一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法.pdf

本发明公开了一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，包括以下步骤：将基底置于真空反应炉中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底上获得沉积硼薄膜。本发明采用化学气相沉积法，在金属基底或外延基底上通过加热分解固体硼源或高温裂解硼烷获得硼源气体，或者直接通入气体硼源，沉积得到原子级硼薄膜，从而提供了一种制备大面积硼薄膜的方法。本方法得到的原子级硼薄膜可应用于多个技术领域，包括晶体管器件、传感器和制动器。

2023-06-19

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一种化学气相沉积制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法.pdf

本发明涉及一种化学气相沉积制备镍薄膜、碳化镍薄膜的设备及其方法。为了解决已有镍薄膜、碳化镍薄膜制备方法存在的工艺流程复杂、薄膜粒子尺寸与形貌难以调控、三维基材台阶覆盖率差的不足，本发明的制备镍薄膜、碳化镍薄膜的方法，在该方法中，使用加热装置对镍单体瓶进行加热，将镍单体挥发为气体，气态镍与载气混合后通入沉积腔中，使用加热炉对沉积腔室进行加热，气态的镍单体在基材表面发生热分解反应生成镍薄膜、碳化镍薄膜与可挥发的副产物，镍薄膜、碳化镍薄膜沉积在基础表面，即得到镍薄膜、碳化镍薄膜。本发明方法相比于其他镍、碳化镍薄

2023-06-17

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一种基于化学气相沉积法制备磁性石墨烯薄膜的方法.pdf

本发明涉及一种基于化学气相沉积法制备磁性石墨烯薄膜的方法，采用二茂铁作为固体碳源，将盛有固体碳源的容器放在管式炉的进气端，并用加热源对碳源所处位置区域加热，形成碳源稳定挥发的区域，温度控制在160℃‑250℃；选用铜作为衬底，其反应温度控制在900℃‑1060℃，氢气和氩气作为载气，调节气体浓度和总气流量的大小，生长出高铁掺杂浓度的石墨烯薄膜。本发明以固体二茂铁作为碳源，一步合成高浓度铁掺杂石墨烯薄膜。同时，磁性铁原子的引入开辟了CVD磁性石墨烯的制备与合成的新方向，为石墨烯基器件在自旋电子学中的应用提供

2023-06-17

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化学气相沉积硼掺杂金钢石薄膜的研究.docx

化学气相沉积硼掺杂金钢石薄膜的研究摘要：本文采用化学气相沉积（CVD）技术，在金钢石表面制备了一系列的硼掺杂薄膜，并进行了结构、形貌、光学和电学性能的表征。实验结果表明，硼掺杂的金钢石薄膜具有良好的电学性能和光学性能，可用于太阳能电池和透明导电性材料的制备。关键词：化学气相沉积；硼掺杂；金钢石；薄膜；电学性能；光学性能正文：一、研究背景金钢石是一种具有很高硬度和耐磨性的材料，广泛用于硬质涂层、切削工具、电子元器件等领域。随着技术的发展，金钢石的应用越来越广泛，但是它的电学性能较差，限制了其在电子器件中的应

2024-10-15

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化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究.docx

化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究介绍碳化铬（CrC）是一种广泛应用于高温、高强度、高硬度材料的重要化合物。它具有优异的耐磨性、抗腐蚀性、高熔点和高硬度等特性，常用于制备耐磨涂层、航空发动机零部件和陶瓷切削工具等高档产品。其中，制备碳化铬薄膜的方法多种多样，化学气相沉积法（CVD）是其中一种主要方法。本文将从碳化铬薄膜的化学组成、CVD原理、CVD参数对薄膜质量的影响、薄膜性质和应用等几个方面探讨。碳化铬薄膜的化学组成和制备方法碳化铬薄膜通常由碳（C）和铬（Cr）两个元素组成。其结构主要有两种形式：一种是

2024-10-16

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