一种酞菁氧钛纳米片及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105543779A(43)申请公布日2016.05.04(21)申请号201610030173.7(22)申请日2016.01.18(71)申请人昆明学院地址650214云南省昆明市经济技术开发区浦新路2号(72)发明人王海普小云乔振芳邹涛隅罗利杨镒吉王晓燕(74)专利代理机构昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业)53116代理人姜开侠谢乔良(51)Int.Cl.C23C14/12(2006.01)C23C14/24(2006.01)B82Y40/00(2011.01)B82Y30/00(2011.01)权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称一种酞菁氧钛纳米片及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种酞菁氧钛纳米片及其制备方法，所述的酞菁氧钛纳米片呈大小均匀的片状，其直径约为400-700nm，厚度为1-10nm。所述的酞菁氧钛纳米片制备方法采用有机气相沉积法，包括以下步骤：a)放入酞菁氧钛原料至炉中的加热区域；b)在载气氛围下，加热酞菁氧钛原料至410-440℃，使酞菁氧钛升华；c)通过该载气，引导该升华的酞菁氧钛离开该加热区域，至生长区域，所述生长区域的温度低于所述加热区域的温度；d)在生长区域，得到酞菁氧钛纳米片。本发明的酞菁氧钛纳米片为新形貌，性能优异，其操作简单，成本低，无污染，可以大量制备。CN105543779ACN105543779A权利要求书1/1页1.一种酞菁氧钛纳米片，其特征在于所述的酞菁氧钛纳米片的直径为400-700nm，厚度为1-10nm。2.如权利要求1所述的酞菁氧钛纳米片，其特征在于所述的酞菁氧钛纳米片的直径为400-500nm，厚度为1-5nm。3.一种如权利要求1所述的酞菁氧钛纳米片的制备方法，其特征在于所述酞菁氧钛纳米片的制备方法为有机气相沉积法。4.如权利要求3所述的酞菁氧钛纳米片的制备方法，其特征在于所述有机气相沉积法的制备步骤为：a)放入酞菁氧钛原料至炉中的加热区域；b)在载气氛围下，加热酞菁氧钛原料至410-440℃，使酞菁氧钛升华；c)通过该载气，引导该升华的酞菁氧钛离开该加热区域，至生长区域，所述生长区域的温度低于所述加热区域的温度；d)在生长区域，得到酞菁氧钛纳米片。2CN105543779A说明书1/2页一种酞菁氧钛纳米片及其制备方法技术领域[0001]本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种酞菁氧钛纳米片及其制备方法。背景技术[0002]酞菁化合物是一类使用广泛的有机光导材料。在诸多的酞菁化合物中，酞菁氧钛以其出众的光电性能受到人们的青睐。酞菁氧钛具有低毒、热稳定性好、光稳定性好和载流子产生效率高等优点。[0003]酞菁氧钛是一种重要的电荷产生材料，被广泛地应用于静电打印/复印，光伏器件以及有机光导体等领域中。纳米酞菁氧钛的形貌和尺寸，对它的光电性能有很大的影响。已经有报道酞菁氧钛纳米颗粒的合成方法，但其方法较为复杂，产物纯度不高，粒径不可控，且对环境有一定危害。目前还未有制备酞菁氧钛纳米片的相关报道。发明内容[0004]本发明的第一目的在于提供一种酞菁氧钛纳米片；本发明的第二目的在于提供一种酞菁氧钛纳米片制备方法。[0005]本发明的第一目的是这样实现的：所述的酞菁氧钛纳米片为新形貌，呈片状，大小均匀，其直径400-700nm，厚度为1-10nm。[0006]本发明的第二目的是这样实现的：所述的酞菁氧钛纳米片制备方法采用有机气相沉积法，包括以下步骤：a)将酞菁氧钛原材料均匀地放置在炉中的加热区域；b)通入载气，加热酞菁氧钛原材料至410℃—440℃，使酞菁氧钛升华；c)通入的载气将升华的酞菁氧钛运输至生长区域，所述的生长区域的温度低于加热区域温度；d)在生长区域，得到酞菁氧钛纳米片。[0007]有益效果：本发明制备了一种新形貌的酞菁氧钛纳米片。本发明提供的酞菁氧钛制备方法：气相沉积法，产物纯度较高，粒径可控，一般在几十纳米到几微米，方法简单，对环境友好，是制备单晶较好的方法。在制备过程中主要影响产物的因素包括温度梯度、沉积时间、载气流速、真空度、衬底温度等。生长的晶体大多数为一维柱状或二维片状，具体外形依赖于分子间的弱相互作用及其协同效应为基础的堆叠方式。附图说明[0008]图1：本发明的酞菁氧钛纳米片的SEM（1）图；图2：本发明的酞菁氧钛纳米片的SEM（2）图；图3：本发明的酞菁氧钛纳米片的SEM（3）图。具体实施方式3CN105543779A说明书2/2页[0009]下面结合实施例和附图对本发明作进一步的说明，但不以任何方式对本发明加以限制，基于本发明教导所作的任何变换或替换，均属于本发明的保护范围。[0010]下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法。下述实施例