一种碳化铪纳米晶须及其制备方法.pdf
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一种碳化铪纳米晶须及其制备方法.pdf
本发明公开一种碳化铪纳米晶须及其制备方法。将碳质前驱体溶于有机溶剂,蒸馏,得碳质前驱体有机溶剂可溶组分;将30~50wt%有机铪与50~70wt%碳质前驱体有机溶剂可溶组分混合,按固液质量比为1︰(1~3)溶于有机溶剂,在惰性气氛、搅拌和250℃~450℃条件下保温2~6h,得铪掺杂碳质前驱体。将装有铪掺杂碳质前驱体的石墨坩埚置入炭化炉,700~900℃保温1~3h,得铪掺杂碳质前驱体基炭材料,研磨,成型,成型后坯体放入含3~10wt%催化剂的乙醇溶液中浸泡,风干,装入石墨坩埚后置于炭化炉中,在惰性气氛和
一种碳化硅纳米晶须的制备方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅纳米晶须的制备方法。其技术方案是:将10~40wt%的有机硅与60~90wt%的沥青有机溶剂可溶组分或树脂有机溶剂可溶组分溶解于溶剂中,所得溶液在250℃~450℃条件下共裂解2~6h,得到硅掺杂沥青或硅掺杂树脂。将硅掺杂沥青或硅掺杂树脂在700~900℃条件下炭化1~3h,得到硅掺杂沥青基炭材料或硅掺杂树脂基炭材料。将硅掺杂沥青基炭材料或硅掺杂树脂基炭材料研磨成细粉后装填在模具中,机压成型,脱模;将装有坯体的石墨坩埚置于高温炭化炉中,在惰性气氛中于1200~1800℃热处理1~3h
一种炭材料表面碳化硅纳米晶须及其制备方法.pdf
本发明涉及一种炭材料表面碳化硅纳米晶须及其制备方法。其技术方案是:按硅粉∶二氧化硅粉的摩尔比为1∶(0.3~4),将硅粉和二氧化硅粉混匀,得到硅源;将沥青基炭纤维或炭纤维毡置于高温石墨化炉,于氩气气氛中在1000~2800℃条件下热处理0.5~1h,得到碳源。按硅源∶碳源的摩尔比为1∶(0.25~4),将硅源和碳源依次置于石墨坩埚中,然后将石墨坩埚放入高温炭化炉中,抽真空至5~20Pa,再通入氩气至常压;在氩气气氛条件下,以10~20℃/min的速率将高温炭化炉升温至1200~1500℃,保温0.5~3h
一种利用混杂硅源制备碳化硅纳米晶须的方法.pdf
本发明属于纳米材料领域,公开了一种利用混杂硅源制备碳化硅纳米晶须的方法。首先,将提纯处理后的晶硅废砂浆与其它无机含硅原料混合,组成混杂硅源。然后,通过两步球磨对混杂硅源进行球磨激活处理。最后,将依次装有混杂硅源与植物纤维的坩埚放在热处理炉中进行反应,获得又厚又密的碳化硅纳米晶须。本发明以工农业废弃物为主要原料,降低了原料成本,并通过两步球磨细化活化原料粉体,进而大大提高了碳化硅晶须的产率。此外,本发明也为高效回收利用晶硅废砂浆以及高价值利用农业植物废弃物提供了一种新思路。
一维碳化铪纳米材料的制备方法.pdf
本发明涉及一种一维碳化铪纳米材料的制备方法,其特征在于:配制浓度为0.05~2mol/L的Ni(NO3)2的乙醇或水溶液,将清洗干净的石墨基底放于溶液中浸泡、烘干;然后悬挂于立式的管式电阻炉内进行沉积,沉积结束后停止通入反应气体,关闭加热电源自然降温,制备出一维HfC纳米线、纳米带。本发明方法,利用CVD工艺可控的优点,可有效控制一维HfC纳米材料的形貌和尺寸,获得HfC纳米带和高纯、高性能的HfC纳米线。同时采用的CVD方法沉积温度较低,沉积压力处于低真空范围内,而且使用的催化剂为常见的催化剂化合物试剂