一种微波退火制备硅量子点薄膜的方法.pdf

本发明涉及一种微波退火制备硅量子点薄膜的方法，具体而言就是将磁控溅射沉积的富硅硅化物薄膜置于微波退火炉中较低温度退火制备出均匀的硅量子点薄膜。该方法采用可靠的磁控共溅射和微波退火技术，可控性好、可重复性高、简易而有效、可操作性强。本发明主要技术方案：首先，利用Ar离子对Si靶、SiO

2023-06-19

10

637KB

一种微波法制备水溶性荧光硅量子点的方法.pdf

本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种微波法制备水溶性荧光硅量子点的方法。该方法以N‑[3‑(三甲氧基硅基)丙基]乙二胺为硅源，谷胱甘肽为还原剂，利用家用微波炉合成水溶性荧光硅量子点。步骤为：将谷胱甘肽分散于超纯水中，在氮气保护下加入硅源并进行搅拌得混合溶液；然后放入家用微波炉中反应，得到棕黄色固体；将得到的固体物质加水溶解，离心，取上清液，透析，提纯后的量子点溶液经冷冻干燥、研磨得到硅量子点粉末。此方法原料成本低，操作步骤简单，合成速度快，对反应仪器要求低；所得量子点具有良好的光学特性，该量子点粒径小，

2023-06-16

10

501KB

一种离子型量子点的提纯方法和量子点薄膜制备方法.pdf

本申请提供一种离子型量子点的提纯方法和量子点薄膜制备方法，采用长链型量子点溶液和配体前驱体溶液制备含有配体前驱体杂质的第一离子型量子点粉末；向承载有所述第一离子型量子点粉末的容器中加入提纯剂；摇晃或震荡容器，以使提纯剂与配体前驱体杂质充分作用；丢弃已作用的提纯剂，向容器再次加入提纯剂，直至加入提纯剂后溶液不变色；对提纯后的第一离子型量子点粉末进行真空干燥处理，得到不包含配体前驱体杂质的第二离子型量子点粉末。本申请的提纯方法可以有效地去除残留的配体前驱体，减小量子点的间距，增加量子点薄膜的迁移率，提升量子点

2023-11-05

10

526KB

退火工艺对含硅量子点SiC_x薄膜光谱特性的影响.docx

退火工艺对含硅量子点SiC_x薄膜光谱特性的影响摘要含硅量子点SiC_x薄膜具有优异的光催化性能和光电性能，因而在光电子器件等领域得到了广泛的研究应用。然而其光谱特性受到材料制备工艺的影响，本文选取退火工艺为研究对象，对退火温度及时间对含硅量子点SiC_x薄膜UV-Vis吸收谱、荧光光谱以及辅助谱技术如Raman光谱等光谱特性的影响进行了研究。结果表明，随着退火温度和时间的增加，材料的结晶度不断提高，同时硅量子点尺寸逐渐增大，致使其吸收峰红移，荧光强度先增加后减小。研究结果对于使用含硅量子点SiC_x薄膜

2024-10-24

5

13KB

一种脉冲放电制备硅量子点的方法.pdf

本发明涉及一种脉冲放电制备硅量子点的方法,属于量子点制备工艺技术领域。所述方法以蒸馏水为介质,采用脉冲放电的方法制备得到粒径为1～5nm的硅量子点;脉冲放电产生的高密度电流流经高纯硅条,使硅条在高功率焦耳加热作用下,迅速熔化、气化发生爆炸,对爆炸产物形成的悬液进行回收,经超声、静置、高速离心等分离提纯工艺得到结晶性好、尺寸分布均匀的硅量子点。所述方法工艺简单、反应速度快、产物纯净、反应条件温和,易于批量化生产。

2023-06-06

10

1.1MB