一种高体积密度的致密陶瓷材料烧结方法.pdf
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一种高体积密度的致密陶瓷材料烧结方法.pdf
本发明提供了一种高体积密度的致密陶瓷材料烧结方法,该技术方案采取烧结法生产,使用天然气/液化气等一次能源,节能环保。同时,本发明使用加长磨机研磨成纳米或亚纳米级粉体后经高压成型,成型后内部气体含量低,形状均匀不易破损,有利于形成竖炉中稳定的烧结气氛,保证成品的稳定性。此外,本发明原料为纳米或亚纳米粉体确保成品内含的结晶大小均匀,晶体延展范围适中,各结晶穿插生长;超高温竖炉中的慢速烧结过程保证了原料的充分软化状态,确保内部气体得到缓慢而充分的排空,形成内部晶体之间微气孔少的微观致密结构,体积密度可达3.7g
一种提高陶瓷材料致密度的热压烧结制备工艺.pdf
本发明涉及陶瓷材料热压烧结制备工艺技术领域,尤其是一种提高陶瓷材料致密度的热压烧结制备工艺。其制备工艺是将预烧结的陶瓷粉体装入石墨套筒模具内,在其下部安装高强石墨下压块,上部安装高强石墨上压头,在预烧结的陶瓷粉体与上压头、下压块接触位置分别放置高强石墨粉作为隔离材料,放入热压烧结炉中按照烧结工艺烧结。其操作处理简单,高强石墨粉制备方便,经济环保。采用该热压烧结工艺制备的陶瓷刀具材料的烧结致密度和均匀性得到很大的提高和改善,因此材料的硬度也得到显著的提高。本发明还适用于耐磨损陶瓷、高硬度陶瓷等结构件的开发制
一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法.pdf
一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法,包括将原料制成ITO旋转靶素坯的步骤和将ITO旋转靶素坯在氧气氛烧结炉中烧制成ITO旋转靶材的步骤。在烧制之前,先在承烧板上放置陶瓷素坯,然后将ITO旋转靶素坯放在陶瓷素坯上,并使ITO旋转靶素坯的底面与陶瓷素坯完全接触,以便在烧制过程中使ITO旋转靶素坯和陶瓷素坯同步收缩,以此消除或减少两者之间的相对位移,从而消除或减少收缩阻力的影响,改善旋转靶顶部和底部收缩不一致的现象,提供靶材均匀性和相对密度。旋转靶各个部位的相对密度之差不大于0.1%,各个部位的内径之差不大于0
一种高致密度ITO靶材的烧结方法.pdf
一种高致密度ITO靶材的烧结方法,先将ITO坯体放进干燥脱脂炉中进行干燥脱脂,再将ITO坯体放在承烧板上并送入氧压炉中,以2~5°C/min的速度升温至500~800°C时第一保温1~5h并通入氧气,以0.5~2°C/min的速度升温至1000~1400°C时第二保温1~5h,氧气流量调整8~30L/min,再以0.5~2°C/min的速度升温至1500~1650°C时第三保温20~60h,氧气流量调整5~20L/min,之后以0.5~2°C/min的速度降温至1200°C,此时关闭氧气并使氧压炉内的压力
一种烧结的致密高锆砖的制备方法.pdf
本发明公开了一种烧结的致密高锆砖及其制备方法,该方法包括制浆、喷雾造粒、等静压成型和高温烧成;所述制备方法主要使用了具有40~70%比例单斜氧化锆的微米级Y2O3部分稳定电熔氧化锆原料,并引入了1~5%的纳米级SiO2;所述方法获得了一种氧化锆均匀分散在少量玻璃相中的均匀结构,所制备的烧结致密高锆砖具有气孔率低、强度高、抗侵蚀性好、生产成本低的特点,并能实现大尺寸产品的制备。