具有退火装置的单晶炉及其控制方法.pdf

本发明公开了一种具有退火装置的单晶炉及其控制方法，所述单晶炉包括顶部的副腔室与底部的加热腔室，所述副腔室中沿炉壁方向设置有环形加热器，所述环形加热器和副腔室的炉壁之间设有隔热保温层，所述环形加热器上下分别设有可供单晶硅棒穿过的圆环盖板；所述环形加热器的材质为硅钼棒或带有防氧化涂层的石墨板，所述环形加热器的高度范围为15～30cm。本发明通过沿副腔室炉壁方向设置环形加热器，配合上下隔热的圆环盖板和硅棒的提拉丝绳，单晶硅棒拉制收尾后，即可进行浮动区域退火处理，充分利用硅棒余热，退火过程快捷有效，有效节省了热能

2023-06-19

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单晶炉热场装置、单晶炉及单晶生长控制方法.pdf

本发明公开单晶炉热场装置、单晶炉及单晶生长控制方法。该单晶炉热场装置，包括：热屏，所述热屏在其中心形成有气流通道；换热部件，所述换热部件设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；所述热屏用于设置在坩埚的上方；所述热屏具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件与所述坩埚内的硅熔体液面之间。该单晶炉热场装置在热屏形成的气流通道内，设置换热部件，快速带走结晶释放的潜热；热屏的底部至少部分地阻挡在所述换热部件与硅熔体液面之间，改善热屏的效能；增加晶体纵向温度梯度，提高晶体生长速度。

2023-06-15

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单晶炉热场及其控制方法和单晶炉.pdf

本发明提供一种单晶炉热场，包括保温筒和加热器，所述保温筒设置在所述筒状加热器外围，加热器的直径为710～740mm，保温筒的直径为750～800mm；加热器上沿距单晶炉的炉筒上沿63‑67mm；加热器的底部设置有两个主电极连接孔和两个副电极连接孔，主、副电极连接孔沿筒状加热器周向交替设置，且主电极连接孔之间的距离为490‑510mm，副电极连接孔之间的距离为420‑440mm。本发明还提供相应的热场控制方法和单晶炉。本发明所述单晶炉热场及其控制方法和单晶炉通过将现有的单晶炉热场进行改装，使每次生产装料更多

2023-06-16

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单晶炉、单晶炉加热装置及单晶炉的加热方法.pdf

本发明公开了单晶炉、单晶炉加热装置及单晶炉的加热方法，本发明设计的单晶炉加热装置，通过电源系统对第一发热体进行供热，且第一发热体再将热量快速传递到第二发热体，通过在第二发热体与第一发热体上边侧等距均匀设置热量传导柱，以及在对接环上嵌接设置的环形热量传导片的传导作用，保证单晶炉加热装置加热工作的均匀性，进而使得单晶硅受热均匀，保证其加工产品质量；且加热装置提供的热能充分，且不会造成能源的浪费，提升整体生产经济效益；满足实际生产需求。

2023-06-15

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单晶炉加热装置、单晶炉及单晶炉的加热方法.pdf

本发明公开了一种单晶炉加热装置、单晶炉及单晶炉的加热方法，单晶炉加热装置包括第一加热结构，且沿周向第一加热结构的上端部至下端部的高度一致；第二加热结构，位于第一加热结构下方；第三加热结构，位于第二加热结构下方；第一加热结构的加热控制机构与第二加热结构、第三加热结构的加热控制机构不同，且第一加热结构的高度满足在等径生长阶段坩埚中的熔液处于第一加热结构的高度范围内。本发明第一加热结构的上端部至第一加热结构的下端部的高度一致，在等径生长阶段第一加热结构提供的热量能使熔液维持熔融状态，使熔液中和固液界面处有足够的

2023-06-16

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