一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106894092A(43)申请公布日2017.06.27(21)申请号201510962460.7(22)申请日2015.12.21(71)申请人有研光电新材料有限责任公司地址065001河北省廊坊市开发区百合道4号(72)发明人马英俊林泉龙彪张洁张赓刘晓慧钱钧王琦(74)专利代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司11100代理人刘秀青熊国裕(51)Int.Cl.C30B29/42(2006.01)C30B15/00(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法(57)摘要本发明公开了一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法，包括以下步骤：(1)将封装好砷化镓多晶料的石英管装入十二段加热区水平单晶炉加热体，以0.5-50℃/min的速率使各温区升温；(2)当各温区温度达到1100℃-1450℃时，停止升温，保持加热体各区温度化料1-30小时；(3)当料化后固液界面从右向左进入界面区(VII区)5-20mm时，保持VI区温度，迅速将除VI区以外的各高温区温度调至1100-1300℃；(4)当熔融的料将籽晶熔掉2-20mm时，用1-35℃/h的速率降VI区温度，至晶体长出后，保持VI区温度开始拉晶。本发明的方法操作简单，可以有效的减少籽晶熔尽，籽晶被熔融的料淹没情况出现给生产带来的损失的几率，提高单晶成品率。CN106894092ACN106894092A权利要求书1/1页1.一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将封装好砷化镓多晶料的石英管装入十二段加热区水平单晶炉加热体，以0.5-50℃/min的速率使各温区升温；(2)当各温区温度达到1100℃-1450℃时，停止升温，保持加热体各区温度化料1-30小时；(3)当料化后固液界面从右向左进入界面区(VII区)5-20mm时，保持VI区温度，迅速将除VI区以外的各高温区温度调至1100-1300℃；(4)当熔融的料将籽晶熔掉2-20mm时，用1-35℃/h的速率降VI区温度，至晶体长出后，保持VI区温度开始拉晶。2.根据权利要求1所述的水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法，其特征在于，在所述步骤(1)中升温速率以1-30℃/min的速率使各温区升温。3.根据权利要求1所述的水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，当各温区温度达到1100℃-1450℃时，停止升温，保持加热体各区温度化料3-15小时。4.根据权利要求1所述的水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，当料化后固液界面从右向左进入界面区(VII区)5-18mm时，保持VI区温度，迅速将除VI区以外的各高温区温度调至1100-1300℃。5.根据权利要求1所述的水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法，其特征在于，在所述步骤(4)中，当熔融的料将籽晶熔掉3-15mm时，用1-15℃/h的速率降VI区温度。2CN106894092A说明书1/2页一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法技术领域[0001]本发明涉及一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法。背景技术[0002]砷化镓是一种重要的半导体材料。属III-V族化合物半导体。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。主流的工业化砷化镓生长工艺包括：直拉法(Cz法)、水平布里其曼法(HB法)、垂直布里其曼法(VB法)以及垂直梯度凝固法(VGF法)等。[0003]水平布里其曼法(简称水平法)生长砷化稼单晶拉制过程接籽晶时如果条件不合适，如稳料温度不合适、稳料时间不合适等，经常会发生籽晶熔尽，籽晶被熔融的料淹没的情况，导致引晶失败长出晶体变成多晶而不是单晶，成为不合格品，给生产带来巨大损失。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法，采用该方法可以有效的降低接籽晶时籽晶熔尽、籽晶被熔融的料淹没的情况的出现几率，提高单晶成品率。[0005]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：[0006]一种水平法砷化镓单晶拉制过程中接籽晶的方法，包括以下步骤：[0007](1)将封装好砷化镓多晶料的石英管装入十二段加热区水平单晶炉加热体，以0.5-50℃/min的速率使各温区升温；[0008](2)当各温区温度达到1100℃-1450℃时，停止升温，保持加热体各区温度化料1-30小时；[0009](3)当料化后固液界面从右向左进入界面区(VII区)5-20mm时，保持VI区温度，迅速将除VI区以外的各高温区温度调至1100-1300℃；[0010](4)当熔融的料