一种制备高纯度多晶硅的方法.pdf

本发明公开了一种制备高纯度多晶硅的方法，包括：使用中频炉为热源，在真空炉内将坩埚在10分钟内加热至200℃，然后再次使坩埚温度在10分钟内升至500℃；将纯金属硅和造渣剂混匀成料放入坩埚中，调节中频炉频率，使坩埚和料在30分钟内的温度升至1000℃；调节中频炉频率继续升温，在30分钟内升至1600℃，然后注入氩气；继续升温至2000℃，保持10分钟，并进行第一次捞渣；之后继续升温至2300℃，保持5分钟，并进行第二次捞渣；继续升温至3000℃，保持10到15分钟，料在高温熔融态下充分匀质化，然后开始逐级降

2023-06-19

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高纯度多晶硅片的制备方法.pdf

本发明公开了高纯度多晶硅片的制备方法，将硅料置入高温熔炉中，在无尘环境下加热至1300‑1380℃，保持高温熔炉炉底的硅料不熔化，制得多晶硅；将多晶硅进行切割，对切割后的多晶硅利用清洗剂进行表面清洗处理，其中，清洗剂按照重量份的原料包括：表面活性剂40‑50份、螯合剂22‑30份；向清洗后的多晶硅中加入添加剂和硼的固化剂，并在700‑800℃的温度下处理10min，清理后制得高纯度多晶硅片。本发明能有效地去除现有工艺难以去除的、影响太阳能电池材料中少子寿命和转化效率衰减的硼等关键性杂质元素，使提纯后的多晶

2023-06-18

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一种制备高纯度镁的方法.pdf

本发明公开了一种制备高纯度镁的方法，首先将原料镁球装料后进行液压密封于真空的窑炉内；窑炉内的电极通电使得原料镁球发生还原反应形成单质镁；单质镁在大于1300℃的高温条件下形成镁蒸汽后通过过滤器，即得到所需的高纯度镁。相对于目的工业中所用的皮江法制备镁，本方法的能耗低，产率高，且生产过程中无废气产生，不会造成对环境的污染。

2023-06-20

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一种高纯度ssDNA制备方法.pdf

本发明公开了本发明提供了一种高纯度ssDNA制备方法；包括以下步骤：第一步：合成所需目的基因到puc57载体中；第二步：磷酸化双链DNA的合成；第三步：lambda核酸外切酶消化磷酸化双链DNA，得到ssDNA；第四步：通过双链特异性酶去除残留双链DNA，得到高纯度的ssDNA。本发明先是利用lambda核酸外切酶消化磷酸化单链的方法得到ssDNA，然后在通过双链特异性酶去除残留双链DNA，得到了高纯度无dsDNA残留的ssDNA，克服了残留大量dsDNA的问题；本发明具有简便高效，具有纯度高且无双链

2023-11-09

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一种高纯度烟碱制备的方法.pdf

本发明公开了高纯度烟碱制备的方法，它包括回收乙醇后获得烟草废弃物提取液，用20%的氢氧化钠水溶液调节烟草废弃物提取液调成碱性，分离水相和有机相，重复多次用相同体积乙酸乙酯清洗馏出液，分离后得到有机相与水相，反复多次用溶剂萃取水相，制得高纯度烟碱产品。本发明的有益效果是：设备简单、操作便捷，省略了纯化烟碱粗品这一步骤，可直接从烟草废弃物提取液中获得高纯度烟碱，所得烟碱近乎无色、气味纯正、没有普遍烟碱的化学臭气，烟碱的纯度高。

2023-06-28

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