预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/9
2/9
3/9
4/9
5/9
6/9
7/9
8/9
9/9

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106809869A(43)申请公布日2017.06.09(21)申请号201710032219.3(22)申请日2017.01.16(71)申请人华南师范大学地址510631广东省广州市天河区中山大道西55号(72)发明人宿世臣严闪闪张晗(74)专利代理机构广州市华学知识产权代理有限公司44245代理人李斌(51)Int.Cl.C01G9/03(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种ZnO微米线的制备方法(57)摘要本发明公开了一种ZnO微米线的制备方法,包括:1)清洗两支大的相同规格的石英管和一支小的石英管;2)在小石英管中放入纯度为99.99%的锌粉,锌粉量为小石英管体积的1/2至2/3;3)将小石英管同方向放入一支大石英管中,小石英管底部与大石英管底部接触,取另一支相同规格的大石英管与装有小石英管的大石英管正对水平放置,保持10mm至15mm间距;4)将管式炉温度加热到907℃-1000℃范围内的某一温度,再将装有小石英管的大石英管和另一支大石英管按步骤3)的位置放置于管式炉中,保持该温度30min至3h,终止程序,关闭管式炉;5)将管式炉的炉管拉离温场区,在室温环境下自然退火,制得ZnO微米线。该制备方法工艺简单、重复性好、成本低廉,便于大规模生产。CN106809869ACN106809869A权利要求书1/1页1.一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:1)清洗两支大的相同规格的石英管和一支小的石英管;2)在清洗过后的一支小的石英管中放入纯度为99.99%的锌粉,锌粉的量为小石英管体积的1/2至2/3;3)将放有锌粉的小石英管同方向地放入其中一支大石英管中,小石英管的底部与大石英管的底部接触,取另一支相同规格的大石英管与装有小石英管的大石英管正对水平放置,保持10mm至15mm间距;4)设定管式炉的程序,先将管式炉的温度加热到907℃-1000℃范围内的某一温度,再将装有小石英管的大石英管和另一支相同规格的大石英管按步骤3)的位置放置于管式炉中,保持该温度30min至3h,然后终止程序,关闭管式炉;5)最后将管式炉的炉管拉离温场区,在室温环境下自然退火,制得ZnO微米线。2.根据权利要求1所述的一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于:步骤1)中,所述较大石英管的规格为:100mm长,24mm外径,20mm内径,所述较小石英管的规格为:20mm长,10mm外径,8mm内径。3.根据权利要求1所述的一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于:步骤1)中,所述清洗石英管的过程包括:将所述石英管依次放入丙酮、乙醇、去离子水中,分别超声10min,清洗完后放入干燥箱中干燥。4.根据权利要求1所述的一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于:步骤4)中,设定管式炉的程序时,先将管式炉的温度加热到960℃。5.根据权利要求1所述的一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于:步骤4)中,设定管式炉的程序时,先将管式炉的温度加热到907℃,放入石英管后,保持该温度3h。6.根据权利要求1所述的一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于:步骤4)中,设定管式炉的程序时,先将管式炉的温度加热到960℃,放入石英管后,保持该温度1h。7.根据权利要求1所述的一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于:步骤4)中,设定管式炉的程序时,先将管式炉的温度加热到980℃,放入石英管后,保持该温度45min。8.根据权利要求1所述的一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于:步骤4)中,设定管式炉的程序时,先将管式炉的温度加热到1000℃,放入石英管后,保持该温度30min。9.根据权利要求1所述的一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于:步骤1)中,所述较大石英管的规格为:100mm长,24mm外径,20mm内径,所述较小石英管的规格为:20mm长,18mm外径,16mm内径。10.根据权利要求1所述的一种ZnO微米线的制备方法,其特征在于:步骤1)中,所述较大石英管的规格为:100mm长,24mm外径,20mm内径,所述较小石英管的规格为:20mm长,14mm外径,12mm内径。2CN106809869A说明书1/4页一种ZnO微米线的制备方法技术领域[0001]本发明涉及光电材料领域,具体涉及一种高效无催化剂ZnO微米线的制备方法。背景技术[0002]第三代半导体材料中的ZnO,其室温下的禁带宽度为3.37eV,其激子束缚能高达60meV,是制作光电子器件的理想材料。近年来,各种ZnO的纳米结构,如纳米棒、纳米线以及纳米带状物等,引起了科学界的广泛关注。ZnO纳米结构被应用于紫外光探测器、激光二极管(LD)、发光二极管(LED)、太阳能电