晶锭铸造炉的原料容置装置及铸造晶锭方法.pdf
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晶锭铸造炉的原料容置装置及铸造晶锭方法.pdf
一种铸造晶锭的方法,包含:将固态硅原料置于一原料容置装置底部,该原料容置装置包括一容器与一石墨内层,该石墨内层沿着该容器的环壁面与内底面铺设,且固态硅原料是堆叠于内底面上的石墨内层之上。加热该容器,以将硅原料熔化成液态;由下而上冷却该容器,直到所有的硅原料凝固结晶为止,凝固后的硅原料形成一晶锭。由此,该石墨内层可有效地阻隔容器的杂质回扩到晶锭中。
用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉和制备硅晶锭的方法.pdf
本发明公开了用于硅晶锭生长的换热器、硅晶锭的生长炉和制备硅晶锭的方法,其中,用于硅晶锭生长的换热器在沿轴向方向上包括多个冷却区间,所述多个冷却区间包括至少一个慢冷区间和至少一个快冷区间,其中,所述慢冷区间的冷却效率低于所述快冷区间的冷却效率。由此,采用该换热器对硅晶锭进行冷却,可以使得空位在径向上充分扩散,分布均匀,避免原生缺陷因局部较高空位浓度而产生的氧沉淀聚集。
铅锭铸造装置.pdf
本发明公开一种铅锭铸造装置,旨在提供一种使用更方便和更安全的铅锭铸造装置。铅锭铸造装置,包括熔铅炉、虹吸管、浇注壶、铸模和弧形支撑槽;所述铸模卡接于所述弧形支撑槽的槽沟中;所述浇注壶设置于所述弧形支撑槽的圆心位置;所述浇注壶底部设置有底座,所述底座的高度与所述弧形支撑槽的高度相同;所述浇注壶底端与所述底座通过轴承活动连接;所述浇注壶包括壶体和管状的壶嘴;所述壶口的高度低于所述熔铅炉炉口的高度;所述壶嘴的长度与所述弧形支撑槽的半径相适配;所述壶嘴出口端的外壁上设置有操作杆;所述虹吸管进料口一端从所述炉口伸入
管状铸造锭连续切割用铸造炉.pdf
本发明公开了一种管状铸造锭连续切割用铸造炉,包括炉体,其特征在于:所述炉体内设有熔炼腔,所述熔炼腔的下方通过通孔连通溶液腔,所述溶液腔内设有加热座,所述加热座上设有多个矿渣腔,所述加热底座内设有电磁加热装置,所述溶液腔的下方设有吹炼通道,所述吹炼通道的侧壁上设有多个挡流板,所述吹炼通道的底部连通进气管,所述溶液腔的侧壁上通过导料通道连通储液槽。本发明结构简单,胚件加工质量稳定,铸造熔炼炉的熔炼效率高,产品不易氧化,下料运输方便。
铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法.pdf
本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法,涉及投炉硅料和晶种摆放方法,a采用单块重量≤200g的硅料,在晶种之上铺0.5~60cm的厚度;b晶种之间距离≤0.1mm。本发明的有益效果在于:1、通过本方法的控制,可减少晶种引起的缺陷。可有效解决类似单晶大量位错而导致生产效率偏低问题,使得铸锭炉生长类似单晶的光电转化效率提高0.1%左右。2、同时解决类似单晶生产的高成本问题。晶种厚度控制在20mm以下,单炉(约450kg)生产成本可降低1000元以上。