一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延的方法.pdf

本发明涉及一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延的方法，采用常压平板式外延炉，步骤包括，（1）利用纯度≥99.99%的氯化氢在高温下对外延炉基座进行腐蚀；（2）外延炉内装入硅衬底片，依次利用纯度均≥99.999%的氮气和氢气吹扫外延炉腔体8~10分钟；（3）利用氯化氢气体对硅衬底片表面原位腐蚀；（4）大流量氢气对硅衬底片表面吹扫；（5）不掺杂的三氯氢硅在衬底上生长本征外延层；（6）掺杂外延层的生长；（7）外延层生长达到预定厚度后降温。有益效果是成功制备出厚度不均匀性＜1%，电阻率不均匀性＜1%，表面无层

2023-06-19

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一种重掺磷衬底上硅外延层的生长方法.docx

一种重掺磷衬底上硅外延层的生长方法摘要本文介绍了一种基于重掺磷衬底的硅外延层生长方法。该方法采用低压化学气相沉积法，在控制的过程条件下，利用硅源、有机气相前驱体和正电离氮气来源氮源，并配合使用有机磷氧化物作为磷衬底材料，在衬底表面掺杂磷源前驱体，实现重掺磷衬底材料的生长。实验结果表明，通过控制反应时间和温度，可获得质量高、界面光滑的磷掺杂硅外延层。该方法具有生长时间短、生长速率快、生长温度低的优点，可应用于电子学和光电学领域。关键词：重掺磷衬底、硅外延层、磷源前驱体、低压化学气相沉积、有机气相前驱体引言硅

2024-10-31

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一种光电探测器用重掺硅衬底制备高阻外延层的方法.pdf

本发明涉及一种光电探测器用重掺硅衬底制备高阻外延层的方法。将硅衬底片装入外延反应腔体内的外延基座上，依次利用氮气和氢气吹扫外延炉掺杂管道和反应腔体。给外延基座加热，由室温升温至1160℃。在恒温下对硅衬底片烘烤3min，使硅衬底片表面的杂质挥发，使表面形成杂质耗尽区。利用流量周期性快速交替变化，范围为40L/min~400L/min的氢气对反应腔体进行吹扫。进行第一层外延层的生长。利用流量周期性快速交替变化，范围为40L/min~400L/min的氢气对反应腔体进行吹扫。进行第二层外延层的生长。有益效果是

2023-06-17

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重掺衬底轻掺硅外延层制备工艺研究.docx

重掺衬底轻掺硅外延层制备工艺研究重掺衬底轻掺硅外延层制备工艺研究摘要：外延技术是一种用于生产半导体材料的重要工艺。本文通过研究重掺衬底轻掺硅外延层制备工艺，探讨了衬底材料的选择、外延层厚度和掺杂浓度等因素对外延层性能的影响。研究结果表明，良好的衬底材料能够提高外延层的质量，而外延层厚度和掺杂浓度之间存在着一定的关系。本文的研究对于提高外延技术的研发水平和推动半导体产业的发展具有一定的参考价值。关键词：外延技术、重掺衬底、轻掺硅、制备工艺、衬底材料、外延层性能1.引言外延技术是一种利用晶体材料的生长过程，通

2024-10-28

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一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法.pdf

本发明涉及一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法,采用常压平板式外延炉,步骤包括，（1）利用纯度≥99.99%的氯化氢在高温下对外延炉基座进行抛光；（2）向外延炉内装掺磷硅衬底片，依次用纯度均≥99.999%的氮气和氢气吹扫外延炉腔体；（3）利用氯化氢气体对硅衬底片表面进行抛光；（4）采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫；（5）进行本征外延层的生长；（6）对外延炉反应腔室进行变流量吹扫；（7）进行掺杂外延层的生长。有益效果是外延层为厚度不均匀性

2023-06-19

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