用于中频感应炉的可控硅检测保护装置及中频感应炉.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106992499A(43)申请公布日2017.07.28(21)申请号201610165077.3(22)申请日2016.03.22(71)申请人上海兆力电器制造有限公司地址201607上海市松江区泖港镇中民路555号(72)发明人沈小弟(74)专利代理机构上海弼兴律师事务所31283代理人胡美强王聪(51)Int.Cl.H02H7/12(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称用于中频感应炉的可控硅检测保护装置及中频感应炉(57)摘要本发明公开了一种用于中频感应炉的可控硅检测保护装置及中频感应炉，所述可控硅检测保护装置包括信号取样与处理电路及联锁控制电路，信号取样与处理电路与联锁控制电路电连接；信号取样与处理电路用于获取可控硅两端的压降信号并将压降信号与预设电位信号进行比较，信号取样与处理电路还用于根据比较结果发送保护信号至联锁控制电路，联锁控制电路用于根据保护信号输出故障信号。本发明提供的用于中频感应炉的可控硅检测保护装置可实时有效地检测中频感应炉中每一只可控硅的状态，一旦发现有损害的可控硅，立即对主电路进行保护，以使得防止损毁更多的可控硅，从而避免事故的扩大。CN106992499ACN106992499A权利要求书1/2页1.一种用于中频感应炉的可控硅检测保护装置，其特征在于，所述可控硅检测保护装置包括信号取样与处理电路及联锁控制电路，所述信号取样与处理电路与所述联锁控制电路电连接；所述信号取样与处理电路用于获取可控硅两端的压降信号并将所述压降信号与预设电位信号进行比较，所述信号取样与处理电路还用于根据比较结果发送保护信号至所述联锁控制电路，所述联锁控制电路用于根据所述保护信号输出故障信号。2.如权利要求1所述的可控硅检测保护装置，其特征在于，所述信号取样与处理电路包括信号取样模块、比较器及锁存器，所述信号取样模块与所述比较器电连接，所述比较器与所述锁存器电连接，所述锁存器与所述联锁控制电路电连接；所述信号取样模块用于获取可控硅两端的压降信号并发送至所述比较器，所述比较器用于将所述压降信号与预设电位信号进行比较并根据比较结果发送置位信号至所述锁存器，所述锁存器用于根据所述置位信号发送保护信号至所述联锁控制电路。3.如权利要求2所述的可控硅检测保护装置，其特征在于，所述信号取样模块包括压降光信号输入模块及光电转换模块，所述压降光信号输入模块与所述光电转换模块电连接，所述光电转换模块与所述比较器电连接；所述压降光信号输入模块用于将所述可控硅两端的压降转换成的压降光信号发送至所述光电转换模块，所述光电转换模块用于将所述压降光信号转换成压降信号并发送至所述比较器。4.如权利要求2所述的可控硅检测保护装置，其特征在于，所述信号取样与处理电路还包括保护忽略开关，所述保护忽略开关用于切断所述锁存器输出的保护信号。5.如权利要求2所述的可控硅检测保护装置，其特征在于，所述可控硅检测保护装置还包括预设电位电路，所述预设电位电路分别与所述比较器及所述锁存器电连接，所述预设电位电路用于将所述比较器或所述锁存器的输入端的电位限制在恒定的电位上。6.如权利要求2所述的可控硅检测保护装置，其特征在于，所述可控硅检测保护装置还包括阈值调整电路，所述阈值调整电路包括中频电压输入模块、阈值调整电位器及电压比较器；所述中频电压输入模块及所述阈值调整电位器分别与所述电压比较器电连接，所述电压比较器与所述联锁控制电路电连接；所述中频电压输入模块用于将中频电压信号发送至所述电压比较器，所述阈值调整电位器用于调整阈值电压信号并将所述阈值电压信号发送至所述电压比较器，所述电压比较器用于将所述中频电压信号或启动电位信号与所述阈值电压信号进行比较并根据比较结果输出待机信号或运行信号至所述联锁控制电路。7.如权利要求6所述的可控硅检测保护装置，其特征在于，所述阈值调整电路还包括启动预检模块，所述启动预检模块与所述电压比较器电连接，所述启动预检模块用于将启动电位信号发送至所述电压比较器，所述启动电位信号表征的电位高于所述阈值电压信号表征的电位。8.如权利要求6所述的可控硅检测保护装置，其特征在于，所述阈值调整电路还包括整流分压模块，所述整流分压模块与所述中频电压输入模块电连接，所述整流分压模块用于对所述中频电压信号进行整流分压并发送至所述电压比较器。2CN106992499A权利要求书2/2页9.如权利要求6所述的可控硅检测保护装置，其特征在于，所述联锁控制电路包括待机模块、运行模块、保护模块及复位模块；所述待机模块分别与所述电压比较器及所述锁存器电连接，所述运行模块分别与所述电压比较器及所述锁存器电连接，所述保护模块分别与所述锁存器、所述运行模块及所述待机模块电连接，