连续热处理装置和利用其热处理芯片的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104347280104347280A(43)申请公布日2015.02.11(21)申请号201310656907.9(22)申请日2013.12.06(30)优先权数据10-2013-00929712013.08.06KR(71)申请人三星电机株式会社地址韩国京畿道水原市(72)发明人郭埈焕朴宰成金相赫(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286代理人王占杰王兆赓(51)Int.Cl.H01G13/04(2006.01)H01G4/30(2006.01)H01G4/232(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书8页说明书8页附图2页附图2页(54)发明名称连续热处理装置和利用其热处理芯片的方法(57)摘要提供了一种连续热处理装置和一种利用其热处理芯片的方法。所述连续热处理装置包括：框架；连续加热炉，形成在框架中并具有中空部；滚轴，形成在连续加热炉的下部；桶，在滚轴的作用下沿一个方向移动；以及加热构件，形成在连续加热炉的一侧上。CN104347280ACN1043728ACN104347280A权利要求书1/1页1.一种连续热处理装置，所述连续热处理装置包括：框架；连续加热炉，形成在框架中并具有中空部；滚轴，形成在连续加热炉的下部中；桶，在滚轴的作用下沿一个方向移动；以及加热构件，形成在连续加热炉的一侧上。2.如权利要求1所述的连续热处理装置，所述连续热处理装置还包括：多个芯片，嵌入在桶中并具有利用导电聚合物形成的外部电极。3.如权利要求1所述的连续热处理装置，其中，桶在旋转的同时沿一个方向移动。4.如权利要求1所述的连续热处理装置，其中，桶的移动速度为10mm/min。5.如权利要求1所述的连续热处理装置，其中，连续加热炉在移动方向上包括第一段至第三段，以及第二段的温度维持在200℃至270℃。6.如权利要求5所述的连续热处理装置，其中，第一段的温度沿移动方向从室温上升至200℃至270℃。7.如权利要求5所述的连续热处理装置，其中，第三段的温度沿移动方向下降。8.一种热处理芯片的方法，所述方法包括下述步骤：在多个芯片上利用导电聚合物形成外部电极；将芯片嵌入在桶中；将桶安装在滚轴上；在利用滚轴使桶沿一个方向移动的同时热处理芯片；以及从桶提取芯片。9.如权利要求8所述的方法，其中，在热处理芯片的步骤中，桶在旋转的同时沿一个方向移动。10.如权利要求8所述的方法，其中，在热处理芯片的步骤中，桶的移动速度为10mm/min。11.如权利要求8所述的方法，其中，在热处理芯片的步骤中，热处理温度包括沿移动方向的第一段至第三段的温度，以及第二段的温度维持在200℃至270℃。12.如权利要求11所述的方法，其中，第一段的温度沿移动方向从室温上升到200℃至270℃。13.如权利要求11所述的方法，其中，第三段的温度沿移动方向下降。2CN104347280A说明书1/8页连续热处理装置和利用其热处理芯片的方法[0001]本申请要求于2013年8月6日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0092971号韩国专利申请的权益，该申请的公开通过引用包含于此。技术领域[0002]本公开涉及一种能够连续热处理多个芯片的连续热处理装置和一种利用该连续热处理装置热处理芯片的方法。背景技术[0003]近来，已经使诸如蜂窝式电话、平板个人电脑（PC）或照相机等的便携式装置微小型化并且超轻化。[0004]在这样的便携式装置中，已经使用了各种类型的组件，尤其是多个电容器和电感器等。[0005]为了使多层陶瓷电子组件具有微小尺寸和超高电容，在多层陶瓷电子组件中，通常增加内部电极的面积及其个数，从而可以确保电特性。[0006]特别地，在减小外部电极的厚度以将多层陶瓷电子组件安装在印刷电路板（PCB）上而不改变整个芯片尺寸的情况下，可以通过外部电极的减小的厚度来增加堆叠的内部电极的数量，这有利于设计诸如多层陶瓷电容器等的多层陶瓷电子组件的电容水平。[0007]将描述根据相关技术的多层陶瓷电子组件的结构。根据相关技术的多层陶瓷电子组件包括利用陶瓷介电粉末颗粒形成的介电层和在介电层上利用内部电极糊形成的内部电极，并具有通过堆叠介电层形成的多层体。[0008]更详细地讲，通过使陶瓷介电粉末颗粒、有机粘结剂和有机溶剂等彼此混合以制备料浆并将料浆形成为片来形成介电层。[0009]通过使诸如镍粉末颗粒等的金属粉末颗粒分散在有机粘结剂和有机溶剂等中来制备用于形成内部电极的内部电极糊。[0010]对多层体进行成形、压制、烧制和切割，从而制造出芯片。[0011]外部电极安装在芯片的其上暴露内部电极的侧表面的多个部分和两个端表面上。这里，外部电极通常由铜（Cu