一种高纯铝的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106756097A(43)申请公布日2017.05.31(21)申请号201510831910.9(22)申请日2015.11.25(71)申请人衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司地址421001湖南省衡阳市石鼓区松木工业园上倪路9号(72)发明人聂玉(51)Int.Cl.C22B21/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种高纯铝的制备方法(57)摘要本发明公开了一种高纯铝的制备方法，包括如下步骤：a、将高纯铝原料在真空熔炼炉520-550℃下保温2-6小时，取出后水淬；b、经过a步骤处理的铝锭在轧机上冷轧处理后，装入石英舟中；c、将装入石英舟的铝锭再次放入真空熔炼炉内，对真空熔炼炉进行脱氧处理，并使其真空度达到5×10-4pa～10×10-4pa，真空熔炼炉以100℃～200℃/小时的速度缓慢升温600℃～800℃，恒温1.5～2.5小时后，以100-200℃/小时的速度缓慢降温至300℃～400℃，恒温处理2～3小时后，以150-200℃/小时的速度缓慢降温至常温即可。本方法操作简单，使用设备简便，工艺成本低廉，可制备出6N高纯铝，填补国内6N高纯铝的空白。CN106756097ACN106756097A权利要求书1/1页1.一种高纯铝的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a、将高纯铝原料在真空熔炼炉520-550℃下保温2-6小时，取出后水淬；b、经过a步骤处理的铝锭在轧机上冷轧处理后，装入石英舟中；c、将装入石英舟的铝锭再次放入真空熔炼炉内，对真空熔炼炉进行脱氧处理，并使其真空度达到5×10-4pa～10×10-4pa，真空熔炼炉以100℃～200℃/小时的速度缓慢升温600℃～800℃，恒温1.5～2.5小时后，以100-200℃/小时的速度缓慢降温至300℃～400℃，恒温处理2～3小时后，以150-200℃/小时的速度缓慢降温至常温即可。2.根据权利要求1所述的高纯铝的制备方法，其特征在于，步骤c中铝锭在真空熔炼炉熔炼时，控制熔区宽度30—50mm。3.根据权利要求1所述的高纯铝的制备方法，其特征在于，步骤c中真空熔炼炉的脱氧处理为：开启氩气阀，向真空熔炼炉内通氩气，调节氩气流量为300-400mL/min。4.根据权利要求1所述的高纯铝的制备方法，其特征在于，步骤a中，经真空熔炼炉熔炼后，将铝锭放入事先配好的清洗液中，水浴加热至90—100℃，3-5min后停止加热，待冷却后用去离子水清洗铝锭至中性。5.根据权利要求1所述的高纯铝的制备方法，其特征在于，步骤c中将装入石英舟的铝锭再次放入真空熔炼炉内，对真空熔炼炉进行脱氧处理，并使其真空度达到5×10-4pa～10×10-4pa，真空熔炼炉以150℃/小时的速度缓慢升温700℃，恒温2小时后，以150℃/小时的速度缓慢降温至350℃，恒温处理2.5小时后，以180℃/小时的速度缓慢降温至常温即可。2CN106756097A说明书1/3页一种高纯铝的制备方法技术领域[0001]本发明属于材料制备领域，具体为高纯铝的制备方法。背景技术[0002]6N高纯铝主要应用于半导体工业及超导体，其中半导体工业约占96%，用于超导体约占4%。主要应用包括：1、阴极溅镀靶。2、集成电路配线。3、光电子存储媒体。4、航空航天领域。高纯铝的最大应用领域是生产电子铝箔，用于制造铝电解电容器，其消耗的高纯铝量约为高纯铝总产量的80%。从高纯铝的应用方面以及市场需求情况考虑，开展6N高纯铝的研制迫在眉睫。发明内容[0003]本发明的目的是为了解决上述背景技术中所提到的问题，提供了一种高纯铝的制备方法。[0004]为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：一种高纯铝的制备方法，包括如下步骤：a、将高纯铝原料在真空熔炼炉520-550℃下保温2-6小时，取出后水淬；b、经过a步骤处理的铝锭在轧机上冷轧处理后，装入石英舟中；C、将装入石英舟的铝锭再次放入真空熔炼炉内，对真空熔炼炉进行脱氧处理，并使其真空度达到5×10-4pa～10×10-4pa，真空熔炼炉以100℃～200℃/小时的速度缓慢升温600℃～800℃，恒温1.5～2.5小时后，以100-200℃/小时的速度缓慢降温至300℃～400℃，恒温处理2～3小时后，以150-200℃/小时的速度缓慢降温至常温即可。[0005]进一步地，步骤c中铝锭在真空熔炼炉熔炼时，控制熔区宽度30—50mm。[0006]进一步地，步骤c中真空熔炼炉的脱氧处理为：开启氩气阀，向真空熔炼炉内通氩气，调节氩气流量为300-400mL/min。[0007]进一步地，步骤a中，经真空熔炼炉熔炼后，将铝锭放入事先配好的清洗液中，水浴加热至90—100℃，3-5min