一种提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺.pdf

本发明公开了一种提高多晶硅开路电压的新型扩散工艺，1)第一步，将硅片放入扩散炉中，升温到800℃；2)通源：在该温度向扩散炉管中通入通入流量比为3:1:17的扩散氮气、氧气和吹扫氮气，整个过程是10-25分钟；3)升温推结：用10-25分钟将扩散炉管内温度升至850-860℃，整个升温过程中持续向扩散炉管中通入流量比为10：3的吹扫氮气和氧气；4)用10-25分钟将扩散炉管内温度降至750℃-800℃，整个降温过程中持续向扩散炉管中通入吹扫氮气；5)取出硅片。本发明可以降低硅片的表面复合速度，增加结深，减

2023-06-19

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一种增强单多晶硅电池片表面钝化提高开路电压的工艺.pdf

一种增强单多晶硅电池片表面钝化提高开路电压的工艺，工艺流程步骤为：制绒→扩散→刻蚀→氧化→PECVD→丝网印刷→烧结→分选→测试；本发明提出一种增强单多晶硅电池片表面钝化作用提高开路电压的工艺，在高温下，向石英炉管内通入氧气在硅片表面形成一层具有一定厚度、致密性及均匀性的二氧化硅层，这层氧化层对硅片表面有着很好的钝化作用，阻挡金属离子向硅中扩散，限制带电载流子的运动，硅片的开路电压提高2～5mv，将转换效率提高0.03‑0.05％，提高了单多晶电池片的成品率；氧化工序成熟简单，容易实施，可以利用现有的扩散

2023-06-17

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多晶硅片的磷扩散工艺.pdf

本发明涉及一种多晶硅片的磷扩散工艺，特征是：将制好绒面的多晶硅片清洗干净后放置在扩散炉中进行护散，扩散采用十步扩散步骤：扩散时通入氮气，氮气的通入量为20000ml。多晶硅片扩散后方块电阻为60Ω，将扩散好的多晶硅片加工成电池片。本发明低温扩散能更好的保护扩散炉，延长扩散炉的使用寿命，低温扩散也可以降低电的消耗量，降低太阳能电池的加工成本；通过扩散条件的改变，硅片扩散后的方块电阻比传统工艺提高了10Ω；用本发明所述的扩散工艺做成的电池片的开路电压比以前提高了2mV，电池片的短路电流比以前提高了0.03A，

2023-06-20

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开路电压起源.docx

Theoriginoftheopen-circuitvoltageinpolyfluorene-basedphotovoltaicdevices聚芴材料光伏器件的开路电压的起源Theinfluenceofdevicestructureontheopen-circuitvoltageofpolyfluorene-basedphotovoltaicdeviceshasbeeninvestigated.Bilayersofhole-andelectron-acceptingpolyfluoreneshavebe

2024-11-05

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开路电压短路电流.pdf

开路电压短路电流短路电流短路电流在电路中，由于短路而在电气元件上产生的不同于正常运行值的电流。百科名片短路电流short-circuitcurrent电力系统在运行中，相与相之间或相与地（或中性线）之间发生非正常连接（即短路）时流过的电流。其值可远远大于额定电流，并取决于短路点距电源的电气距离。例如，在发电机端发生短路时，流过发电机的短路电流最大瞬时值可达额定电流的10～15倍。大容量电力系统中，短路电流可达数万安。这会对电力系统的正常运行造成严重影响和后果。三相系统中的短路有四种基本类型：三相短路、两相

2024-08-21

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