架的转速为1.0-8.5m/min。17.根据权利要求15或16所述的镀膜方法,其特征在于:所述的基片架上设置有对基2CN103668093A权利要求书2/2页片旋转进行计数的基片转动计数系统。18.根据权利要求15所述的镀膜方法,其特征在于:所述步骤B前还包括步骤:对基片进行离子清洗,所述离子清洗前后都包括,将所述真空腔室抽至本地真空。19.根据权利要求15所述的镀膜方法,其特征在于:所述步骤B还包括步骤:完成AF镀膜后,对设备进行冷却处理,并充入氮气进行防氧化保护,冷却后对通入大气使炉内外气压一致,再打开真空室门。3CN103668093A说明书1/6页一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备及镀膜方法技术领域[0001]本发明涉及镀膜技术领域,尤其是涉及一种同炉镀制AR膜和AF膜的设备及镀膜方法。背景技术[0002]目前,消费类电子