一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法.pdf
An****99
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本发明涉及一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法,采用常压平板式外延炉,步骤包括,(1)利用纯度≥99.99%的氯化氢在高温下对外延炉基座进行抛光;(2)向外延炉内装掺磷硅衬底片,依次用纯度均≥99.999%的氮气和氢气吹扫外延炉腔体;(3)利用氯化氢气体对硅衬底片表面进行抛光;(4)采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫;(5)进行本征外延层的生长;(6)对外延炉反应腔室进行变流量吹扫;(7)进行掺杂外延层的生长。有益效果是外延层为厚度不均匀性
一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法.pdf
本发明涉及一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法。将外延炉石墨基座下方的9组调节杆的刻度值分别进行设定;利用氯化氢HCl气体在高温下对外延炉基座进行刻蚀抛光;向外延炉基座片坑内装入硅衬底片,利用HCl气体对硅衬底片表面进行抛光;采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫;在硅片上生长一层很薄的本征外延层;进行掺杂外延层的生长;掺杂外延层生长达到预定厚度后开始降温;对外延片九个测试点的厚度进行测量,从而获得硅外延片的平均厚度及其均匀性。实现了对400μm的薄Sb衬底的外延生长的良好控制,其厚度不均匀性
一种肖特基器件用硅外延片的制备方法.pdf
本发明涉及一种肖特基器件用硅外延片的制备方法,向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体,对基座上残余沉积物质进行刻蚀;将主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体,基座表面沉积一层无掺杂的致密多晶硅;将基座温度降低,向基座上装入硅衬底片;基座升温,对硅衬底片的表面进行高温烘焙;通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫;主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体,基座下部流入与主工艺氢气流动方向相反的辅助氢气,三氯氢硅在管路中排空;通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫;进行硅外延层生长;硅外延层生长完
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本发明涉及一种光电探测器用重掺硅衬底制备高阻外延层的方法。将硅衬底片装入外延反应腔体内的外延基座上,依次利用氮气和氢气吹扫外延炉掺杂管道和反应腔体。给外延基座加热,由室温升温至1160℃。在恒温下对硅衬底片烘烤3min,使硅衬底片表面的杂质挥发,使表面形成杂质耗尽区。利用流量周期性快速交替变化,范围为40L/min~400L/min的氢气对反应腔体进行吹扫。进行第一层外延层的生长。利用流量周期性快速交替变化,范围为40L/min~400L/min的氢气对反应腔体进行吹扫。进行第二层外延层的生长。有益效果是
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本发明涉及一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延的方法,采用常压平板式外延炉,步骤包括,(1)利用纯度≥99.99%的氯化氢在高温下对外延炉基座进行腐蚀;(2)外延炉内装入硅衬底片,依次利用纯度均≥99.999%的氮气和氢气吹扫外延炉腔体8~10分钟;(3)利用氯化氢气体对硅衬底片表面原位腐蚀;(4)大流量氢气对硅衬底片表面吹扫;(5)不掺杂的三氯氢硅在衬底上生长本征外延层;(6)掺杂外延层的生长;(7)外延层生长达到预定厚度后降温。有益效果是成功制备出厚度不均匀性<1%,电阻率不均匀性<1%,表面无层