一种单晶炉副室清理装置及清理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113617761A(43)申请公布日2021.11.09(21)申请号202010371308.2(22)申请日2020.05.06(71)申请人内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司地址010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号(72)发明人吴树飞王林高润飞谷守伟王建平周泽杨志赵国伟刘振宇郝瑞军刘学皇甫亚楠杨瑞峰郭志荣钟旭(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213代理人栾志超(51)Int.Cl.B08B9/087(2006.01)B08B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种单晶炉副室清理装置及清理方法(57)摘要本发明提供一种单晶炉副室清理装置，包括与副室内壁相适配的架体，在所述架体外壁设有清洁件，所述架体的外壁沿其高度方向被所述清洁件全覆盖，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触，从所述架体内侧向所述清洁件提供清洗液，所述清洁件沿所述副室轴线上下移动并可连续清洁所述副室。本发明还提供一种单晶炉副室清理方法。本发明提出的清理装置，结构简单且易于控制，可连续全面地清洁副室内壁，无遗漏，清洁质量好且清洁效果一致，清洗液利用率高。CN113617761ACN113617761A权利要求书1/1页1.一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，包括与副室内壁相适配的架体，在所述架体外壁设有清洁件，所述架体的外壁沿其高度方向被所述清洁件全覆盖，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触，从所述架体内侧向所述清洁件提供清洗液，所述清洁件沿所述副室轴线上下移动并可连续清洁所述副室。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，所述架体上端面为开口设置；下端面为台面，所述台面高度小于所述架体高度的1/3且大于所述架体高度的1/5，且所述台面的母线角度不小于120°且不大于160°。3.根据权利要求2所述的一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，所述台面大径端面与所述架体内侧壁下端面连接，所述台面小径端面靠近所述架体上端面一侧设置。4.根据权利要求3所述的一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，在所述架体内侧壁靠近所述架体上端面和靠近所述架体下端面分别设有环状凸缘，所述凸缘垂直于所述架体轴线设置；置于所述架体下端面一侧的所述凸缘位于所述台面大径面下方。5.根据权利要求4所述的一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，在靠近所述台面一侧的所述凸缘下方还设有支撑面，所述支撑面为环形镂空结构。6.根据权利要求2-5任一项所述的一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，所述清理装置还包括可伸缩的支架，所述支架上端面与所述架体下端面连接，所述支架通过外设气泵控制；所述支架为管状结构。7.根据权利要求6所述的一种单晶炉副室清理装置，其特征在于，用于输送所述清洗液的软管贯穿所述支架内侧，并从所述台面小径端面中心向上设置；在所述软管上端设有喷头，所述清洗液通过所述喷头向所述清洁件四周喷射；所述软管下端与用于放置所述清洗液的储存器连通。8.一种单晶炉副室清理方法，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的清理装置，从所述架体内侧向置于所述架体外壁的所述清洁件提供所述清洗液，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触并可连续清洁所述副室。9.根据权利要求8所述的一种单晶炉副室清理方法，其特征在于，所述支架带动所述架体和所述清洁件沿所述副室轴线竖直上下移动。10.根据权利要求9所述的一种单晶炉副室清理方法，其特征在于，所述清洗液为无水乙醇。2CN113617761A说明书1/5页一种单晶炉副室清理装置及清理方法技术领域[0001]本发明属于单晶炉设备清理技术领域，尤其是涉及一种单晶炉副室清理装置及清理方法。背景技术[0002]在单晶拉制过程中，单晶炉炉体内壁的洁净度是影响晶体成晶的关键因素之一。单晶炉中主室主要用于硅料的加热反应，在主室中形成的晶体通过置于副室中的提升装置被向上提拉。在拉制过程中，氩气从副室中通过流入到主室中，氩气携带着反应的挥发物顺着副室向下运动，挥发物的残留物沿炉膛内壁沉积，这些残渣灰尘若不及时清理，会在拉晶过程中落入主室中的硅料中，污染硅液纯度，严重影响晶体成晶质量。对于单晶炉主室，其开口直径较大易于清理；而对于单晶炉副室为圆筒状结构，高度狭长，副室直径约30-40cm，炉膛纵深约3-5m，高于底面2-5m设置，在清理过程中，清理操作困难，且在清理过程中不易观察副室内壁情况。[0003]中国公开专利：CN209779039U一种单晶炉副室清洁器，提出若干组间隔设置的清洁刷，刷头在副室内无法全接触副室内壁，容易导致漏刷，尤其是对于长度较长的副室而言，需要多次去除刷头来进行清理，不能连续清理副室。[0004]中国公开专