一种带氟清理装置的PECVD炉及其氟清理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104233234104233234A(43)申请公布日2014.12.24(21)申请号201310239188.0(22)申请日2013.06.17(71)申请人沙嫣地址200336上海市延安西路2201号国际贸易中心1801室申请人沙晓林(72)发明人沙嫣沙晓林(51)Int.Cl.C23C16/50(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称一种带氟清理装置的PECVD炉及其氟清理方法(57)摘要一种带氟清理装置的PECVD炉，包括：一反应器，包括一气体分布箱，一气体筛板，设置于该气体分布箱表面，该气孔间具有一气孔间距，一正极板，及一负极板；一腔室，包括：一进气法兰，一出气法兰，一RF连接法兰及一加热管，工艺气体装在该进气法兰上，该加热管通过压块均匀分布在腔体外侧，RF电源通过该RF连接法兰与反应器连接；一气路系统，包括一汇流箱，设置于炉腔侧，该汇流箱包括六路工艺气体管和一路N2管；一真空管路，包括一干泵，一分子泵，一罗茨泵，及一控制阀门；一RF电源，采用了13.56MHz的电源发生器，匹配器安装在腔体下部；及一氟清理装置，用于通过氟离子清理PECVD炉内的硅。CN104233234ACN10423ACN104233234A权利要求书1/2页1.一种带氟清理装置的PECVD炉，包括：一反应器，包括一气体分布箱，一气体筛板，设置于该气体分布箱表面，该气体筛板具有多个气孔，均匀分布于该气体筛板上，每个该气孔具有一气孔直径，该气孔间具有一气孔间距，一正极板，及一负极板，该正极板与该负极板之间具有一电极板间距，每片玻璃对应一个气体分布箱，气体由上部进入气体分布箱内后再通过气体筛板分散后进入玻璃表面，以提高布气的均匀性，从而提高产品的均匀性；一真空管路，用于保证设备的极限真空度和沉积压力的连续闭环控制，包括一干泵，一分子泵，一罗茨泵，及一控制阀门；一RF电源，采用了13-14MHz的电源发生器，匹配器安装在腔体下部，以减少接线距离，减少射频的衰减；一腔室，用于沉积，包括：一进气法兰，一出气法兰，一RF连接法兰及一加热管，工艺气体装在该进气法兰上，反应后的气体通过该出气法兰排出，该加热管通过压块均匀分布在腔体外侧并用保温棉充填，RF电源通过该RF连接法兰与反应器连接；一气路系统，包括一汇流箱，设置于炉腔侧，该汇流箱包括六路工艺气体管和一路N2管；及一氟清理装置，用于通过氟离子清理PECVD炉内的硅，包括：一氩气单元，用于控制氩气吹扫该反应器内部因PECVD工艺产生的残余气体，使得功率场效应晶体管更具有活力，一三氟化氮单元，用于控制三氟化氮对PECVD炉进行清洗，一废气泵，用于将反应后所得废气抽出并输送至设备尾气装置，及一设备尾气装置，用于对所述废气进行处理，并将该气体排放。2.根据权利要求1所述的带氟清理装置的PECVD炉，其中，所述废气泵采用3200分子泵。3.根据权利要求1所述的带氟清理装置的PECVD炉，其中，该电极板间距为28-32mm。4.根据权利要求1所述的带氟清理装置的PECVD炉，其中，该气路系统进一步包括：一质量流量控制器，用于控制流量，及两个阀门，安装与该质量流量控制器的前部和后部，用于保证所述气路系统的安全运行。5.根据权利要求1所述的带氟清理装置的PECVD炉，其中，该气路系统的全部管件和阀门均由不锈钢制成。6.根据权利要求1所述的带氟清理装置的PECVD炉的氟清理方法，包括：1)氩气单元将氩气输送至反应器内，使氩气吹扫该反应器内部因PECVD工艺产生的残余气体，使得功率场效应晶体管更具有活力，有助于点火，吹扫时间大于等于10s，氩气流量为5slm，APS出口压力为1.5～2.0torr；2)氩气单元控制氩气继续吹扫反应器内部，吹扫流量为1～4slm，APS出口压力为1.5～2.0torr；3)三氟化氮单元将三氟化氮气体输送至反应器内，APS出口压力为15～20torr，持续时间为5s；4)三氟化氮单元将三氟化氮气体输送至反应器内，从而三氟化氮与反应器内的硅发生反应，APS出口压力为10～30torr，持续时间为5s；及2CN104233234A权利要求书2/2页5)氩气单元将氩气输送至反应器内，使氩气吹扫该反应器内部，吹扫时间大于等于10s，氩气流量为5slm，APS出口压力为1.5～2.0torr。7.根据权利要求6所述的带氟清理装置的PECVD炉的氟清理方法，其中，步骤3)与步骤4)中的三氟化氮气体的用量比为2∶7。3CN104233234A说明书1/3页一种带氟清理装置的PECVD炉及其氟清理方法技术领域[0001]本发明涉及一种PECVD炉，尤其