一种导电接触片的加工工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105908011A(43)申请公布日2016.08.31(21)申请号201610313481.0(22)申请日2016.05.11(71)申请人万安达精密零组件（深圳）有限公司地址518000广东省深圳市光明新区光明街道圳美村石介头路江翔工业园3栋(72)发明人晏肆龙(51)Int.Cl.C22C9/04(2006.01)C22C1/02(2006.01)B23P15/00(2006.01)C09D163/00(2006.01)C09D5/24(2006.01)C09D5/08(2006.01)C09D7/12(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种导电接触片的加工工艺(57)摘要本发明公开了一种导电接触片的加工工艺，其包含如下步骤：(1)熔炼；采用真空感应炉熔炼配方量的原料；所述配方量的原料包含以下合金成份：Cr：1.1％～1.3％，Zr：0.2％～0.4％，Zn：6％～12％，Mg：0.1～0.8％，以及余量的Cu；(2)铸造；(3)热轧；(4)冲裁；(5)整形；(6)抛光和打磨；(7)喷涂涂层；将所述步骤(6)得到的打磨后物料喷涂涂层；所述涂层的配方为：包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂40～60份、硅藻土20～45份、碳纤维2～5份、三氧化二锑6～12份、氢氧化钠2～4份、石英粉5～10份、硫酸镁1～2份、纳米二氧化硅0.5～2.5份、三乙醇胺6～10份、硬脂酸1～2份、甲苯30-35份、乙酸乙酯20-40份。CN105908011ACN105908011A权利要求书1/1页1.一种导电接触片的加工工艺，其特征在于，包含如下步骤：(1)熔炼；采用真空感应炉熔炼配方量的原料；具体的，将电解铜进行真空熔炼，熔炼温度控制在1180～1250℃，熔炼时间80～100分钟；加入所述配方量的原料中的Cr、Zr、Zn、Mg合金；所述配方量的原料包含以下合金成份：Cr：1.1％～1.3％，Zr：0.2％～0.4％，Zn：6％～12％，Mg：0.1～0.8％，以及余量的Cu；(2)铸造；(3)热轧；(4)冲裁；将热轧后的板材冲裁成设定规格，得到导电接触片片状原料；(5)整形；将整形模具的凹模和凸模左右方向并列水平放置，使得所述凹模和所述凸模之间具有一间隙，将所述步骤(4)得到的片状原料放置于所述间隙中，朝所述凹模方向移动所述凸模，加工形成规则导电接触片毛坯件；(6)抛光和打磨；将所述步骤(4)得到的导电接触片毛坯件进行抛光和打磨；(7)喷涂涂层；将所述步骤(6)得到的打磨后物料喷涂涂层；所述涂层为导电防腐涂层；所述导电防腐涂层的配方为：包括按照质量份数计的如下组分：环氧树脂40～60份、硅藻土20～45份、碳纤维2～5份、三氧化二锑6～12份、氢氧化钠2～4份、石英粉5～10份、硫酸镁1～2份、纳米二氧化硅0.5～2.5份、三乙醇胺6～10份、硬脂酸1～2份、甲苯30-35份、乙酸乙酯20-40份。2.如权利要求1所述的一种导电接触片的加工工艺，其特征在于：所述步骤(1)中，在熔炼期间还加入有混合稀土Re，配比不超过炉水总量的0.04％。3.如权利要求1所述的一种导电接触片的加工工艺，其特征在于：所述步骤(2)与步骤(3)之间还包含铣面的步骤；所述步骤(3)和步骤(5)之间还依次包含初轧、退火、精轧、退火和预整形的步骤。4.如权利要求1所述的一种导电接触片的加工工艺，其特征在于：所述导电防腐涂层的层数为三层。5.如权利要求1所述的一种导电接触片的加工工艺，其特征在于：所述导电防腐涂层的加工工艺包括如下步骤：S100：将三氧化二锑和硅藻土磨成粒度为100～150目的细粉；S200：将氢氧化钠、石英粉、硫酸镁、纳米二氧化硅、三乙醇胺加入混合机中，然后向其中加入步骤S100中磨好的三氧化二锑和硅藻土，搅拌至混合均匀，得到混合物料；S300：将步骤S200中得到的混合物料、环氧树脂、碳纤维、硬脂酸加入到甲苯和乙酸乙酯中，搅拌至混合均匀，即得。6.如权利要求1所述的一种导电接触片的加工工艺，其特征在于：所述电解铜为含铜量≥99％，含铅量＜0.005％的电解铜。2CN105908011A说明书1/4页一种导电接触片的加工工艺技术领域[0001]本发明涉及导电片的加工方法，具体用于含铜导电片的加工。背景技术[0002]随着我国国民经济的快速发展，基础建设的大量投入，对高导电率的导电接触片的需求量不断的增加。世界各国为了适应现代工业的发展，不断寻求新的生产工艺来满足发展需求；[0003]现有导电接触片采用铜材制作，其加工工艺的精密度较低，加工制得的导电接触片，精密度低，导电率较低，同时防腐性能较差。发明内容[0004]本发明所要解决的技术问题在于