一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105442042A(43)申请公布日2016.03.30(21)申请号201610071516.4(22)申请日2016.02.02(71)申请人江西赛维LDK太阳能高科技有限公司地址338000江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室(72)发明人张学日雷琦何亮胡动力(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.C30B28/06(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图1页(54)发明名称一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，包括坩埚、围绕在所述坩埚外壁四周且与所述坩埚外壁紧密接触的护板以及盖住所述护板围成的口部的盖板，所述护板远离坩埚的外表面和所述盖板远离坩埚的外表面均设有能与碳反应的涂层。所述涂层能与铸锭炉中的碳反应，能够降低铸锭炉中的碳含量，从而降低进入多晶硅锭中碳的含量。本发明还提供了一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉的制备方法，通过在所述护板的外表面和盖板外表面刷涂或喷涂能与碳反应的涂层，从而降低铸锭炉中的碳含量，制备方法简单易操作。CN105442042ACN105442042A权利要求书1/1页1.一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，其特征在于，包括坩埚、围绕在所述坩埚外壁四周且与所述坩埚外壁紧密接触的护板以及盖住所述护板围成的口部的盖板，所述护板远离坩埚的外表面和所述盖板远离坩埚的外表面均设有能与碳反应的涂层。2.如权利要求1所述的用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，其特征在于，所述涂层的材质为石英、硅粉和硅溶胶中的至少一种。3.如权利要求2所述的用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，其特征在于，所述涂层的材质为所述石英和所述硅溶胶形成的混合物，所述石英和所述硅溶胶的质量比为1:1-3。4.如权利要求2所述的用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，其特征在于，所述石英和所述硅粉中的至少一种经过氧化处理。5.如权利要求4所述的用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，其特征在于，所述石英和所述硅粉中的至少一种经过过氧化氢氧化处理。6.如权利要求5所述的用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，其特征在于，所述石英和所述硅粉中的至少一种的氧化处理的方法为：将所述石英和所述硅粉中的至少一种与所述过氧化氢混合，搅拌5-20min后，浸泡0.5-5h，得到过氧化氢氧化处理的石英和经过过氧化氢氧化处理的硅粉中的至少一种。7.如权利要求6所述的用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，其特征在于，所述石英和所述硅粉中的至少一种与所述过氧化氢的质量比为1:1-4。8.如权利要求1所述的用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，其特征在于，所述涂层的厚度为50μm-150μm。9.如权利要求1所述的用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，其特征在于，所述坩埚的口沿和所述坩埚内壁靠近所述坩埚口沿的位置中的至少一处位置设有所述涂层。10.一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供护板和盖板，所述护板包括相对设置的外表面和内表面，所述盖板包括相对设置的外表面和内表面，在所述护板的外表面和所述盖板的外表面均刷涂或喷涂有能与碳反应的涂层；将所述护板围绕在在所述坩埚外壁四周，使所述护板的内表面与所述坩埚外壁紧密接触，所述盖板的内表面盖住所述护板围成的口部，得到用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉。2CN105442042A说明书1/9页一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及多晶硅锭领域，具体涉及一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉及其制备方法。背景技术[0002]由于目前的多晶硅锭制备工艺是：配料、装料、将装料坩埚放入铸锭炉中加热熔融、晶体生长、退火、冷却工序生产得到多晶硅锭，为了防止石英坩埚在高温下软化，需要采用石墨材料制成的护板来护住石英坩埚的四周。为了防止位于坩埚上方的石墨加热器中的碳杂质或其他杂质掉入石英坩埚中，现有技术一般采用盖板将护板围成的口部盖住。但在高温状态下，石墨材料结构件产生的碳会进入坩埚内的硅熔体，从而造成硅熔体的碳污染，使铸造多晶硅材料中碳含量增高。碳含量过高，容易导致硅溶液在定向凝固长晶过程中形成碳沉淀物、碳化硅夹杂物、位错等杂质或缺陷，不仅会在多晶硅锭切割工艺中增加断线事故、线痕不良的风险，而且还会导致制作成的电池片漏电率高、转换效率低等问题。因此，有必要减少多晶硅锭中的碳含量。发明内容[0003]为解决上述问题，本发明提供了一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉，该铸锭炉的护板远离坩埚的外表面和盖板远离坩埚的外表面均设有能与碳反应的涂层，可以减少铸锭炉中进入多晶硅锭中的碳含量