一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106129079A(43)申请公布日2016.11.16(21)申请号201610790785.6(22)申请日2016.08.31(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号(72)发明人许进唐在峰任昱吕煜坤(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.H01L27/146(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法(57)摘要本发明提供了一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，包括：获取将要制造CIS产品的多个晶圆，其中在晶圆背面生长有氧化硅层；针对将要制造CIS产品的多个晶圆，使用炉管的方法在多个晶圆的氧化硅层上生长氮化硅层，作为后续刻蚀的硬掩膜；对所述多个晶圆进行浅沟槽刻蚀。CN106129079ACN106129079A权利要求书1/1页1.一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：获取将要制造CIS产品的多个晶圆，其中在晶圆背面生长有氧化硅层；第二步骤：针对将要制造CIS产品的多个晶圆，使用炉管的方法在多个晶圆的氧化硅层上生长氮化硅层，作为后续刻蚀的硬掩膜；第三步骤：对所述多个晶圆进行浅沟槽刻蚀。2.根据权利要求1所述的优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，在第三步骤中，在针对所述多个晶圆中的第一片晶圆进行浅沟槽刻蚀时，使得第一片晶圆的与炉管的三个托脚接触的三个区域位于腔体的预定位置。3.根据权利要求1或2所述的优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，在第三步骤中，在针对所述多个晶圆中的各片晶圆进行浅沟槽刻蚀时，使得当前晶圆的与炉管的三个托脚接触的三个区域的位置相对于前一片晶圆的与炉管的三个托脚接触的三个区域的位置旋转预定角度。4.根据权利要求1或2所述的优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，在第三步骤中，在所述旋转预定角度时，晶圆边缘点的晶圆旋转最短行程为：L＝2π*R*(120-W)/360，其中R为晶圆半径，W为炉管托脚宽度。5.根据权利要求1或2所述的优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，浅沟槽刻蚀是使用电浆的干法刻蚀。6.根据权利要求1或2所述的优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，浅沟槽刻蚀使用静电卡盘吸附晶圆。7.根据权利要求1或2所述的优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，浅沟槽刻蚀使用氦气进行冷却。8.根据权利要求1或2所述的优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，氧化硅层是材质疏松的低温二氧化硅。2CN106129079A说明书1/3页一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法。背景技术[0002]CIS(CMOSImageSensor，CMOS图像传感器件)是一种光电转换器件，它采用一列内置的LED发光二极管照明，因该部件体积小，重量轻，被广泛用于含摄像功能的智能手机等移动设备中。[0003]该接触式传感器的摄像功能对金属污染特别是工作区污染而导致的漏电增加，白点增多特别敏感，从而导致良率低下，甚至大批晶圆报废。[0004]为防止工艺过程中晶圆背面金属离子的沾污，通常会在CIS晶圆背面生长一层氧化硅，目前业内普遍使用材质疏松的低温二氧化硅，而传统的逻辑器件和存储器等产品不涉及敏感的金属离子沾污和降低信燥干扰的问题，背面不需要生长该氧化硅。[0005]CIS产品进行浅沟槽刻蚀前，会使用炉管的方法生长氮化硅，作为后续刻蚀的硬掩膜。而因炉管生长的固有特性，需要有3个20*20mm的托脚1来支撑晶圆，该3个支撑点1的位置与晶圆背面紧密接触，无法生长出氮化硅，如图1所示，从而导致后续刻蚀中晶圆背面的该3个托脚1的位置处的低温二氧化硅暴露于刻蚀电浆中。[0006]而该背面的低温二氧化硅材质疏松，容易被电浆轰击出氧化硅，在晶圆背面冷却氦气的流动下，催动并掉落于晶圆表面而导致在线缺陷，影响良率。发明内容[0007]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法。[0008]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，包括：[0009]第一步骤：获取将要制造CIS产品的多个晶圆，其中在晶圆背面生长有氧化硅层；[0010]第二步骤：针对将要制造CIS产品的多个晶圆，使用炉管的方法在多个晶圆的氧化硅层上生长氮化硅层，作为