一种新型螺旋状GaN单晶纳米线及其制备方法.pdf

本发明涉及一种新型螺旋状GaN单晶纳米线及其制备方法，属于半导体纳米材料生产技术领域；本方法是利用化学气相沉积法制备螺旋状GaN纳米线，称取适量的金属Ga盛放在陶瓷舟中，将其置于水平管式炉的中间部位，称取适量MoCl

2023-06-19

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一种GaN纳米线及其制备方法.pdf

本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法，GaN纳米线制备方法步骤包括：通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜，并在此外延片上制备图形化掩蔽膜，基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字塔微结构，然后通过碱性溶液腐蚀的方法把GaN六角金字塔微结构的{1-101}侧面腐蚀掉，最终制备成侧面为{1-100}面，顶面为(0001)面的GaN纳米线。本发明具有工艺简单，纳米线的直径、高度和位置可控等优点，可用于制作高性能的GaN纳米器件。

2023-06-14

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氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究.docx

氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性研究随着纳米技术的发展，GaN材料也成为了研究的热门对象。在这里，我们将介绍氨化法制备大量单晶GaN纳米线及其特性。首先，氨化法是制备GaN材料的一种常见方法。它利用了化学反应的原理，将硅衬底上的金属气相成分进行反应，并沉积在硅衬底上，最终形成GaN薄膜。但是，传统的氨化法制备GaN薄膜的材料通常是多晶的，固有的缺陷导致了其电学性能较差。因此，针对GaN薄膜的局限性，人们开始研究GaN纳米线。GaN纳米线的制备通常有两种方法：一种是通过金属有机气相沉积法（MOCVD）

2024-11-14

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一种制备GaN纳米线的方法.pdf

本发明公开的一种制备GaN纳米线的方法，首先制备镓源凝胶前驱体粉末；然后将衬底清洗后放入质量浓度为2%~8%的Ni(NO3)2酒精溶液中，浸泡8~18小时，在温度为90~110℃条件下烘干备用；将前躯体粉末和烘干后的衬底放入清洁的石英舟内，将石英舟置于电阻炉的恒温区，向电阻炉内通入流量为500ml/min的氮气，然后按照升温制度进行加热，即完成在衬底上制备GaN纳米线。本发明制备GaN纳米线的方法，采用溶胶-凝胶法和CVD法相结合，设备简单、反应效率高、成本低，是一种有效、快速合成GaN纳米线的好方法。

2023-06-20

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一种超细单晶Si纳米线及其制备方法.pdf

本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种超细单晶Si纳米线及其制备方法。所述超细单晶Si纳米线的直径为1.5~2.5nm，且不含催化剂。所述方法的工艺步骤为：（1）生长基底及载物盘的清洗；（2）超细单晶Si纳米线的生长：①将SiO粉末平铺在第一载物盘上并放入双温区管式炉的高温区中心部位，将所述长基底放在第二载物盘上并放入所述双温区管式炉的低温区中心部位；②在通载流气体条件下将双温区管式炉的低温区升温至950~960℃，高温区升温至1300~1350℃，并使炉内压强保持在0.02~0.04MPa，然后在上述温度

2023-06-19

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