生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置及调节方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104131350104131350A(43)申请公布日2014.11.05(21)申请号201310159444.5(22)申请日2013.05.03(71)申请人周黎地址710000陕西省西安市莲湖区青门村青门小区(72)发明人周黎(51)Int.Cl.C30B29/20(2006.01)C30B11/00(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书2页说明书2页附图1页附图1页(54)发明名称生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置及调节方法(57)摘要本发明公开了一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置及调节方法，本发明通过升降装置来控制坩埚托移动，从而改变坩埚、保温材料和加热器之间的相对位置，来提高蓝宝石单晶生长炉内的温度梯度，使生长炉内的温度梯度更适合生长大尺寸的蓝宝石晶体。解决了大尺寸蓝宝石单晶生长温度梯度不够，甚至温度梯度倒置的问题。CN104131350ACN10435ACN104131350A权利要求书1/1页1.一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，其特征在于，包括设置在炉体内的侧保温屏、设置在炉体底部的下保温屏，所述炉体底部还设置有可以上下升降的坩埚托，所述坩埚托的下端连接有一升降装置。2.根据权利要求1所述的生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场的装置，其特征在于，所述升降装置包括一段气密波纹管、设置在气密波纹管内的且与坩埚托下端连接的连接块、以及与所述连接块连接的精确定位传动系统，通过精确定位传动系统来控制连接块、坩埚托移动。3.一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场方法，其特征在于，采用如权利要求1所述的生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，通过升降装置使坩埚托向上移动3mm时，坩埚内的原料能够完全生长出高质量大尺寸的蓝宝石晶体。2CN104131350A说明书1/2页生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置及调节方法技术领域[0001]本发明涉及蓝宝石晶体生长技术领域，具体来说涉及一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置及调节方法。背景技术[0002]蓝宝石单晶具有独特而优良的物理化学性质，特别是在0.2～5.0μm波段有良好的透光性，可广泛用于红外军事装备、卫星和空间技术等领域。由于蓝宝石晶体的电介质绝缘、有恒定的介电常数等特性，使其成为应用最广泛的衬底材料之一。不仅可以用于军事工业的窗口材料，也可以用于衬底材料和发光二极管(LED)节能环保行业上，具有较好的发展前景。[0003]由于生长大尺寸的蓝宝石单晶需要合适的的温度梯度，但在生长的过程中，温度梯度是随着功率的下降而不断减小的，甚至会出现温度梯度倒置的情况。这导致了无法生长出大尺寸蓝宝石单晶。发明内容[0004]针对上述问题，本发明提供一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置及调节方法，以解决现有技术中温度梯度是随着功率的下降而不断减小的问题。[0005]为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：[0006]一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，其特征在于，包括设置在炉体内的侧保温屏、设置在炉体底部的下保温屏，所述炉体底部还设置有可以上下升降的坩埚托，所述坩埚托的下端连接有一升降装置。[0007]本发明中，所述升降装置包括一段气密波纹管、设置在气密波纹管内的且与坩埚托下端连接的连接块、以及与所述连接块连接的精确定位传动系统，通过精确定位传动系统来控制连接块、坩埚托移动。[0008]一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场方法，其特征在于，采用如上述蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，通过升降装置使坩埚托向上移动3mm时，坩埚内的原料能够完全生长出高质量大尺寸的蓝宝石晶体。[0009]本发明通过升降装置来控制坩埚托移动，从而改变坩埚、保温材料和加热器之间的相对位置，来提高蓝宝石单晶生长炉内的温度梯度，使生长炉内的温度梯度更适合生长大尺寸的蓝宝石晶体。解决了大尺寸蓝宝石单晶生长温度梯度不够，甚至温度梯度倒置的问题。[0010]本发明的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。附图说明[0011]图1为本发明的结构示意图。3CN104131350A说明书2/2页具体实施方式[0012]为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例进一步阐述本发明。[0013]参见图1，一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，包括设置在炉体内的侧保温屏1、设置在炉体底部的下保温屏2，炉体底部还设置有可以上下升降的坩埚托，坩埚托的下端连接有一升降装置。[0014]本实施例中，升降装置包括一段气密波纹管3、设置在气密波纹管内的且与坩埚托下端连接的连接块4、以及与所述连接块